用于清洁真空腔室的方法、用于真空处理基板的方法和用于真空处理基板的设备技术

描述了一种用于清洁真空腔室、特别是在OLED器件的制造中使用的真空腔室的方法。所述方法包括：用活性物种清洁所述真空腔室的表面和在所述真空腔室内部的部件中的至少一者以从所述真空腔室的所述表面和在所述真空腔室内部的所述部件中的所述至少一者去除污染物；以及在清洁期间，分析所去除的污染物。分析所去除的污染物。分析所去除的污染物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于清洁真空腔室的方法、用于真空处理基板的方法和用于真空处理基板的设备


[0001]本公开内容的实施方式涉及一种用于清洁真空腔室的方法、一种用于真空处理基板的方法和用于真空处理基板的设备。本公开内容的实施方式特别地涉及在有机发光二极管(OLED)器件的制造中使用的方法和设备。

技术介绍

[0002]用于在基板上进行层沉积的技术包括例如热蒸镀、物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CYD)。所涂覆的基板可用于若干应用和若干
中。例如，所涂覆的基板可用于有机发光二极管(OLED)器件的领域中。OLED可用于电视机屏幕、计算机监视器、移动电话、其他手持装置等的制造中来显示信息。OLED器件诸如OLED显示器可包括坐落在沉积在基板上的两个电极之间的有机材料的一个或多个层。
[0003]OLED器件可包括若干有机材料的堆叠，该堆叠例如在处理设备的真空腔室中进行蒸镀。在真空腔室内部的真空条件和在真空腔室内部的污染物影响所沉积的材料层和使用这些材料层制造的OLED器件的品质。
[0004]例如，OLED器件使用寿命受有机污染物影响。污染物可能源自在真空内部使用的零件和材料和/或源自在维护期间的交叉污染。在生产之前或在生产期间的清洁(即，污染物的去除)实现OLED器件的稳定、高品质生产。
[0005]适当地清洁以达到适合于生产的污染物水平(预防性维护(PM)恢复)的持续时间或时间是关键资源。对于生产系统的所有者，每一分钟的工具停机时间都会造成严重损失。因此，提高清洁效率和减少清洁时间降低生产成本。/>[0006]根据惯例，通过使用更高的真空水平(即，接近大气压的压力)来提高例如原位清洁的活性物种的浓度。另外，例如，文献WO2018/197008涉及一种用于清洁真空系统的至少一部分的预清洁和一种原位清洁。原位清洁可在真空下执行。例如，压力可以是10
‑2毫巴或更低。另外，公开的是，对于原位清洁，压力可在10
‑2毫巴至10毫巴的范围内。进一步提高清洁效率是有益的。
[0007]因此，需要可改善在真空腔室内部的真空条件和对真空腔室的清洁的方法和设备。本公开内容特别地旨在确定清洁的终点，使得可提高沉积在基板上的有机材料的层的品质，同时可同样地减少清洁的持续时间。

