一种电子封装方法及电子封装结构技术

本发明专利技术实施例公开一种电子封装方法及电子封装结构，该方法包括：提供一封装基板；在所述封装基板上、对应于所述空腔所在的第一蚀刻区域周边至少形成第一对准标记；以所述第一对准标记为蚀刻位置参考，对所述第一蚀刻区域进行光学蚀刻；在蚀刻出所述空腔之后，向所述空腔中嵌入重布线层基板，并使所述重布线层基板的顶部暴露；将晶粒单元一部分连接于所述重布线层基板上，将所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上，其中，所述晶粒单元位于所述重布线层基板及封装基板的上方。本发明专利技术便于实现光学位置对准，从而可以在一定程度上提高半导体封装加工精度。导体封装加工精度。导体封装加工精度。

【技术实现步骤摘要】
一种电子封装方法及电子封装结构


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种电子封装方法及电子封装结构。

技术介绍

[0002]半导体封装加工过程中，一些关键工艺步骤，例如光刻、BGA焊接等，离不开光学位置对准。以光刻工序为例，在光刻开始之前，需要对所使用的掩膜版上的图形区与下方用于复刻图案的基板之间相对位置进行对准校正，二者位置对准精度，关系掩膜版上的图形能否精准地转移复刻至下方的基板上，进而影响半导体封装加工精度。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术一个或多个实施例提供了一种电子封装方法及电子封装结构，便于实现光学位置对准，从而可以在一定程度上提高半导体封装加工精度。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种电子封装方法，包括：
[0005]提供一封装基板，用于在其至少一个表面上形成至少一个空腔；
[0006]在所述封装基板上、对应于所述空腔所在的第一蚀刻区域周边至少形成第一对准标记；
[0007]以所述第一对准标记为蚀刻位置参考，对所述第一蚀刻区域进行光学蚀刻；
[0008]在蚀刻出所述空腔之后，向所述空腔中嵌入重布线层基板，并使所述重布线层基板的顶部暴露；将晶粒单元一部分连接于所述重布线层基板上，将所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上，其中，所述晶粒单元位于所述重布线层基板及封装基板的上方。
[0009]可选的，所述对所述第一蚀刻区域进行光学蚀刻，包括：在所述封装基板上的第一蚀刻区域，通过激光镭射蚀刻或曝光显影蚀刻出至少一个空腔，至少一个所述空腔的底面暴露。
[0010]可选的，所述空腔为矩形或正方形空腔，所述第一对准标记至少包括两个，该两个第一对准标记呈对角设置。
[0011]可选的，所述方法还包括：在所述封装基板上、对应于所述空腔所在的第一蚀刻区域周边形成第二对准标记；所述在所述空腔中嵌入重布线层基板包括：在向所述空腔中嵌入重布线层基板过程中，以所述第二对准标记为安装位置参考，对所述重布线层基板在所述空腔中的安装位置进行校准定位。
[0012]可选的，所述第二对准标记至少包括两个，该两个第二对准标记呈对角设置；所述对所述重布线层基板在所述空腔中的安装位置进行校准定位，包括：基于至少两个所述第二对准标记，定位出该两个第二定位标识之间连线的中点；调整所述重布线层基板的中心点与所述中点相对准，且使所述重布线层基板的边缘与所述空腔的边缘对齐；在定位完成后，所述方法还包括：将所述重布线层基板放入所述空腔中，且位于所述空腔暴露的底面上。
[0013]可选的，所述方法还包括：在所述封装基板上、位于植球区域边缘形成第三对准标
记；所述植球区域位于所述第一蚀刻区域外围，用于在其上形成接合导电点，所述第三对准标记至少包括两个，至少两个所述第三对准标记呈对角设置于所述植球区域的边缘内侧；
[0014]在所述空腔中形成所述重布线层基板之后，所述方法还包括：根据至少两个所述第三定位标识，标定掩膜板上的电路图形对准所述封装基板和所述重布线层基板上的植球区域；基于所述掩膜版，在所述封装基板上的植球区域形成第一接合导电点，以及，在所述重布线层基板上的植球区域形成第二接合导电点；所述第一接合导电点和第二接合导电点分别用于与所述晶粒单元的接合面接合互联。
[0015]可选的，所述方法还包括：在所述封装基板上、位于所述植球区域外侧形成第四对准标记；所述第四对准标记至少包括两个，至少两个所述第四对准标记呈对角设置于所述植球区域的外侧，其中，至少两个所述第四对准标记的连线与至少两个所述第三对准标记的连线呈交叉设置；
[0016]所述将晶粒单元一部分连接于所述重布线层基板上，将所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上包括：在所述封装基板上的植球区域形成第一接合导电点，以及，在所述重布线层基板上的植球区域形成第二接合导电点之后，识别出所述第四对准标记；
[0017]基于所述第四对准标记，将所述晶粒单元的接合面分别对准下方的封装基板上的第一接合导电点和重布线层基板上的第二接合导电点；
[0018]将所述晶粒单元的一部分通过所述第一接合导电点附接至所述封装基板上上，以及，将所述晶粒单元的另一部分通过所述第二接合导电点附接至所述重布线层基板上。
[0019]可选的，所述晶粒单元至少包括：一个第一晶粒和一个第二晶粒，所述第一晶粒与第二晶粒上分别设有用于附接定位的定位标记点；
[0020]所述基于所述第四对准标记，将所述晶粒单元的接合面分别对准下方的封装基板上的第一接合导电点和重布线层基板上的第二接合导电点，包括：
