抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板技术

本发明专利技术提供一种制造实现电路基板的高密度化的具有无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。是包含在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤、从基板的与第一面相反一侧的第二面供给树脂层除去液并且除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤的抗蚀图的形成方法、使用该抗蚀图的形成方法的电路基板的制造方法和电路基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。更 具体而言，涉及适合于电路基板的高密度化或布线图案的微细化的无连接盘或具有小连接盘宽度的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路 基板。
技术介绍
伴随着近年的电子仪器的小型、多功能化，电路基板也在进行高密度 化，或布线图案的微细化也在进展，作为实现这样的条件的机构，举出了电路基板的多层化。如图45所示，层叠多个布线层而形成的电路基板通 过一般称作贯通孔(贯通孔)31、转接孔(via hole) 32、间隙转接孔33 的用导电层覆盖内壁或者填充导电层的贯通孔、非贯通孔(以下将它们总 称为"孔")等细孔，进行各层间导通。图46是从上部观察贯通孔的概略图。在贯通孔3的周围形成称作连 接盘18的导电层。连接盘具有矩形、圆形、椭圆形、异形等各种，但是 因为占有面积或者设计方面的使用容易程度，常常使用圆形状的连接盘。 此外，为了与高密度化对应，无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔成为必 要。这里，连接盘宽度(Lw)在圆形连接盘的情况，意味着贯通孔周围的 环状导通宽度的最小值。如果开孔加工时的贯通孔的直径为DQ，圆形连接 盘的环状导体宽度的直径为D，无连接盘就意味着连接盘宽度Lw=(D- D0) /2是0，窄小连接盘宽度是指连接盘宽度Lw^ (D-Do) /2比0大，40ym 以下。作为制造电路基板的方法，知道消去法、附加法、半附加法。附加法 是在绝缘性基板的表面的非电路部设置抗蚀镀层，在相当于电路部的部分 用无电解镀处理等形成导电层的方法。虽然对于微细电路的形成是有利 的，但是用无电解镀形成全部导电层，所以具有制造成本高的问题。半附加法是在表面具有薄的导电层的绝缘性基板的非电路部设置镀 抗蚀层，在相当于电路部的部分用电解镀处理形成导电层，除去非电路部 的抗蚀镀层后，通过光刻处理，除去非电路部的薄的导电层，形成电路的 方法。由于能使用能进行高速作业的电解镀，作为微细电路形成方法，能 优先使用。此外，与附加法相比，制造成本便宜。可是，通过电解镀，难 以均匀地形成全部的布线图案的厚度，具有质量管理难的问题。消去法是在表面设置导电层的绝缘性基板的电路部设置蚀刻防止层， 蚀刻除去露出的非电路部的导电层，形成电路的方法。由于产生导电层的 侧蚀刻引起的刻线的变细等，所以关于微细电路的形成的方面，与其他两 个方法相比，具有界限，但是可以用简单的处理能制作电路基板，生产性 高，制造成本最便宜，最广泛使用。通过丝网印刷法、具有使用感光性材料的曝光显影步骤的金属表面光 刻法、喷墨法等，形成蚀刻防止层和抗蚀镀层。制造无连接盘或窄小连接 盘宽度的孔时，孔的开孔加工或丝网印刷法、曝光步骤、喷墨法等步骤的 对位是重要的，特别是在高密度电路基板中要求的无连接盘或窄小连接盘 宽度的孔中，非常高的对位精度成为必要。连接盘最希望在孔的全部方向 具有均匀的宽度的形状，即孔和连接盘是同心圆，但是，如果对位不正确， 就会有孔和连接盘不成为同心圆的问题。举出用半附加法制造电路基板的方法的一个例子。首先，在绝缘性基板l (图47)开称作通孔(through hole)的贯通孔3 (图48)，在包含贯 通孔内壁的表面设置薄的第一导电层12 (图49)。接着，在非电路部形成 抗蚀镀层36 (图50)。接着，通过电解镀处理，在第一导电层12露出的 部分的表面形成第二导电层13 (图51)。