一种波长可调谐的窄线宽半导体激光器制造技术

技术编号:37453677 阅读:18 留言:0更新日期:2023-05-06 09:25
本发明专利技术公开了一种波长可调谐的窄线宽半导体激光器,属于激光器技术领域,解决了现有技术中慢轴准直难度高、VBG外腔反馈率低、慢轴准直后激光发散角大的问题,包括依次顺序设置的半导体激光巴条、快轴准直镜、慢轴准直镜、体布拉格光栅VBG以及聚焦镜,半导体激光巴条后还设有激光光束整形元件。本发明专利技术通过在快轴准直镜后设置激光光束整形元件,确保慢轴方向不再受到最长焦距极限的影响,利用单片柱透镜即可实现慢轴准直,极大降低了准直难度,在体布拉格光栅VBG外腔反馈有效接受角度范围内,使慢轴和快轴发散角相近,均达到mrad量级,提升VBG外腔反馈率,利用MCH陶瓷发热体控制体布拉格光栅VBG温度,在不影响光线宽的情况下实现激光波长的调谐。激光波长的调谐。激光波长的调谐。

【技术实现步骤摘要】
一种波长可调谐的窄线宽半导体激光器


[0001]本专利技术属于激光器
,具体地说,尤其涉及一种波长可调谐的窄线宽半导体激光器。

技术介绍

[0002]半导体激光器(LD)自诞生以来,因其光电转换效率高、体积小、重量轻、寿命长和可直接调制等特点,被广泛应用于科研、医疗、工业、军事等领域。当前,半导体激光器多关注于功率和光束质量,而随着其应用的不断拓展,无论是作为泵浦源,还是直接应用光源,光谱特性愈加重要。从泵浦角度出发,窄线宽意味着更高的泵浦效率;从直接应用出发,在相同光谱范围耦合更多激光单元,获得更高的激光功率和功率密度。自由运转的高功率半导体器主要的问题是典型光谱宽度通常为2~5nm,而针对一些吸收光谱很窄的工作物质,泵浦光谱与工作物质的吸收光谱无法严格匹配,因此无法直接开展应用,必须通过一定的技术手段窄化半导体激光的光谱宽度,同时控制好中心波长。
[0003]高功率半导体激光的线宽压窄技术,主要采用内腔法和外腔法两种。内腔法是指在半导体激光芯片有源区内置光栅,如DFB、DBR结构,进而压缩输出激光的光谱宽度,该方案的优点是小型一体化、结构稳定、可靠性高、具有扩展性,缺点是温漂大,多单元高功率工作时难以保证其中心波长一致性,导致增加整体线宽,因此工艺上较难实现。外腔法是指在半导体激光腔外加入色散元器件,如面光栅、体布拉格光栅(VBG)等,其中面光栅的特点是低发散角激光与高色散光栅结合,入射激光发散角越小,反馈光谱线宽越窄,并且单光栅即可实现多个激光芯片的光谱窄化。但是该结构对激光指向要求非常高,因此,高功率多路输出时,激光单元之间的同轴度要求非常高,整机难以实现模块化。
[0004]基于上述问题,本申请基于体布拉格光栅VBG外腔反馈技术,提出一种高功率半导体激光线宽窄化结构和方法,使线宽窄化的同时可以实现高效外腔反馈以及中心波长调谐。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是针对现有技术存在的不足,提供了一种慢轴准直难度低、VBG外腔反馈率高、慢轴准直后激光发散角大的波长可调谐的窄线宽半导体激光器。
[0006]为了实现上述技术目的,本专利技术波长可调谐的窄线宽半导体激光器采用的技术方案为:
[0007]一种波长可调谐的窄线宽半导体激光器,包括依次顺序设置的半导体激光巴条、快轴准直镜、慢轴准直镜、体布拉格光栅VBG以及聚焦镜,所述半导体激光巴条后还设有45
°
光束变换器,所述45
°
光束变换器置于所述快轴准直镜背后,用于将快轴准直后光束的光强分布和发散角分布均翻转90
°
,所述体布拉格光栅VBG外侧还设有MCH陶瓷加热体,所述MCH陶瓷加热体用于控制所述体布拉格光栅VBG温度。
[0008]优选的,所述45
°
光束变换器与所述快轴准直镜平行设置。
[0009]优选的,所述MCH陶瓷加热体为加热元件,其一面为所述体布拉格光栅VBG加热,另一面不施加额外作用。
[0010]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:
[0011]1、本专利技术通过在快轴准直镜后设置激光光束整形元件45
°
光束变换器,使快轴准直后光束的光强分布和发散角分布均翻转90
°
,令快慢两轴发生转换,确保慢轴方向不再受到最长焦距极限的影响,利用单片柱透镜即可实现慢轴准直,极大降低了准直难度;
[0012]2、本专利技术中激光光斑先经45
°
光束变换器转换后再经慢轴准直镜准直,在体布拉格光栅VBG外腔反馈有效接受角度范围内,使慢轴和快轴发散角相近,均达到mrad量级,提升VBG外腔反馈率,获得良好的线宽窄化效果;
[0013]3、本专利技术利用MCH陶瓷发热体控制体布拉格光栅VBG温度,在不影响光线宽的情况下实现激光波长的调谐。
附图说明
[0014]图1是现有技术的设计框图;
[0015]图2是现有技术的结构示意图;
[0016]图3是本专利技术的设计框图;
[0017]图4是本专利技术的结构示意图。
[0018]图中:1.第一半导体激光巴条;2.第一快轴准直镜;3.第一慢轴准直镜阵列;4.第一体布拉格光栅VBG;5.第一聚焦镜;6.TEC制冷器;7.半导体激光巴条;8.快轴准直镜;9.慢轴准直镜;10.体布拉格光栅VBG;11.聚焦镜;12.45
°
光束变换器;13.MCH陶瓷加热体。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施方式,对专利技术进一步说明:
[0020]体布拉格光栅VBG的特点是可以实现单路调节,因此对半导体激光单元器件的发光一致性要求较低,VBG的波长选择特性使半导体激光谐振在VBG衍射波长,从而实现半导体激光波长的筛选和线宽窄化,此外,VBG衍射波长随温度变化且温漂系数小,通过控制VBG温度来调节LD波长,在精确控温下可实现激光波长稳定输出。
[0021]现有技术如图1

