一种微电流放大器制造技术

本发明专利技术提供了一种微电流放大器，包括偏压电路、速度提升电路及电流放大电路，偏压电路包括至少一组第一PMOS管，所述第一PMOS管包括PMOS管M1及PMOS管M2，所述PMOS管M1的漏极与所述PMOS管M2的源极电连接，所述PMOS管M1的闸极与所述PMOS管M2的漏极电连接，所述PMOS管M2的闸极与电流输入端电连接且所述PMOS管M2的漏极通过电阻R6与电流输入端电连接，速度提升电路包括至少一组第二PMOS管，所述第二PMOS管包括PMOS管M3及PMOS管M4，所述PMOS管M3的漏极与所述PMOS管M4的源极电连接，所述PMOS管M3的闸极与所述PMOS管M1的闸极电连接，所述PMOS管M4的闸极及漏极均与电流输入端电连接，电流放大电路与所述速度提升电路的输出端电连接。本发明专利技术可以提高响应速度，改善上升以及下降的迟滞时间。时间。时间。

【技术实现步骤摘要】
一种微电流放大器


[0001]本专利技术涉及电子电路
，具体而言，涉及一种微电流放大器。

技术介绍

[0002]电流放大器一般是由电源、电力电子电路、感性负载、控制器等四个部分构成，采用输出电流闭环控制。理想电流放大器要求输出电流im(t)完全复现电流指令iref(t)，即im(t)＝iref(t)。由于感性负载电流不能突变的特性，感性负载对电流表现为惯性环节，这种惯性往往会导致负载电流变化滞后于电流指令变化，对于电流响应要求较高的系统这是不利的。
[0003]申请人经过检索发现一些现有技术，如申请号为201410704281.9的中国专利技术专利公开了一种微电流放大器，其具有漂移小、寿命长、体积小、功耗小等优点,较动电容式微电流放大器具有响应时间快、价廉、结构简单、容易制造等优点。又如申请号为200910305971.6的中国专利技术专利公开了一种电流灵敏放大器，其解决了由于位线电容增大使位线达到一定的电位差的速度减慢的问题，采用列选信号电路使在节点的电压差达到一定值之前只受电流传输级的一对PMOS管的影响，提高了可靠性。再如申请号为201320891376.7的中国专利技术专利公开了一种微电流放大器，其微电流测量电路噪声低、漂移小、响应时间短、线性好，满足了高分辨质谱计测量系统控制要求。
[0004]然而，对于电流放大器，其在实际应用中所存在的许多亟待解决的技术问题(比如如何提高响应速度，以改善上升下降迟滞时间)，必须从电路设计上提出完善的技术解决方案。

