一种显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括多个量子点发光二极管器件，所述量子点发光二极管器件包括依次设置的第一电极层、第一空穴功能层、量子点发光层、第一电子功能层和第二电极层，且所述第一空穴功能层和所述第一电子功能层均与所述量子点发光层接触；其中，至少部分的量子点发光二极管器件中，所述第一电子功能层与所述量子点发光层的接触面积大于所述第一空穴功能层与所述量子点发光层的接触面积。本申请的显示面板能够调节载流子注入性能，有利于解决由于电荷注入不平衡导致的器件寿命短的问题，进而大幅改善器件的光电性能。件的光电性能。件的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]胶体量子点是一种很有潜力的发光二极管(LED)发光材料。然而，虽然当前量子点已经具备了高效、稳定和高色纯度的光致发光性能，但想要把这些优异性能迁移到电致发光器件中仍然是十分具有挑战性的，这通常归因于量子点器件中不平衡的电荷注入以及界面激子猝灭。近年来，研究人员尝试了各种方案来解决这些问题，但结果都不太理想，尤其是蓝光量子点发光二极管(QLED)的寿命至今未能达到显示业界大规模应用的最低标准。
[0003]因此，本申请亟待提供一种调节载流子注入性能的显示面板，以解决量子点器件中电荷注入不平衡的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种显示面板，通过调控电子功能层和空穴功能层与量子点发光层的接触面积，使得电子和空穴的注入能够得到精细的调控，解决了QLED器件一直以来的注入不平衡的问题。
[0005]为了实现上述目的，本申请提供一种显示面板，包括多个量子点发光二极管器件，所述量子点发光二极管器件包括依次设置的第一电极层、第一空穴功能层、量子点发光层、第一电子功能层和第二电极层，且所述第一空穴功能层和所述第一电子功能层均与所述量子点发光层接触；其中，
[0006]至少部分的量子点发光二极管器件中，所述第一电子功能层与所述量子点发光层的接触面积大于所述第一空穴功能层与所述量子点发光层的接触面积。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，相邻的量子点发光二极管器件中，第一空穴功能层之间通过设置有第二隔离层而间隔设置，量子点发光层之间通过设置有第一隔离层而间隔设置，第一电子功能层之间通过设置有第三隔离层而间隔设置。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，相邻的量子点发光二极管器件中，第一空穴功能层之间通过设置有第二隔离层而间隔设置，第一电子功能层之间通过设置有第三隔离层而间隔设置；量子点发光层之间相互连接。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，相邻的量子点发光二极管器件中，所述量子点发光层之间通过设置有第一隔离层而间隔设置，所述第一空穴功能层之间相互连接，所述第一电子功能层之间相互连接。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电子功能层与所述量子点发光层的接触的表面形状为圆形，直径为90～110nm；所述第一空穴功能层与所述量子点发光层的接触的表面形状为圆形，直径为10～20nm。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一空穴功能层为空穴注入层或空穴传输层；所述第一电子功能层为电子注入层或电子传输层。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述第三隔离层的材料分别独立地选自二氧化硅材料和氮氧化硅材料中的一种或几种组合。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一空穴功能层为圆柱体结构。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电子功能层为圆柱体结构。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光层为圆柱体结构或圆台结构，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述第一空穴功能层接触，所述第二表面与所述第一电子功能层接触。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一表面的面积小于所述第二表面的面积。
[0017]本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
[0018]在衬底基板上形成一第一电极层；
[0019]在所述第一电极层上形成一第一空穴功能膜层；
[0020]在所述第一空穴功能膜层上形成一量子点发光膜层；
