一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备，其中性能参数调节方法包括：获取监测电路的监测参数的实际值，监测电路用于对芯片进行老化监测，监测参数能够表征芯片的老化程度；根据监测参数的实际值和监测参数的初始值，确定监测参数的变化量；根据监测参数的变化量，确定对应的芯片的性能参数的变化量；根据性能参数的变化量，调节芯片的性能参数，从而可以避免因芯片的初始性能参数过高即芯片的性能参数调节量过大，导致的芯片的初始功耗过高。功耗过高。功耗过高。

【技术实现步骤摘要】
一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备


[0001]本专利技术实施例涉及芯片
，具体涉及一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备。

技术介绍

[0002]随着芯片工作时间的延长，在载流子注入、偏压不稳定性等因素的影响下，芯片会逐渐老化，导致芯片的性能逐渐降低。由于芯片的性能可以用性能参数如工作频率或工作电压等来表征，因此，通常可以采用预先提高芯片的性能参数，来使老化后的芯片仍能满足性能的规格要求。但是，这样会导致芯片的初始功耗过高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备，以降低因芯片的初始性能参数过高，导致的芯片的初始功耗过高问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种性能参数调节方法，包括：
[0006]获取监测电路的监测参数的实际值，所述监测电路用于对芯片进行老化监测，所述监测参数能够表征所述芯片的老化程度；
[0007]根据所述监测参数的实际值和所述监测参数的初始值，确定所述监测参数的变化量；
[0008]根据所述监测参数的变化量，确定对应的所述芯片的性能参数的变化量；
[0009]根据所述性能参数的变化量，调节所述芯片的性能参数。
[0010]第二方面，本专利技术提供了一种性能参数调节装置，包括：
[0011]数据获取模块，用于获取监测电路的监测参数的实际值，所述监测电路用于对芯片进行老化监测，所述监测参数能够表征所述芯片的老化程度；
[0012]第一数据处理模块，用于根据所述监测参数的实际值和所述监测参数的初始值，确定所述监测参数的变化量；
[0013]第二数据处理模块，用于根据所述监测参数的变化量，确定对应的所述芯片的性能参数的变化量；
[0014]参数调节模块，用于根据所述性能参数的变化量，调节所述芯片的性能参数。
[0015]第三方面，本专利技术提供了一种芯片，所述芯片被配置为执行如上任一项所述的性能参数调节方法。
[0016]第四方面，本专利技术提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质存储至少一组指令，所述至少一组指令用于被执行如上任一项所述的性能参数调节方法。
[0017]本专利技术实施例提供的性能参数调节方法、调节装置和相关设备，由于监测参数能够表征芯片的老化程度，因此，监测参数的变化量能够表征芯片的老化量，与监测参数的变化量对应的芯片的性能参数的变化量，能够表征芯片的老化量对应的性能变化量，从而可
以根据性能参数的变化量，调节芯片的性能参数，使得调节后的性能参数能够达到老化前的性能参数，进而使得芯片的性能满足规格要求。
[0018]并且，由于性能参数的变化量是与芯片的老化量匹配的，因此，可以使得性能参数的调节量与芯片的老化量相匹配，从而可以避免因芯片的初始性能参数过高即芯片的性能参数调节量过大，导致的芯片的初始功耗过高。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0020]图1为不同样品的实际所需电压和增加裕量值后的工作电压的关系图；
[0021]图2为芯片在不同时间段实际所需电压与增加裕量值后的工作电压的关系图；
[0022]图3为本专利技术一个实施例提供的性能参数调节方法的流程图；
[0023]图4为本专利技术一个实施例提供的监测电路的结构示意图；
[0024]图5为本专利技术一个实施例提供的芯片的工作电压与实际所需的电压的关系图；
[0025]图6为本专利技术一个实施例提供的监测参数随等效工作时间变化的变化曲线示意图；
[0026]图7为本专利技术一个实施例提供的性能参数随等效工作时间变化的变化曲线示意图；
[0027]图8为本专利技术一个实施例提供的监测参数的变化量随性能参数的变化量变化的曲线示意图；
[0028]图9为本专利技术一个实施例提供的增加预设的参数裕量和未增加预设的参数裕量的工作电压的关系图；
[0029]图10为本专利技术一个实施例提供的性能参数调节装置的结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]对于芯片产品而言，比较有代表性的性能参数一般为工作频率，因此可以取工作频率作为芯片产品的性能指标对象。由于芯片产品的工作频率和工作电压一般具有比例关系，因此，可以通过对工作电压进行调节，来调节芯片产品的工作频率，进而调节芯片产品的性能。
