一种腐蚀数字化模式的方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域。一种腐蚀数字化模式的方法，对硅片的晶向以及掺杂的类型进行存储记录；对当前硅片进行腐蚀过程中，通过浓度传感器对药液的浓度进行检测，对整个腐蚀过程的硅片的晶向以及掺杂的类型与药液的浓度进行数据关联；获得不同晶向以及掺杂的硅片对应的腐蚀药液的浓度。对应的腐蚀药液的浓度。

【技术实现步骤摘要】
一种腐蚀数字化模式的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体是硅片的腐蚀方法。

技术介绍

[0002]在半导体材料硅的表面清洁处理，硅片机械加工后表面损伤层的去除、直接键合硅片的减薄、硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。
[0003]硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀的方式，硅片的表面腐蚀形成随机分布的微小电池，腐蚀电流较大，一般超过了100mA/cm2。但是，出于对腐蚀液高纯度和减少可能的金属离子的污染的要求，目前主要使用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合酸性腐蚀液。
[0004]在整个腐蚀过程中，每次新的药液有固定的使用次数；在不同的次数腐蚀不同的晶向和掺杂类型的产品。过了腐蚀次数后，就不能作业需要加急的产品，只能等到后续更换药液之后，再次等到相对应的腐蚀次数方可以进行作业。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种腐蚀数字化模式的方法，以解决以上至少一个技术问题。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于，对硅片的晶向以及掺杂的类型进行存储记录；
[0007]对当前硅片进行腐蚀过程中，通过浓度传感器对药液的浓度进行检测，对整个腐蚀过程的硅片的晶向以及掺杂的类型与药液的浓度进行数据关联；
[0008]获得不同晶向以及掺杂的硅片对应的腐蚀药液的浓度。
[0009]进一步优选的，浓度传感器为ABB的浓度分析仪。
[0010]进一步优选地，浓度传感器每30秒记录一次数据。
[0011]进一步优选地，将硅片腐蚀放入时间点以及硅片取出时间点进行记录，同时，输入当前腐蚀硅片的晶向以及掺杂类型，在硅片腐蚀放入时间点与硅片取出时间点这一时间范围内，所述浓度传感器在线监测药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，并存储在数据库内。
[0012]进一步优选地，所述数据库内根据硅片的晶向进行一级分类，根据硅片的掺杂类型进行二级分类，根据时间点的先后顺序进行三级分类。
[0013]进一步优选地，数据库存储在服务器内，服务器与主机通讯连接；
[0014]当主机输入硅片的晶向以及掺杂类型，自动调取数据库中当前晶向以及掺杂类型硅片的腐蚀参数信息，腐蚀参数信息包括硅片腐蚀放入时间点的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，硅片取出时间点的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度。
[0015]进一步优选的，硅片腐蚀之前，检测当前药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，对当前硅片所需的腐蚀药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度与当前药液中的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度进行比对，加入氢氟酸、硝酸以及醋酸中的至少一种，对腐蚀药液的浓度进行
调整，调节至当前硅片所需的腐蚀药液相应的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度。
[0016]进一步优选地，硅片腐蚀过程中，浓度传感器实时检测药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，浓度传感器将浓度信息传递给主机，主机接收到计时器记录的时间信息；
[0017]主机分析浓度信息以及时间信息，一旦药液中的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度达到硅片取出时间点相应的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度或者时间在硅片腐蚀放入时间点以及硅片取出时间点的差值之前的10分钟，警示装置作出预警。
[0018]进一步优选地，腐蚀药液为质量百分比浓度为9％
‑
15％氢氟酸、质量百分比浓度为30％
‑
35％硝酸以及质量百分比浓度为15％
‑
25％醋酸的混合酸液。
具体实施方式
[0019]下面对本专利技术做进一步的说明。
[0020]具体实施例1，一种腐蚀数字化模式的方法，对硅片的晶向以及掺杂的类型进行存储记录；对当前硅片进行腐蚀过程中，通过浓度传感器对药液的浓度进行检测，对整个腐蚀过程的硅片的晶向以及掺杂的类型与药液的浓度进行数据关联；获得不同晶向以及掺杂的硅片对应的腐蚀药液的浓度。
[0021]浓度传感器为ABB的浓度分析仪。
[0022]将硅片腐蚀放入时间点以及硅片取出时间点进行记录，同时，输入当前腐蚀硅片的晶向以及掺杂类型，在硅片腐蚀放入时间点与硅片取出时间点这一时间范围内，所述浓度传感器在线监测药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，并存储在数据库内。
[0023]所述数据库内根据硅片的晶向进行一级分类，根据硅片的掺杂类型进行二级分类，根据时间点的先后顺序进行三级分类。
[0024]数据库存储在服务器内，服务器与主机通讯连接；
[0025]当主机输入硅片的晶向以及掺杂类型，自动调取数据库中当前晶向以及掺杂类型硅片的腐蚀参数信息，腐蚀参数信息包括硅片腐蚀放入时间点的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，硅片取出时间点的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度。
[0026]硅片腐蚀之前，检测当前药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，对当前硅片所需的腐蚀药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度与当前药液中的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度进行比对，加入氢氟酸、硝酸以及醋酸中的至少一种，对腐蚀药液的浓度进行调整，调节至当前硅片所需的腐蚀药液相应的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度。
[0027]硅片腐蚀过程中，浓度传感器实时检测药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，浓度传感器将浓度信息传递给主机，主机接收到计时器记录的时间信息；
[0028]主机分析浓度信息以及时间信息，一旦药液中的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度达到硅片取出时间点相应的氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度或者时间在硅片腐蚀放入时间点以及硅片取出时间点的差值之前的10分钟，警示装置作出预警。
[0029]腐蚀药液为质量百分比浓度为9％
‑
15％氢氟酸、质量百分比浓度为30％
‑
35％硝酸以及质量百分比浓度为15％
‑
25％醋酸的混合酸液。
[0030]以上仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于，对硅片的晶向以及掺杂的类型进行存储记录；对当前硅片进行腐蚀过程中，通过浓度传感器对药液的浓度进行检测，对整个腐蚀过程的硅片的晶向以及掺杂的类型与药液的浓度进行数据关联；获得不同晶向以及掺杂的硅片对应的腐蚀药液的浓度。2.根据权利要求1所述的一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于：浓度传感器为ABB的浓度分析仪。3.根据权利要求1所述的一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于：浓度传感器每30秒记录一次数据。4.根据权利要求1所述的一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于：将硅片腐蚀放入时间点以及硅片取出时间点进行记录，同时，输入当前腐蚀硅片的晶向以及掺杂类型，在硅片腐蚀放入时间点与硅片取出时间点这一时间范围内，所述浓度传感器在线监测药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，并存储在数据库内。5.根据权利要求4所述的一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于：所述数据库内根据硅片的晶向进行一级分类，根据硅片的掺杂类型进行二级分类，根据时间点的先后顺序进行三级分类。6.根据权利要求4所述的一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于：数据库存储在服务器内，服务器与主机通讯连接；当主机输入硅片的晶向以及掺杂类型，自动调取数据库中当前晶向以及掺杂类型硅片的腐蚀参数信息，腐蚀参数信息包括硅片腐蚀放...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建华，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：