技术实现思路

[0005]基于此，为了提高电流放大器响应速度，以改善上升下降迟滞时间，本专利技术提供了一种微电流放大器，其具体技术方案如下：
[0006]一种微电流放大器，其包括偏压电路、速度提升电路以及电流放大电路。
[0007]偏压电路包括至少一组第一PMOS管，所述第一PMOS管包括PMOS管M1以及PMOS管M2，所述PMOS管M1的衬底、所述PMOS管M1的源极以及所述PMOS管M2的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M1的漏极与所述PMOS管M2的源极电连接，所述PMOS管M1的闸极与所述PMOS管M2的漏极电连接，所述PMOS管M2的闸极与电流输入端电连接且所述PMOS管M2的漏极通过电阻R6与电流输入端电连接。
[0008]速度提升电路包括至少一组第二PMOS管，所述第二PMOS管包括PMOS管M3以及PMOS管M4，所述PMOS管M3的衬底、所述PMOS管M3的源极以及所述PMOS管M4的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M3的漏极与所述PMOS管M4的源极电连接，所述PMOS管M3的闸极与所述PMOS管M1的闸极电连接，所述PMOS管M4的闸极以及漏极均与电流输入端电连接。
[0009]电流放大电路与所述速度提升电路的输出端电连接，用于对所述速度提升电路的输出电流进行放大处理。
[0010]对于常规的微电流放大器，其一般包括偏压电路以及电流放大电路，存在上升时间以及下降迟滞时间较大的问题，整体响应速度不太理想。本申请通过在偏压电路与电流放大电路之间，设置速度提升电路，可以提高响应速度，改善上升以及下降的迟滞时间。
[0011]进一步地，所述微电流放大器还包括滞后性数位转换电路。
[0012]所述滞后性数位转换电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M10、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15以及PMOS管M18，所述PMOS管M5的源极、所述PMOS管M5的衬底、所述PMOS管M6的衬底、所述PMOS管M14的源极、所述PMOS管M15的源极以及所述PMOS管M15的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M5的漏极、所述PMOS管M6的源极以及所述PMOS管M13的源极均与所述PMOS管M13的衬底电连接，所述PMOS管M6的漏极、所述PMOS管M7的源极、所述PMOS管M13的闸极、所述PMOS管M14的闸极、所述PMOS管M15的闸极均与所述PMOS管M18的闸极电连接，所述PMOS管M7的衬底、所述PMOS管M10的衬底、所述PMOS管M10的漏极、所述PMOS管M13的漏极、所述PMOS管M18的衬底以及所述PMOS管M18的漏极均接地，所述PMOS管M7的漏极、所述PMOS管M10的源极、所述PMOS管M14的漏极均与所述PMOS管M14的衬底电连接，所述PMOS管M15的漏极与所述PMOS管M18的源极电连接，所述PMOS管M5、所述PMOS管M6、所述PMOS管M7以及所述PMOS管M10的闸极均与所述电流放大电路的输出端电连接。
[0013]进一步地，所述电流放大电路包括至少一组第三PMOS管，所述第三PMOS管包括PMOS管M8以及PMOS管M9，所述PMOS管M8的衬底、所述PMOS管M8的源极以及所述PMOS管M9的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M8的漏极与所述PMOS管M9的源极电连接，所述PMOS管M8的的闸极与所述PMOS管M3的闸极电连接，所述PMOS管M9的闸极与所述PMOS管M4的闸极电连接，所述PMOS管M9的漏极分别与所述PMOS管M5、所述PMOS管M6、所述PMOS管M7以及所述PMOS管M10的闸极电连接。
[0014]进一步地，所述电流放大电路包括至少一组第四PMOS管，所述第四PMOS管包括PMOS管M5、PMOS管M6以及PMOS管M7，所述PMOS管M5的衬底、所述PMOS管M5的源极以及所述PMOS管M6的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M5的漏极与所述PMOS管M6的源极电连接，所述PMOS管M5的闸极与所述PMOS管M1的闸极电连接，所述PMOS管M6的闸极与所述PMOS管M2的闸极电连接，所述PMOS管M6的漏极、所述PMOS管M7的源极均与所述PMOS管M7的闸极电连接，所述PMOS管M7的衬底以及漏极均接地。
[0015]进一步地，所述VDD电源包括电压源、电阻R4以及电容C1，所述电压源通过所述电阻R4与所述电容的一端电连接，所述电容C1的另一端接地。
[0016]进一步地，所述速度提升电路包括19组第二PMOS管。
附图说明
[0017]从以下结合附图的描述可以进一步理解本专利技术。图中的部件不一定按比例绘制，而是将重点放在示出实施例的原理上。在不同的视图中，相同的附图标记指定对应的部分。
[0018]图1是本专利技术一实施例中一种微电流放大器的整体电路示意图；
[0019]图2是本专利技术另一实施例中一种微电流放大器的整体电路示意图；
[0020]图3是本专利技术另一实施例中一种微电流放大器的滞后性数位转换电路的电路示意图；
[0021]图4是本专利技术另一实施例中一种微电流放大器的光传感器模型的电路示意图；
[0022]图5是常规电流放大器的电流仿真放大波形图；
[0023]图6是本专利技术实施例中一种微电流放大器的电流仿真放大波形图；
[0024]图7是本专利技术实施例中另一种微电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电流放大器，其特征在于，所述微电流放大器包括：偏压电路，包括至少一组第一PMOS管，所述第一PMOS管包括PMOS管M1以及PMOS管M2，所述PMOS管M1的衬底、所述PMOS管M1的源极以及所述PMOS管M2的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M1的漏极与所述PMOS管M2的源极电连接，所述PMOS管M1的闸极与所述PMOS管M2的漏极电连接，所述PMOS管M2的闸极与电流输入端电连接且所述PMOS管M2的漏极通过电阻R6与电流输入端电连接；速度提升电路，包括至少一组第二PMOS管，所述第二PMOS管包括PMOS管M3以及PMOS管M4，所述PMOS管M3的衬底、所述PMOS管M3的源极以及所述PMOS管M4的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M3的漏极与所述PMOS管M4的源极电连接，所述PMOS管M3的闸极与所述PMOS管M1的闸极电连接，所述PMOS管M4的闸极以及漏极均与电流输入端电连接；以及电流放大电路，与所述速度提升电路的输出端电连接，用于对所述速度提升电路的输出电流进行放大处理。2.如权利要求1所述的一种微电流放大器，其特征在于，所述微电流放大器还包括：滞后性数位转换电路，包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M10、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15以及PMOS管M18，所述PMOS管M5的源极、所述PMOS管M5的衬底、所述PMOS管M6的衬底、所述PMOS管M14的源极、所述PMOS管M15的源极以及所述PMOS管M15的衬底均与VDD电源电连接，所述PMOS管M5的漏极、所述PMOS管M6的源极以及所述PMOS管M13的源极均与所述PMOS管M13的衬底电连接，所述PMOS管M6的漏极、所述PMOS管M7的源极、所述PMOS管M13的闸极、所述PMOS管M14的闸极、所述PMOS管M15的闸极均与所述PMOS管M18的闸极电连接，所述PMOS管M7的衬底、所述PMOS管M10的衬底、所述PMOS管M10的漏极、所述PMOS管M13的漏极、所述PMOS管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓自然，黄宇传，李国元，姜亚敏，
申请(专利权)人：佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司，
类型：发明
国别省市：