测试基座制造技术

本实用新型专利技术提供一种测试基座，包括壳体、承载件、波吸收件及填充体。壳体具有内表面。承载件设置于壳体上，承载件包括上表面、下表面及凹陷于上表面的凹槽，凹槽适于容置待测组件，下表面与壳体的内表面共同定义腔体。波吸收件设置于壳体的内表面。填充体填充于腔体，接触波吸收件与承载件。填充体的相对介电常数小于等于2。本发明专利技术的测试基座可有助提供较真实的测试结果。实的测试结果。实的测试结果。

【技术实现步骤摘要】
测试基座


[0001]本技术涉及一种测试基座，且特别是涉及一种适用于天线的测试基座。

技术介绍

[0002]平面天线(特别是贴片天线)的辐射态样会随着馈入点变化，因此通常采取测量和验证程序来验证平面天线的特性。常规的测试方法是透过如图1所示的探测系统来进行测试。
[0003]图1是习知的一种探测系统的示意图。请参阅图1，探测系统10包括平台12、两探针14及显微镜透镜16。平台12用来承载待测组件(例如是平面天线，未绘示)，两探针14位于平台12的上方，且用来接触待测组件的馈入点与接地点。显微镜透镜16位于平台12与两探针14的上方。然而，待测组件的辐射场型实际上受到附近金属的影响，而难以得到较真实的测试结果。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种测试基座，其可有助提供较真实的测试结果。
[0005]本技术的一种测试基座，包括壳体、承载件、波吸收件及填充体。壳体具有内表面。承载件设置于壳体上，承载件包括上表面、下表面及凹陷于上表面的凹槽，凹槽适于容置待测组件，其中下表面与壳体的内表面共同定义腔体。波吸收件设置于壳体的内表面。填充体填充于腔体，接触波吸收件与承载件，其中填充体的相对介电常数(relative permittivity)小于等于2。
[0006]在本技术的一实施例中，上述的承载件对应在凹槽处的厚度小于5毫米。
[0007]在本技术的一实施例中，上述的承载件包括贯孔，贯孔位于凹槽并自承载件的上表面连通至承载件的下表面。
[0008]在本技术的一实施例中，上述的波吸收件还设置于承载件的下表面在对应于凹槽以外的部位。
[0009]在本技术的一实施例中，上述的下表面为平面。
[0010]在本技术的一实施例中，上述的下表面为弧面。
[0011]在本技术的一实施例中，上述的凹槽的直径或长度为D公分，测试基座适于测试的待测组件辐射信号的波长大于等于λ公分，腔体的深度大于等于2D2/λ公分。
[0012]在本技术的一实施例中，上述的填充体的等效相对介电常数介于1.2至1.6之间。
[0013]在本技术的一实施例中，上述的填充体包括多个填料层，这些填料层具有不同的多个相对介电常数，这些填料层的这些相对介电常数沿着越远离承载件的方向越大。
[0014]在本技术的一实施例中，上述的填充体的材料包括泡沫聚四氟乙烯(PTFE)或泡沫聚乙烯(PE)，且发泡度介于50％至80％之间。
[0015]基于上述，本技术的测试基座的承载件的下表面与壳体的内表面共同定义腔
体，波吸收件设置于壳体的内表面，填充体填充于腔体，填充体的相对介电常数小于等于2，待测组件位于承载件在凹陷于上表面的凹槽。波吸收件用来吸收待测组件(例如是平面天线)向下辐射的能量，以较佳地模拟开阔环境。填充体对承载件提供支撑，填充体的相对介电常数小于等于2，较接近空气环境。本技术的测试基座可较佳地模拟开阔的空气环境，而有助提供较真实的测试结果。
[0016]为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
[0017]图1是习知的一种探测系统的示意图；
[0018]图2A是依照本技术的一实施例的一种测试基座的示意图；
[0019]图2B是依照本技术的另一实施例的一种测试基座的示意图；
[0020]图2C是依照本技术的另一实施例的一种测试基座的示意图；
[0021]图3A是依照本技术的另一实施例的一种测试基座的示意图；
[0022]图3B是依照本技术的另一实施例的一种测试基座的示意图；