[0021]在所述量子点发光膜层上形成一第一电子功能膜层；
[0022]在所述第一电子功能膜层上形成一第二电极层；
[0023]其中，所述第一空穴功能膜层、所述量子点发光膜层和所述第一电子功能膜层中的至少一层进行图案化处理；使得所述第一电子功能膜层与所述量子点发光膜层的接触面积大于所述第一空穴功能膜层与所述量子点发光膜层的接触面积。图案化后的膜层具有若干独立单元，所述独立单元可以为圆柱体结构或圆台结构。
[0024]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光膜层的图案化处理，包括如下步骤：
[0025]采用绝缘材料在所述第一空穴功能膜层上形成一绝缘层膜层，在所述绝缘层膜层上涂布一层正性光刻胶，用第一掩膜版进行曝光处理，用显影液蚀刻得到图案，再用干蚀刻的方法将图案刻在绝缘层膜层部分，清洗去除光刻胶，形成第一隔离层；然后将量子点溶液填充入图案的蚀刻区域，形成若干量子点发光层，得到图案化后的量子点发光膜层，即获得若干个被第一隔离层分隔开的量子点发光层。图案化处理后，所述量子点发光层可以为圆柱体结构或圆台结构。
[0026]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一空穴功能膜层的图案化处理，包括如下步骤：
[0027]制备一第一空穴功能膜层，在形成的第一空穴功能膜层上涂布一层负性光刻胶，然后用第二掩膜版进行曝光处理，用显影液腐蚀出图案，再用干蚀刻的方法将图案刻在第一空穴功能膜层部分，形成若干第一空穴功能单元，接着用绝缘材料覆盖图案的蚀刻区域，最后清洗去除光刻胶，得到第二隔离层，获得图案化后的第一空穴功能膜层，即获得若干个被第二隔离层分隔开的第一空穴功能层。图案化处理后，所述第一空穴功能层可以为圆柱体结构。
[0028]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电子功能膜层的图案化处理，包括如下步骤：
[0029]在所述量子点发光膜层上旋涂一层第一电子功能膜层，然后在第一电子功能膜层上涂布一层负性光刻胶，用第三掩膜版进行曝光处理，用显影液腐蚀出图案，再用湿蚀刻的
方法将图案刻在第一电子功能膜层部分，形成若干第一电子功能单元；接着用绝缘材料覆盖图案的蚀刻区域，形成第三隔离层，最后清洗去除光刻胶，获得图案化后的第一电子功能膜层，即获得若干个被第三隔离层分隔开的第一电子功能层。图案化处理后，所述第一电子功能层可以为圆柱体结构。
[0030]可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘材料独立地选自二氧化硅材料和氮氧化硅材料中的一种或几种组合。
[0031]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一空穴功能层为空穴注入层或空穴传输层；所述第一电子功能层为电子注入层或电子传输层。
[0032]此外，本申请还提供一种显示装置，包括本申请实施例的显示面板。
[0033]本申请的有益效果在于：
[0034]本申请的量子点发光二极管器件能够调节载流子注入性能，有利于解决由于电荷注入不平衡导致的器件寿命短的问题，进而大幅改善QLED器件的光电性能。本申请的量子点发光二极管器件通过调控电子传输层和空穴传输层与量子点发光层的接触面积，使得电子和空穴的注入能够得到精细的调控，解决了QLED器件一直以来的注入不平衡的问题。
[0035]本申请通过改变电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括多个量子点发光二极管器件，所述量子点发光二极管器件包括依次设置的第一电极层、第一空穴功能层、量子点发光层、第一电子功能层和第二电极层，且所述第一空穴功能层和所述第一电子功能层均与所述量子点发光层接触；其中，至少部分的量子点发光二极管器件中，所述第一电子功能层与所述量子点发光层的接触面积大于所述第一空穴功能层与所述量子点发光层的接触面积。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻的量子点发光二极管器件中，第一空穴功能层之间通过设置有第二隔离层而间隔设置，量子点发光层之间通过设置有第一隔离层而间隔设置，第一电子功能层之间通过设置有第三隔离层而间隔设置。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻的量子点发光二极管器件中，第一空穴功能层之间通过设置有第二隔离层而间隔设置，第一电子功能层之间通过设置有第三隔离层而间隔设置；量子点发光层之间相互连接。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻的量子点发光二极管器件中，所述量子点发光层之间通过设置有第一隔离层...

【专利技术属性】
技术研发人员：江华，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：