一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备及加工工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体硅晶加工技术领域，具体为一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备及加工工艺，包括：反应釜，内部设置有连接柱，连接柱的外表面固定设置有过滤板，过滤板的两侧侧壁均设置有第二过滤网；顶板，设置在过滤板的内部底端，顶板的内部开设有斜切槽；过滤筒，通过出料阀与反应釜的内部相连通，且过滤筒的内部设置有第一过滤网；有益效果为：通过过滤板的转动带动两组第二过滤网进行转动，同时通过过滤孔径的不同将原材料内部的杂质储存在过滤板的内部，实现第一层过滤，而过滤筒的内部设置有第一过滤网，第一过滤网实现对成品清洁剂的二次过滤。洁剂的二次过滤。洁剂的二次过滤。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备及加工工艺


[0001]本专利技术涉及半导体硅晶加工
，具体为一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备及加工工艺。

技术介绍

[0002]半导体硅晶圆是硅元素加以纯化，接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆；
[0003]为保证半导体硅晶圆器件高可靠性、稳定性和使用的寿命，提升半导体硅晶圆产品成品率，避免污染物污染而造成电路失效，需要对半导体硅晶圆进行清洗，清洗所需要清洗剂；
[0004]清洗剂在生产过程中，需要对生产出来的合格产品进行除杂，以保证清洗剂不含有杂质，若含有杂质，对半导体硅晶圆进行清洗时，杂质会摩擦半导体硅晶圆的表面，造成一定的损伤。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备及加工工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备，所述半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备包括：
[0007]反应釜，反应釜的内部设置有连接柱，连接柱的外表面固定设置有过滤板，过滤板的两侧侧壁均设置有第二过滤网；
[0008]顶板，顶板设置在过滤板的内部底端，顶板的内部开设有斜切槽；
[0009]过滤筒，过滤筒通过出料阀与反应釜的内部相连通，且过滤筒的内部设置有第一过滤网。
[0010]优选的，所述反应釜呈中空矩形结构，反应釜的下方固定连接有支撑框，支撑框的上端面大小和反应釜的下端面大小相匹配，且支撑框远离反应釜的一端端部固定连接在底座的上表面，反应釜通过支撑框与底座相连接，且反应釜的上端面中心位置固定连接有进料口，进料口呈中空圆柱形结构，且进料口与反应釜的内部相连通。
[0011]优选的，所述反应釜的上端面固定设置有转动电机，转动电机设置有两组，两组转动电机以进料口为中心进行对称分布，且两组转动电机的输出端均贯穿反应釜的顶壁并固定连接有连接柱，连接柱通过转动电机转动设置在反应釜的内部，且连接柱的大小和反应釜的内部大小相匹配。
[0012]优选的，两组所述连接柱的外表面均固定连接有过滤板，过滤板的大小和反应釜的内部大小相匹配，且过滤板设置有多组，多组过滤板以连接柱为圆心呈圆周状态分布，且多组过滤板均呈中空状态，过滤板的两侧侧壁均设置有第二过滤网，第二过滤网的大小和
过滤板的侧壁大小相匹配。
[0013]优选的，所述过滤板的下端面中心位置开设有收纳槽，收纳槽与过滤板的内部相连通，且收纳槽的内部插接设置有顶板，顶板的大小和收纳槽的内部大小相匹配，顶板的两侧侧壁中心位置均固定设置有滑块，两组滑块分别滑动设置在两组滑槽的内部，两组滑槽分别开设在收纳槽的内部两侧侧壁。
[0014]优选的，所述滑槽的内部大小和滑块的大小相匹配，顶板通过两组滑块滑动设置在收纳槽的内部，且收纳槽的顶部中心位置开设有让位槽，让位槽的内部插接设置有抵持板，抵持板的大小和让位槽的内部大小相匹配，且让位槽的内部设置有第二复位弹簧，第二复位弹簧固定设置在让位槽的顶壁和抵持板的顶壁之间，抵持板通过第二复位弹簧弹性插接在让位槽的内部。
[0015]优选的，所述让位槽的内部侧壁中心位置开设有限位槽，限位槽贯穿过滤板的侧壁，且限位槽的内壁插接设置有支杆，支杆的大小和限位槽的内部大小相匹配，且支杆的一端端部固定连接在抵持板的一侧侧壁。
[0016]优选的，所述反应釜的内部底端中心位置固定连接有出料阀，出料阀呈中空圆柱形结构，且出料阀远离反应釜的一端端部延伸至支撑框的内部并螺接有过滤筒，过滤筒的内部侧壁开设有导向槽，导向槽开设有两组，两组导向槽均匀对称分布，且两组导向槽的顶壁均开设有卡槽。
[0017]优选的，两组所述卡槽的内部均滑动设置有导向块，导向块的大小和卡槽的内部大小相匹配，且两组导向块分别固定连接在第一过滤网的外表面两侧侧壁，其中一组导向块的外表面中心位置开设有固定孔，固定孔内部插接设置有插杆，插杆远离固定孔的一端端部贯穿过滤筒的侧壁并延伸至过滤筒的外侧，且插杆的外表面套设有第一复位弹簧，第一复位弹簧固定设置在插杆的端部和过滤筒的外表面之间。
[0018]优选的，两组所述第二过滤网的孔径大小不同。
[0019]半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备的加工工艺，包括以下步骤：
[0020]搅拌：先将原材料通过进料口通入到反应釜的内部，然后启动两组转动电机，两组转动电机通过连接柱带动过滤板进行转动，实现对原材料的混合搅拌；
[0021]过滤：过滤板在转动过程中，会通过第二过滤网对原材料进行过滤，由于过滤板的两侧均设置有第二过滤网，且其中一侧的第二过滤网过滤网口较小，所以一些大颗粒杂质将会留在过滤板的内部；