[0021]基于所述第一晶粒上的定位标记点与所述至少两个第四对准标记的位置，确定所述第一晶粒相对于下方的所述封装基板和重布线层基板的初始位置；
[0022]根据所述初始位置，调整所述第一晶粒的接合面对准下方的封装基板的第一侧区域的第一接合导电点，以及对准下方重布线层基板的第一侧区域的第二接合导电点；
[0023]以及，调整所述第二晶粒的接合面对准下方的封装基板的第二侧区域的第一接合导电点，及对准下方重布线层基板的第二侧区域的第二接合导电点；其中，所述第一晶粒与第二晶粒并排间隔设置，第一侧区域与第二侧区域关于重布线层基板的对称轴对称。。
[0024]可选的，所述第一对准标记为几何特征图形，所述第一对准标记为形成于封装基板至少一个表面上的凹槽。
[0025]可选的，所述重布线层基板主要由交替堆叠的介质层和金属层构成，其中，各金属层层间相互耦合，所述介质层为绝缘材料。
[0026]第二方面，本专利技术实施例还提供一种电子封装结构，包括：封装基板，所述封装基板的至少一个表面上具有至少一个空腔，且暴露出至少一个所述空腔的底面；
[0027]第一对准标记，形成于所述封装基板的至少一个所述表面上，且位于所述空腔的周边；
[0028]重布线层基板；所述重布线层基板嵌入于所述空腔中，且位于所述空腔的底面上；
[0029]晶粒单元；所述晶粒单元的一部分连接于所述重布线层基板上，所述晶粒单元的
另一部分连接于所述封装基板上。
[0030]可选的，所述空腔为矩形或正方形空腔，所述第一对准标记至少包括两个，该两个第一对准标记呈对角设置。
[0031]可选的，所述第一对准标记包括：封闭几何图形，以及，位于所述封闭几何图形内的交叉线条。
[0032]可选的，所述第一对准标记为形成于所述封装基板的至少一个表面上的凹槽。
[0033]可选的，所述电子封装结构为芯片。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0035]图1为本申请一实施例中电子封装方法的流程示意图；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装方法，其特征在于，包括：提供一封装基板，用于在其至少一个表面上形成至少一个空腔；在所述封装基板上、对应于所述空腔所在的第一蚀刻区域周边至少形成第一对准标记；以所述第一对准标记为蚀刻位置参考，对所述第一蚀刻区域进行光学蚀刻；在蚀刻出所述空腔之后，向所述空腔中嵌入重布线层基板，并使所述重布线层基板的顶部暴露；将晶粒单元一部分连接于所述重布线层基板上，将所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上，其中，所述晶粒单元位于所述重布线层基板及封装基板的上方。2.根据权利要求1所述的电子封装方法，其特征在于，所述对所述第一蚀刻区域进行光学蚀刻，包括：在所述封装基板上的第一蚀刻区域，通过激光镭射蚀刻或曝光显影蚀刻出至少一个空腔，至少一个所述空腔的底面暴露。3.根据权利要求1所述的电子封装方法，其特征在于，所述空腔为矩形或正方形空腔，所述第一对准标记至少包括两个，该两个第一对准标记呈对角设置。4.根据权利要求1或2所述的电子封装方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述封装基板上、对应于所述空腔所在的第一蚀刻区域周边形成第二对准标记；所述在所述空腔中嵌入重布线层基板包括：在向所述空腔中嵌入重布线层基板过程中，以所述第二对准标记为安装位置参考，对所述重布线层基板在所述空腔中的安装位置进行校准定位。5.根据权利要求4所述的电子封装方法，其特征在于，所述第二对准标记至少包括两个，该两个第二对准标记呈对角设置；所述对所述重布线层基板在所述空腔中的安装位置进行校准定位，包括：基于至少两个所述第二对准标记，定位出该两个第二定位标识之间连线的中点；调整所述重布线层基板的中心点与所述中点相对准，且使所述重布线层基板的边缘与所述空腔的边缘对齐；在定位完成后，所述方法还包括：将所述重布线层基板放入所述空腔中，且位于所述空腔暴露的底面上。6.根据权利要求5所述的电子封装方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述封装基板上、位于植球区域边缘形成第三对准标记；所述植球区域位于所述第一蚀刻区域外围，用于在其上形成接合导电点，所述第三对准标记至少包括两个，至少两个所述第三对准标记呈对角设置于所述植球区域的边缘内侧；在所述空腔中形成所述重布线层基板之后，所述方法还包括：根据至少两个所述第三定位标识，标定掩膜板上的电路图形对准所述封装基板和所述重布线层基板上的植球区域；基于所述掩膜版，在所述封装基板上的植球区域形成第一接合导电点，以及，在所述重布线层基板上的植球区域形成第二接合导电点；所述第一接合导电点和第二接合导电点分别用于与所述晶粒单元的接合面接合互联。7.根据权利要求6所述的电子封装方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述封装基板上、位于所述植球区域外侧形成第四对准标记；所述第四对准标记至少包括两个，至少两
个所述第四对准标记呈对角设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜树安，钱晓峰，孟凡晓，逯永广，杨晓君，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：