2所示,第一半导体激光巴条1出光后,通过第一快轴准直镜2对快轴方向的发散角进行准直,准直后的快轴方向激光发散角由原来的60
°
量级缩减到10mrad量级。通过FAC准直后,再通过第一慢轴准直镜阵列3对慢轴方向的发散角进行准直,其中第一慢轴阵列3的个数与第一半导体激光巴条1上的发光点数相同,准直后的慢轴方向激光发散角由原来的10
°
量级缩减到50mrad量级。快慢轴发散角压缩后入射到第一体布拉格光栅VBG4进行外腔反馈,通过模式竞争实现窄线宽激光输出,输出后的激光再通过第一聚焦镜5聚焦,入射到工作物质上。其中,第一体布拉格光栅VBG4温控通过以下方式实现:设定某特定波长的目标激光输出,如766nm,则第一体布拉格光栅VBG4的衍射波长选择略大于766nm,如766.1nm,实际工作时,激光入射到第一体布拉格光栅VBG4上会产生热量,由于第一体布拉格光栅VBG4衍射波长存在温度漂移特性,输出波长会进一步增加,此时,通过TEC制冷器6的冷端给第一体布拉格光栅VBG4散热,通过控制第一体布拉格光栅VBG4的温度实现激光波长的调谐,这样在不影响光线宽的情况下,就可以将第一体布拉格光栅VBG的衍射波长调谐
到目标波长,并且通过温控也可以实现在目标波长附近输出,使得应用更为广泛。
[0022]但此种采用快轴准直镜组合慢轴准直镜阵列的结构,在准直后由于是采用慢轴阵列透镜组,因此,存在最大慢轴镜焦距的限制,整形后慢轴发散角依然会达到几十mrad量级,即50mrad量级。由于VBG具有角度选择性,且有效反馈可接收角度较小仅为毫弧度量级,因此,会对外腔反馈效率有较大的影响,甚至产生激光自激射效应出现多中心波长激光输出,影响光谱特性。此外,由于准直后的慢轴发射角较大且和准直后的快轴方向发散角相差约5倍,因此,聚焦后的光斑呈现长方形状,光功率密度较低。针对VBG衍射中心波长的温度漂移特性,采用TEC制冷器6进行温控存在一定的局限性。根据TEC制冷器6的工作特本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波长可调谐的窄线宽半导体激光器,包括依次顺序设置的半导体激光巴条、快轴准直镜、慢轴准直镜、体布拉格光栅VBG以及聚焦镜,其特征在于:所述半导体激光巴条后还设有45
°
光束变换器,所述45
°
光束变换器置于所述快轴准直镜背后,用于将快轴准直后光束的光强分布和发散角分布均翻转90
°
,所述体布拉格光栅VBG外...

【专利技术属性】
技术研发人员:单肖楠韩金樑
申请(专利权)人:长春慧眼神光光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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