一种防浪涌冲击电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种防浪涌冲击电路，属于集成电路领域，包括浪涌缓冲电路和延时启动电路。浪涌缓冲电路用于上电启动瞬间减缓大电流对电路的冲击作用；延时启动电路用于延迟开关管的启动，在电路正常工作后切断所述浪涌缓冲电路，降低功耗。本实用新型专利技术克服了现有设计电路效率低下、耗能较大的问题；并且不需增加辅助电路，提高了电路稳定性，降低了电路成本。降低了电路成本。降低了电路成本。

【技术实现步骤摘要】
一种防浪涌冲击电路


[0001]本技术涉及集成电路
，特别涉及一种防浪涌冲击电路。

技术介绍

[0002]在电子应用行业中，对防浪涌冲击电路设计有较高的要求，随着整个电子行业的蓬勃发展以及电子技术的不断进步，防浪涌冲击电路的应用也越来越广泛，因此，亟需一种防浪涌冲击电路，以克服现有设计电路效率低下的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种防浪涌冲击电路，以解决现有设计电路效率低下、耗能较大的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供了一种防浪涌冲击电路，包括浪涌缓冲电路和延时启动电路；
[0005]所述浪涌缓冲电路用于上电启动瞬间减缓大电流对电路的冲击作用；
[0006]所述延时启动电路用于延迟开关管的启动，在电路正常工作后切断所述浪涌缓冲电路，降低功耗。
[0007]在一种实施方式中，所述浪涌缓冲电路由热敏电阻NTC1构成。
[0008]在一种实施方式中，所述延时启动电路由开关管Q1和电容C1、电阻R1构成；
[0009]所述热敏电阻NTC1的一端同时与输入信号VIN、所述电容C1的第一端和所述开关管Q1的源端相连，所述热敏电阻NTC1的另一端与负载LOAD的一端、所述开关管Q1的漏端相连；所述开关管Q1的栅端同时连接所述电容C1的第二端和所述电阻R1的第一端，所述电阻R1的第二端和所述负载LOAD的另一端均接地。
[0010]在一种实施方式中，所述开关管Q1为PMOS管。
[0011]在一种实施方式中，所述电容C1和所述电阻R1组成RC电路，通过所述RC电路的参数调整开关管Q1的开启时间。
[0012]在本技术提供的一种防浪涌冲击电路中，浪涌缓冲电路用于上电启动瞬间减缓大电流对电路的冲击作用；延时启动电路用于延迟开关管的启动，在电路正常工作后切断所述浪涌缓冲电路，降低功耗。本技术克服了现有设计电路效率低下、耗能较大的问题；并且不需增加辅助电路，提高了电路稳定性，降低了电路成本。
附图说明
[0013]图1是本技术提供的一种防浪涌冲击电路结构示意图。
具体实施方式
[0014]以下结合附图和具体实施例对本技术提出的一种防浪涌冲击电路作进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非
常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0015]本技术提供一种防浪涌冲击电路，如图1所示，包括浪涌缓冲电路、延时启动电路两部分组成。所述浪涌缓冲电路用于上电的瞬间缓冲电流；所述延时启动电路用于延迟PMOS管的启动。
[0016]所述浪涌缓冲电路由热敏电阻NTC1构成，延时启动电路由PMOS管Q1和电容C1、电阻R1构成；另外，电容C1、电阻R1组成RC电路。所述热敏电阻NTC1的一端同时与输入信号VIN、所述电容C1的第一端和所述PMOS管Q1的源端相连，所述热敏电阻NTC1的另一端与负载LOAD的一端、所述PMOS管Q1的漏端相连；所述PMOS管Q1的栅端同时连接所述电容C1的第二端和所述电阻R1的第一端，所述电阻R1的第二端和所述负载LOAD的另一端均接地。
[0017]所述浪涌缓冲电路的工作原理为：当设备上电后，由于热敏电阻NTC1具有温度低时阻抗大的特性，因此上电瞬间电流较小，随着热敏电阻NTC1温度的上升其阻抗逐渐降低，最终达到稳定工作状态。
[0018]上述描述仅是对本技术较佳实施例的描述，并非对本技术范围的任何限定，本
的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防浪涌冲击电路，其特征在于，包括浪涌缓冲电路和延时启动电路；所述浪涌缓冲电路用于上电启动瞬间减缓大电流对电路的冲击作用；所述延时启动电路用于延迟开关管的启动，在电路正常工作后切断所述浪涌缓冲电路，降低功耗。2.如权利要求1所述的防浪涌冲击电路，其特征在于，所述浪涌缓冲电路由热敏电阻NTC1构成。3.如权利要求2所述的防浪涌冲击电路，其特征在于，所述延时启动电路由开关管Q1和电容C1、电阻R1构成；所述热敏电阻NTC1的一端同时与输入信号VIN、所述电容C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙春龙，王金刚，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：新型
国别省市：