[0032]为了维持在芯片的寿命范围内，芯片的性能都能满足某个规格要求(如SPEC规格要求)，一般会采用电压调节的方法，预先对芯片实际所需的电压增加某个裕量值，使得芯片在达到寿命后仍能满足性能的规格要求。
[0033]如图1所示，图1为不同样品的实际所需电压和增加裕量值后的工作电压的关系
图，工作频率为3GHz的芯片，其实际所需电压为0.8V，预计达到寿命(如5年)后，最小工作电压需增加0.08V，才能使芯片的工作频率维持在3GHz。基于此，可以在芯片初始工作时刻，就预先将工作电压增加一个裕量值0.08V，即，在芯片初始工作时刻，就将工作电压调节到0.88V，以使芯片在达到寿命后工作频率仍维持在3GHz。
[0034]但是，如图2所示，图2为芯片在不同时间段实际所需电压与增加裕量值后的工作电压的关系图，在芯片初始工作时刻，由于芯片的工作电压增加了裕量值，因此，使得芯片的工作电压大于芯片实际所需的电压，导致初始工作时刻芯片的功耗过高。
[0035]基于此，本专利技术实施例提供了一种性能参数调节方案，通过实时监测芯片的老化程度，并根据芯片的老化程度，来对应调节芯片的性能参数，以使性能参数的调节量匹配芯片的老化程度，避免芯片的初始性能参数过高即初始调节量过大，导致芯片的初始功耗过高。
[0036]作为本专利技术实施例公开内容的一种可选实现，本专利技术实施例提供了一种性能参数调节方法，用于调节芯片的性能参数，对芯片进行抗老化。如图3所示，图3为本专利技术一个实施例提供的性能参数调节方法的流程图，该性能参数调节方法包括：
[0037]S301：获取监测电路的监测参数的实际值；
[0038]本专利技术实施例中，监测电路用于对芯片进行老化监测，监测参数能够表征芯片的老化程度。其中，监测电路可以设置在芯片内部，也可以设置在芯片外部，但设置在芯片外部的监测电路，需与芯片位于相同的基板(如晶圆)上，以使监测电路的老化速率和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种性能参数调节方法，其特征在于，包括：获取监测电路的监测参数的实际值，所述监测电路用于对芯片进行老化监测，所述监测参数能够表征所述芯片的老化程度；根据所述监测参数的实际值和所述监测参数的初始值，确定所述监测参数的变化量；根据所述监测参数的变化量，确定对应的所述芯片的性能参数的变化量；根据所述性能参数的变化量，调节所述芯片的性能参数。2.根据权利要求1所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述根据所述监测参数的变化量，确定所述芯片的性能参数的变化量，包括：根据所述监测参数的变化量和所述性能参数的变化量的函数关系，确定所述监测参数的变化量对应的所述芯片的性能参数的变化量。3.根据权利要求2所述的性能参数调节方法，其特征在于，还包括：确定所述监测参数的变化量随等效工作时间变化的第一函数关系；确定所述性能参数的变化量随等效工作时间变化的第二函数关系；根据所述第一函数关系和所述第二函数关系，确定所述监测参数的变化量和所述性能参数的变化量的函数关系。4.根据权利要求3所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述确定所述监测参数的变化量随等效工作时间变化的第一函数关系包括：获取对所述监测电路进行老化测试得到的第一老化测试数据；根据所述第一老化测试数据，确定所述监测参数随等效工作时间变化的函数关系；根据所述监测参数随等效工作时间变化的函数关系，确定所述监测参数的变化量随等效工作时间变化的第一函数关系。5.根据权利要求3所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述确定所述性能参数的变化量随等效工作时间变化的第二函数关系包括：获取对所述芯片进行老化测试得到的第二老化测试数据；根据所述第二老化测试数据，确定所述性能参数随等效工作时间变化的函数关系；根据所述性能参数随等效工作时间变化的函数关系，确定所述性能参数的变化量随等效工作时间变化的第二函数关系。6.根据权利要求1所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述根据所述性能参数的变化量，调节所述芯片的性能参数，包括：根据所述性能参数的变化量以及预设的参数裕量，调节所述芯片的性能参数。7.根据权利要求1所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述监测电路至少包括环形振荡器，所述监测参数为所述环形振荡器的振荡频率；所述性能参数为所述芯片的工作电压。8.一种性能参数调节装置，其特征在于，包括：数据获取模块，用于获取监测电路的监测参数的实际值，所述监测电路用于对芯片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐文涛，
申请(专利权)人：成都海光微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：