[0023]图4是依照本技术的另一实施例的一种测试基座的示意图。
[0024]附图标记说明
[0025]D1：直径；
[0026]L：深度；
[0027]O1：贯孔；
[0028]RA：凹槽；
[0029]T1、T1
’
、T2：厚度；
[0030]10：习知探测系统；
[0031]12：平台；
[0032]14：探针；
[0033]16：显微镜；
[0034]100、100a、100b、100c、100d、100e：测试基座；
[0035]110：壳体；
[0036]112：内表面；
[0037]120、120a、120c：承载件；
[0038]122：上表面；
[0039]124、124c：下表面；
[0040]130、130e：填充体；
[0041]131、133、135：填料层；
[0042]140、141：波吸收件；
[0043]200：待测组件。
具体实施方式
[0044]图2A是依照本技术的一实施例的一种测试基座的示意图。请参阅图2A，本实
施例的测试基座100可取代习知探测系统的平台(如图1的平台12)，以提供较佳的测试条件。本实施例的测试基座100包括壳体110、承载件120、波吸收件140及填充体130。
[0045]在本实施例中，壳体110例如是箱体或中空柱体，壳体110的材质可以是金属材质或非金属材质。承载件120例如是板体，设置于壳体110上。承载件120的材质是非金属材质，例如是低介电陶瓷材料。
[0046]承载件120包括上表面122、下表面124及凹陷于上表面122的凹槽RA。凹槽RA适于容置待测组件200。在本实施例中，待测组件200例如是平面天线(贴片天线)，但待测组件200的种类不以此为限制。
[0047]在本实施例中，承载件120的上表面122在凹槽RA以外处为平面，承载件120的下表面124为平面。也就是说，承载件120在凹槽RA以外处大致上是等厚的。在本实施例中，承载件120对应在凹槽RA处的厚度T1小于5毫米，承载件120在凹槽RA以外处的厚度T2大于10毫米。承载件120对应在凹槽RA处的厚度T1较小的设计，可降低承载件120阻挡待测组件200向下辐射信号的机率。
[0048]波吸收件140设置于壳体110的内表面112。波吸收件140用来吸收辐射信号的能量，降低能量反射的机率。波吸收件140的材质例如是发泡海绵，但波吸收件140的材质不以此为限制。在一未绘示实施例中，波吸收件140可具有多层结构，以使辐射信号的能量可在其中迅速衰减。
[0049]承载件120的下表面124与壳体110的内表面112共同定义腔体。填充体130填充于腔体，且接触波吸收件140与承载件120，以提供良好且稳定的支撑。在本实施例中，填充体130的相对介电常数(relative permittivity)小于等于2。
[0050]具体地说，由下表一可知，填充体130的发泡度与等效相对介电常数之间的关系。发泡度越小，支撑性佳，但等效相对介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试基座，其特征在于，包括：壳体，具有内表面；承载件，设置于所述壳体上，所述承载件包括上表面、下表面及凹陷于所述上表面的凹槽，所述凹槽适于容置待测组件，其中所述下表面与所述壳体的所述内表面共同定义腔体；波吸收件，设置于所述壳体的所述内表面；以及填充体，填充于所述腔体，接触所述波吸收件与所述承载件，其中所述填充体的相对介电常数小于等于2。2.根据权利要求1所述的测试基座，其特征在于，所述承载件对应在所述凹槽处的厚度小于5毫米。3.根据权利要求1所述的测试基座，其特征在于，所述承载件包括贯孔，所述贯孔位于所述凹槽并自所述承载件的所述上表面连通至所述承载件的所述下表面。4.根据权利要求1所述的测试基座，其特征在于，所述波吸收件还设置于所述承载件的所述下表面在对应于所述凹槽以外的部位...

【专利技术属性】
技术研发人员：张书维，
申请(专利权)人：稜研科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：