然后，除去抗蚀镀层36 (图52)， 光刻除去抗蚀镀层36下部的薄的第一导电层12，形成电路基板(图53)。为了应对高密度化，用金属表面光刻法形成抗蚀镀层。作为金属表面 光刻法， 一般是使用负片型(光交联型)或正片型(光分解型)光刻胶的 方法。在半附加法中，由于通过电解镀处理，在贯通孔内壁设置第二导电 层，所以在贯通孔上和贯通孔内壁不残存抗蚀镀层的状态是必要的。使用负片型(光交联型)干膜光刻胶时，如图54所示，用遮光部42 将贯通孔和连接盘部遮光，负片型(光交联型)干膜光刻胶38不交联，除去未反应干膜光刻胶，成为在贯通孔上和连接盘部没有抗蚀镀层的状 态。在这些步骤中，贯通孔的孔加工或曝光步骤的对位变得重要，特别是 在高密度电路基板中要求的无连接盘或窄小连接盘宽度的孔中，非常高的 对位精度成为必要。例如如图55 (b)所示，在连接盘宽度较大时，即使曝光掩模的对位 时的位置偏移只发生距离x，贯通孔也变成完全遮光的状态，负片型(光 交联型)干膜光刻胶不交联。可是，如图55 (a)所示，窄小连接盘宽度 的情况，如果曝光掩模的对位时的位置偏移发生相同的距离x，贯通孔就 从连接盘偏移，具有在贯通孔的全部外周，无法形成窄小连接盘的问题。制造无连接盘的贯通孔时，为了扩大对位精度的允许范围，如图56 所示，按照只将负片型(光交联型)干膜光刻胶38的贯通孔上中央部不 曝光的方式设置遮光部42，如图57所示，将抗蚀镀层36向贯通孔上中央 部突出的状态的方法是众所周知的(例如专利文献1)。如图58 (b)所示， 大孔径的贯通孔3的情况，即使遮光部42发生只有距离y的位置偏移， 成为贯通孔3的一部分遮光的状态。可是，如图58 (a)所示，小孔径的 贯通孔3的情况，如果遮光部42发生相同的距离y的位置偏移，遮光部 42就从贯通孔3偏移，所以贯通孔上的负片型(光交联型)干膜光刻胶 38交联，产生贯通孔上的抗蚀镀层36不被除去的问题。开孔加工的精度、基板的伸縮、曝光用光掩模的尺寸变化等成为原因， 在对位精度中存在界限是实际情况。此外，形成在高密度电路基板上的贯 通孔的直径是多种，孔数也极多，所以非常难以对全部贯通孔，正确进行 对位。因此，尽管在高密度电路基板要求无连接盘或窄小连接盘宽度的贯 通孔，但是窄小连接盘宽度的贯通孔的情况，为了可靠地进行贯通孔的遮 光，负片型(光交联型)干膜光刻胶不交联，发生必须较大地设计连接盘 宽度的问题(例如专利文献2)。此外，在无连接盘的贯通孔的情况，为了 可靠地进行贯通孔的遮光，负片型(光交联型)干膜光刻胶不交联，就必 须将遮光部设计得小，因此，镀液变得难以侵入贯通孔内，发生不被镀的 问题。作为形成抗蚀镀层的方法，也知道电沉积光刻胶的方法。它是通过电 沉积涂敷法，在包含贯通孔内壁的导电层上一样地设置电沉积光刻胶层，接着通过光掩模进行曝光，显影，由此设置抗蚀镀层的方法。在电沉积光刻胶中具有负片型(光交联型)和正片型(光分解型)。 正片型(光分解型)的情况，有必要曝光，使光刻胶分解，但是在圆柱形 状的贯通孔中，无法使贯通孔内部完全曝光。因此，无法使贯通孔内部的 电沉积光刻胶完全分解，无法作为抗蚀镀层使用。而负片型(光交联型)电沉积光刻胶的情况，由于没必要使贯通孔内 部曝光，所以说作为使用没有连接盘的图案的光掩模，形成无连接盘的贯 通孔的机构，是有效的。由于在圆柱形状的贯通孔中，光不进入，所以能 除去贯通孔内壁的负片型(光交联型)光刻胶层。但是，在贯通孔的角部 具有锥形形状时，光也部分地进入贯通孔内部，存在无法除去贯通孔内壁 的全部的抗蚀镀层的问题。通过消去法制造电路基板时，用蚀刻防止层保护预先在孔内壁设置的 导电层，在蚀刻步骤中，有必要不除去孔内壁的导电层地由抗蚀镀层来保 护。使用负片型(光交联型)干膜光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀图的形成方法，包括：　在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤；和　从基板的与第一面相反的第二面供给树脂层除去液，除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：金田安生，入泽宗利，丰田裕二，小室丰一，深濑克哉，酒井丰明，
申请(专利权)人：三菱制纸株式会社，新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]