技术实现思路

[0008]鉴于上文，提供了一种用于清洁真空腔室的方法、一种用于清洁真空系统、特别是在OLED器件的制造中使用的真空系统的方法、一种用于真空处理基板的方法和用于真空处理基板、特别是真空处理基板以制造OELD器件的设备。本公开内容的另外的方面、益处和特征从权利要求、描述和附图中显而易见。
[0009]根据一些实施方式，提供了一种用于清洁真空腔室、特别是在OLED器件的制造中
使用的真空腔室的方法。所述方法包括：用活性物种清洁所述真空腔室的表面和在所述真空腔室内部的部件中的至少一者以从所述真空腔室的所述表面和在所述真空腔室内部的所述部件中的所述至少一者去除污染物、具体是有机污染物；以及在清洁期间，分析所去除的污染物、具体是所去除的有机污染物。
[0010]根据一个实施方式，提供了一种用于真空处理基板以制造OLED器件的方法。所述方法包括：根据本文描述的实施方式中任一者的用于进行清洁的方法；以及在所述基板上沉积有机材料的一个或多个层。
[0011]根据一个实施方式，提供了一种用于真空处理基板、特别是真空处理基板以制造OLED器件的设备。所述设备包括：真空腔室；源，所述源连接到所述真空腔室，所述源具有处理气体入口、用于活性物种的导管和处理气体出口；阀，所述阀在所述真空腔室与所述源之间，被定位成打开或关闭所述导管；以及气体分析仪，所述气体分析仪用于分析所述真空腔室的气体混合物。
[0012]根据一个实施方式，提供了一种用于真空处理基板、特别是真空处理基板以制造OLED器件的设备。所述设备包括控制器，所述控制器包括：处理器，以及存储器，所述存储器存储指令，所述指令当由所述处理器执行时致使所述设备执行根据本公开内容的实施方式的方法。
附图说明
[0013]为了可详细地理解本公开内容的上文陈述的特征，可参考实施方式来得到上文简要地概述的本公开内容的更特别的描述。附图涉及本公开内容的实施方式并被描述如下：
[0014]图1A和图1B示出了根据本文描述的实施方式的用于清洁在OLED器件的制造中使用的真空系统的方法的流程图；
[0015]图2示出了根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板以制造OLED器件的方法的流程图；
[0016]图3示出了根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板以制造OLED器件的系统的示意图；和
[0017]图4示出了根据本文描述的实施方式的用于清洁真空腔室的设备的示意图。
具体实施方式
[0018]现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，各图中示出了这些实施方式的一个或多个示例。在各图的以下描述内，相同的附图标记是指相同的部件。一般来讲，仅描述了相对于单独的实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供并且不意在作为本公开内容的限制。另外，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可在其他实施方式上或结合其他实施方式进行使用以产生又一个实施方式。说明书旨在包括此类修改和变化。
[0019]在真空腔室内部的真空条件和污染物、特别是有机污染物的量可对沉积在基板上的材料层的品质有强烈影响。特别地，对于OLED大批量生产，真空部件的清洁度对所制造的器件的使用寿命有强烈影响。对于OLED器件制造，即使是电抛光表面仍可能太脏。本公开内容的一些实施方式使用原位清洁。特别地，本公开内容的一些实施方式使用例如用原位源
进行的原位清洁来进行真空清洁。例如，真空清洁可在预清洁规程之后提供，例如作为真空系统的最终清洁规程。本公开内容的实施方式涉及超清洁真空(UCV)清洁。
[0020]例如，原位清洁可用于处理真空腔室和/或真空系统的零件或部件。例如，原位清洁可在工艺启动或生产开始之前在真空下进行，以提高清洁度水平。处理可用例如纯氧或具有例如氮气或氩气的氧气混合物的等离子体执行一定时间。例如，可使用清洁干燥空气。附加地或替代地，可使用氢气或氢气混合物。
[0021]腔室或表面的清洁度例如可通过接触角测量来确定。例如，在标准清洁工艺中的接触角可在略超过70小时的时间内减小到略低于10。例如通过(110)硅基板的真空暴露测量的几乎为零的接触角可用本公开内容的技术在非常短的时间内(例如，在10小时或更少或甚至5小时或更少的时间内)达到。接触角可在所清洁的腔室中在16小时的真空暴露下在预清洁的(110)硅基板上进行测量。清洁效率可提高至少一个数量级或甚至一定数量级。
[0022]相比OLED工业中使用的常规的清洁策略，例如“在真空下烘烤”，本公开内容的实施方式并不是基于升高温度来减少和/或去除在真空腔室内部的有机污染物。尤其是当在系统内部具有温度敏感元件(例如电子元件)时，烘烤并不是有益选项。此外，根据本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于清洁真空腔室、特别是在OLED器件的制造中使用的真空腔室的方法，包括：用活性物种清洁所述真空腔室的表面和在所述真空腔室内部的部件中的至少一者以从所述真空腔室的所述表面和在所述真空腔室内部的所述部件中的所述至少一者去除污染物、具体是有机污染物；和在清洁期间，分析去除的污染物、具体是有机污染物。2.如权利要求1所述的方法，其中用原位源产生所述活性物种。3.如权利要求2所述的方法，其中原位清洁包括清洁所述真空腔室的一个或多个内壁。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中分析所述污染物包括测量所述污染物的碎片的浓度。5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述活性物种使附着到所述真空腔室的所述表面和在所述真空腔室内部的所述部件中的至少一者的污染物碎裂成更小碎片。6.如权利要求4或5所述的方法，其中所述污染物包括碎裂成具有减小的链长度的分子的长链分子。7.如权利要求6所述的方法，其中分析包括测量具有对应于约10至70amu的链长度的分子的浓度。8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包括：基于对所去除的污染物的所述分析来确定所述清洁的持续时间。9.如权利要求8所述的方法，其中对所述清洁的所述持续时间的所述确定包括确定所述清洁的终点。10.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中用于产生所述活性物种的处理气体包括氧气，特别地，其中用于产生所述活性物种的所述处理气体包括至少90体积％氧气和至少2体积...

【专利技术属性】
技术研发人员：曼纽尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：