[0022]杂质清理：向上拉动支杆，支杆带动抵持板向上移动，当抵持板不再对顶板进行限位时，即可将顶板从过滤板的底部取出，对杂质进行集中清理；
[0023]二次清理：清洗剂加工完成后，将收纳桶放置在过滤筒的下方，然后打开出料阀，清洗剂通过出料阀和过滤筒的配合，流入到收纳桶内，当流入到过滤筒的内部时，第一过滤网对清洗剂进行二次过滤；
[0024]对第一过滤网进行清理：拉动插杆，当插杆的端部不再插接在固定孔的内部时，转动第一过滤网，第一过滤网带动两组导向块进行转动，当转动一定角度后，即可取出第一过滤网。
[0025]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0026]本专利技术提出的半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备及加工工艺，通过过滤板的转
动带动两组第二过滤网进行转动，同时通过过滤孔径的不同将原材料内部的杂质储存在过滤板的内部，实现第一层过滤，而过滤筒的内部设置有第一过滤网，第一过滤网实现对成品清洁剂的二次过滤。
附图说明
[0027]图1为本专利技术结构示意图；
[0028]图2为本专利技术结构剖视图；
[0029]图3为本专利技术过滤桶与第一过滤网结构连接示意图；
[0030]图4为图3中A处结构放大示意图；
[0031]图5为本专利技术第一过滤网结构示意图；
[0032]图6为本专利技术过滤板结构示意图；
[0033]图7为图6中B处结构放大示意图；
[0034]图8为本专利技术过滤板部分剖视图；
[0035]图9为本专利技术顶板结构示意图。
[0036]图中：底座1、支撑框2、反应釜3、过滤筒4、进料口5、转动电机6、出料阀7、连接柱8、过滤板9、第一过滤网10、导向槽11、卡槽12、导向块13、插杆14、第一复位弹簧15、顶板16、收纳槽17、滑槽18、抵持板19、限位槽20、支杆21、第二复位弹簧22、让位槽23、滑块24、斜切槽25、固定孔26、第二过滤网27。
具体实施方式
[0037]为了使本专利技术的目的、技术方案进行清楚、完整地描述，及优点更加清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备，其特征在于：所述半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备包括：反应釜(3)，反应釜(3)的内部设置有连接柱(8)，连接柱(8)的外表面固定设置有过滤板(9)，过滤板(9)的两侧侧壁均设置有第二过滤网(27)；顶板(16)，顶板(16)设置在过滤板(9)的内部底端，顶板(16)的内部开设有斜切槽(25)；过滤筒(4)，过滤筒(4)通过出料阀(7)与反应釜(3)的内部相连通，且过滤筒(4)的内部设置有第一过滤网(10)。2.根据权利要求1所述的一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备，其特征在于：所述反应釜(3)呈中空矩形结构，反应釜(3)的下方固定连接有支撑框(2)，支撑框(2)的上端面大小和反应釜(3)的下端面大小相匹配，且支撑框(2)远离反应釜(3)的一端端部固定连接在底座(1)的上表面，反应釜(3)通过支撑框(2)与底座(1)相连接，且反应釜(3)的上端面中心位置固定连接有进料口(5)，进料口(5)呈中空圆柱形结构，且进料口(5)与反应釜(3)的内部相连通。3.根据权利要求2所述的一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备，其特征在于：所述反应釜(3)的上端面固定设置有转动电机(6)，转动电机(6)设置有两组，两组转动电机(6)以进料口(5)为中心进行对称分布，且两组转动电机(6)的输出端均贯穿反应釜(3)的顶壁并固定连接有连接柱(8)，连接柱(8)通过转动电机(6)转动设置在反应釜(3)的内部，且连接柱(8)的大小和反应釜(3)的内部大小相匹配。4.根据权利要求3所述的一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备，其特征在于：两组所述连接柱(8)的外表面均固定连接有过滤板(9)，过滤板(9)的大小和反应釜(3)的内部大小相匹配，且过滤板(9)设置有多组，多组过滤板(9)以连接柱(8)为圆心呈圆周状态分布，且多组过滤板(9)均呈中空状态，过滤板(9)的两侧侧壁均设置有第二过滤网(27)，第二过滤网(27)的大小和过滤板(9)的侧壁大小相匹配。5.根据权利要求4所述的一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备，其特征在于：所述过滤板(9)的下端面中心位置开设有收纳槽(17)，收纳槽(17)与过滤板(9)的内部相连通，且收纳槽(17)的内部插接设置有顶板(16)，顶板(16)的大小和收纳槽(17)的内部大小相匹配，顶板(16)的两侧侧壁中心位置均固定设置有滑块(24)，两组滑块(24)分别滑动设置在两组滑槽(18)的内部，两组滑槽(18)分别开设在收纳槽(17)的内部两侧侧壁。6.根据权利要求5所述的一种半导体硅晶圆腐蚀片清洗剂加工设备，其特征在于：所述滑槽(18)的内部大小和滑块(24)的大小相匹配，顶板(16)通过两组滑块(24)滑动设置在收纳槽(17)的内部，且收纳槽(17)的顶部中心位置开设有让位槽(23)，让位槽(23)的内部插接设置有抵持板(19)，抵持板(19)的大小和让位槽(23)的内部大小相匹配，且让位槽(23)的内部设置有第二复位弹簧(22)，第二复位弹簧(22)固定设置在让位槽(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国辉，
申请(专利权)人：江苏芯诺半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：