一种线切后氮化镓的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种线切后氮化镓的处理方法，该处理方法包括：先将氮化镓与强酸接触一定的时间；再将氮化镓与热碱液接触一定的时间。本发明专利技术采用用强酸和热碱对线切后的氮化镓进行预处理，与现有技术相比，经过强酸和热碱预处理的氮化镓，在研磨加工时移除率更高，在加快研磨效率的同时提高产品的良率和表面质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种线切后氮化镓的处理方法


[0001]本专利技术属于氮化镓晶片加工领域，具体涉及一种线切后氮化镓的处理方法。

技术介绍

[0002]氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性高等独特的优良性能，因此，氮化镓在光电子器件和微电子器件领域有着广阔的应用前景。
[0003]将氮化镓晶棒加工成晶片的过程一般包括：(1)线切，将氮化镓晶棒切成晶片；(2)研磨抛光，去除晶片表面的损伤层达到所需的粗糙度，同时达到平整化的目的。然而由于线切后的氮化镓内应力较大，损伤层较深，再加上氮化镓本身属于硬脆材料，直接进行研磨加工时很容易发生破片，且研磨效率低下。
[0004]因此，线切后如何提高氮化镓晶片的研磨效率并防止研磨破片是急需解决的问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供一种线切后氮化镓的处理方法，在加快研磨效率的同时有效地防止了破片率。
[0006]本专利技术实现上述目的所采用的技术方案如下：
[0007]一种线切后氮化镓的处理方法，其特点在于：包括：
[0008]先将氮化镓与强酸接触一定的时间；
[0009]再将氮化镓与热碱液接触一定的时间。
[0010]优选地，所述强酸为浓硫酸、浓硝酸、浓盐酸、浓磷酸和氢氟酸中的一种或多种。
[0011]优选地，氮化镓与强酸接触的时间为20～30min。
[0012]优选地，所述热碱液为氢氧化钠溶液和/或氢氧化钾溶液。
[0013]优选地，所述热碱液的浓度为2～20mol/L，更优选地，热碱液的浓度为2～5mol/L。
[0014]优选地，氮化镓与热碱液接触的时间为20～30min，温度为60～90℃。
[0015]一种氮化镓的研磨加工方法，包括：
[0016]预处理：采用如上所述的方法对线切后的氮化镓进行处理；
[0017]研磨：采用研磨机对经过预处理的氮化镓进行研磨。
[0018]优选地，研磨过程中，研磨产生的浆料经过100目过滤后循环使用。
[0019]优选地，采用二级过滤，目数依次为30目和100目。
[0020]优选地，研磨时采用粒径D50为20
‑
30μm的聚晶钻石粉作为磨粒。
[0021]一种氮化镓研磨片，采用如上所述的方法加工得到。
[0022]有益效果：
[0023]本专利技术采用用强酸和热碱对线切后的氮化镓进行预处理，与现有技术相比，经过强酸和热碱预处理的氮化镓，在研磨加工时移除率更高，在加快研磨效率的同时提高产品
的良率和表面质量。
附图说明
[0024]图1是本专利技术线切后氮化镓的研磨加工流程示意图。
具体实施方式
[0025]以下结合实施例对本专利技术的技术方案做进一步详细说明。
[0026]氮化镓晶棒线切得到的氮化镓按如图1所示的工艺流程进行研磨加工：
[0027]先用强酸浸泡线切后的氮化镓，清洗；
[0028]再用热碱液浸泡氮化镓，清洗；
[0029]将经过上述处理的氮化镓在研磨机上进行研磨，研磨产生的废浆料经二级过滤后循环使用。
[0030]以下各实施例所用的研磨设备为6B双面研磨机，配备的研磨备用为聚氨酯研磨盘，盘面开方格槽，邵氏硬度≥85，研磨加工时下盘转速30
‑
60rpm，上盘转速低于下盘转速，速比0.5
‑
0.8。研磨液采用市售聚晶钻石研磨液，流量0.5
‑
3L/min，磨粒粒径D50为20
‑
30μm。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线切后氮化镓的处理方法，其特征在于：包括：先将氮化镓与强酸接触一定的时间；再将氮化镓与热碱液接触一定的时间。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述强酸为浓硫酸、浓硝酸、浓盐酸、浓磷酸和氢氟酸中的一种或多种。3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：氮化镓与强酸接触的时间为20～30min。4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述热碱液为氢氧化钠溶液和/或氢氧化钾溶液。5.根据权利要求1或4所述的处理方法，其特征在于：所述热碱液的浓度为2～20mol/L。6.根据权利要求1或4所述的处理方法，其特征在于：氮化镓与热碱液接触的时间为20～30min，温度为60...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俩，陆燕飞，李骏杰，秦博龙，
申请(专利权)人：无锡吴越半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：