显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置，其包括：基础衬底；晶体管，设置在基础衬底上；有机层，设置在晶体管上；显示元件层，设置在有机层上；以及像素电极，设置在有机层与显示元件层之间。像素电极包括：第一电极层，设置在有机层与显示元件层之间并且包含来源于有机层的有机物；以及第二电极层，设置在第一电极层与显示元件层之间并且不包含所述有机物。之间并且不包含所述有机物。之间并且不包含所述有机物。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月1日提交的第10
‑
2021
‑
0148154号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。


[0003]本公开在此涉及包括其中堆叠有多个层的像素电极的显示装置。

技术介绍

[0004]通常，显示装置包括衬底和设置在衬底上的多个像素。像素中的每个包括连接到设置在衬底上的栅极线和数据线的晶体管。栅极导通电压通过栅极线输入到晶体管且图像信号通过数据线输入到晶体管。
[0005]像素电极设置在晶体管与衬底之间。像素电极用来电连接薄膜晶体管和包括在衬底中的电路层。已经执行了用于开发具有高导电性和高物理强度的像素电极的研究。

技术实现思路

[0006]本公开提供了包括具有优异的物理强度的像素电极的显示装置及显示装置的制造方法。
[0007]本专利技术的实施方式提供了显示装置，显示装置包括：基础衬底，晶体管，设置在基础衬底上；有机层，设置在晶体管上；显示元件层，设置在有机层上；以及像素电极，设置在有机层与显示元件层之间。像素电极包括：第一电极层，设置在有机层与显示元件层之间并且包含来源于有机层的有机物；以及第二电极层，设置在第一电极层与显示元件层之间并且不包含所述有机物。
[0008]在实施方式中，第一电极层的厚度可以小于第二电极层的厚度。
[0009]在实施方式中，第一电极层可以具有约50微米(μm)至约100μm的厚度。
[0010]在实施方式中，第一电极层和第二电极层可以包括相同的金属氧化物。
[0011]在实施方式中，第一电极层和第二电极层可以分别独立地包括氧化铟锌(“IZO”)和氧化铟钛(“ITO”)中的至少一种。
[0012]在实施方式中，所述有机物可以包括三氧化碳。
[0013]在实施方式中，所述有机物还可以包括碳。
[0014]在实施方式中，第一电极层可以直接设置在有机层上。
[0015]在实施方式中，第二电极层可以直接设置在第一电极层上。
[0016]在实施方式中，第一电极层和第二电极层可以分别经由溅射方法形成。
[0017]在实施方式中，像素电极还可以包括设置在第二电极层上并且不包含所述有机物的第三电极层。
[0018]在实施方式中，第二电极层和第三电极层可以包括相同的材料。
[0019]在本专利技术的实施方式中，使用包括前级腔室和后级腔室的显示装置制造设备的显
示装置制造方法包括：向前级腔室提供预备显示衬底，所述预备显示衬底包括：基础衬底；晶体管，设置在基础衬底上；以及有机层，设置在晶体管上；在前级腔室中在有机层上形成第一电极层；在形成第一电极层之后，将前级腔室的内部改变成真空状态；在前级腔室的内部改变成真空状态之后，在第一电极层上形成第二电极层。第一电极层包含来源于有机层的有机物，且第二电极层不包含所述有机物。
[0020]在实施方式中，形成第一电极层和形成第二电极层可以分别包括沉积金属氧化物。在形成第一电极层的过程中沉积金属氧化物所花费的第一时间可以短于在形成第二电极层的过程中沉积金属氧化物所花费的第二时间。
[0021]在实施方式中，第一时间和第二时间的比例可以是约1：1.75至约1：4.50。
[0022]在实施方式中，形成第一电极层可以包括将从有机层排出的有机物引入到第一电极层中。
[0023]在实施方式中，所述有机物可以包括三氧化碳。
[0024]在实施方式中，所述有机物还可以包括碳。
[0025]在实施方式中，将前级腔室的内部改变成真空状态可以包括从前级腔室的内部去除所述有机物。
[0026]在实施方式中，显示装置制造方法还可以包括：向后级腔室提供其上沉积有第一电极层和第二电极层的预备显示衬底；以及在后级腔室中在第二电极层上形成不包含所述有机物的第三电极层。
附图说明
[0027]附图被包括在内以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本专利技术的实施方式，并且与说明书一起用来解释本专利技术的原理。在附图中：
[0028]图1是根据实施方式的显示装置的分解立体图；
[0029]图2A是示出根据实施方式的像素的平面图；
[0030]图2B是示出根据实施方式的像素的平面图；
[0031]图3是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图；
[0032]图4是根据实施方式的显示装置的一部分的放大剖视图；
[0033]图5是根据实施方式的显示装置的一部分的放大剖视图；
[0034]图6是根据实施方式的显示装置制造方法的流程图；
[0035]图7是示意性地示出根据实施方式的显示装置制造设备的视图；
[0036]图8是示意性地示出根据实施方式的显示装置制造方法的操作的视图；
[0037]图9是示意性地示出根据实施方式的显示装置制造方法的操作的视图；
[0038]图10是示意性地示出根据实施方式的显示装置制造方法的操作的视图；
[0039]图11是示意性地示出根据实施方式的显示装置制造方法的操作的视图；
[0040]图12是根据另一实施方式的显示装置制造方法的流程图；
[0041]图13是对实施例和比较例的显示装置的样品的TOF
‑
SIMS分析的曲线图；以及
[0042]图14是对实施例和比较例的显示装置的样品的TOF
‑
SIMS分析的曲线图。
具体实施方式
[0043]下面将参考附图更详细地描述本专利技术的实施方式。然而，本专利技术可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达本专利技术的范围。
[0044]将理解，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它可以直接设置在另一元件上、连接到或联接到另一元件，或者第三居间元件可以设置在元件之间。
[0045]将理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为“直接设置”时，不存在例如层、膜、区域或衬底的居间元件。例如，将理解，当元件被称为“直接设置”时，两个层或两个构件可以在它们之间没有任何诸如粘合构件的附加构件的情况下设置。
[0046]贯穿全文，相同的附图标记或符号表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述
技术实现思路
，夸大了元件的厚度、比例和大小。
[0047]本文中所使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，“一个”、“一种”、“该”和“至少一个(种)”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外清楚地指示。例如，“一元素”具有与“至少一个元素”相同的含义，除非上下文另外清楚地指示。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基础衬底；晶体管，设置在所述基础衬底上；有机层，设置在所述晶体管上；显示元件层，设置在所述有机层上；以及像素电极，设置在所述有机层与所述显示元件层之间，其中，所述像素电极包括：第一电极层，设置在所述有机层与所述显示元件层之间并且包含来源于所述有机层的有机物；以及第二电极层，设置在所述第一电极层与所述显示元件层之间并且不包含所述有机物。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极层的厚度小于所述第二电极层的厚度。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极层具有50微米(μm)至100μm的厚度。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祯雨，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：