一种半导体切割方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体切割方法。所述切割方法包括如下步骤：(1)沿着切割磨轮的切割方向依次将半导体芯片废料和待切割半导体芯片并排接触放置在机台上；(2)开启切割机器，切割磨轮空转，然后切割磨轮沿着切割方向依次对半导体芯片废料和待切割半导体芯片进行切割，得到切割后的半导体芯片；所述半导体芯片废料的切割深度为0.8

【技术实现步骤摘要】
一种半导体切割方法


[0001]本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种半导体切割方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片的切割是加工中的重要工艺，随着芯片体积逐渐变小，其切割的难度也逐渐变大。走刀位的宽度也越来越窄，磨轮的厚度也由66um减少到30um。由于磨轮变薄，其振幅也变大，因而在切割的过程中，在磨轮在切入芯片时，在切的入口两侧会形成崩裂，因而会给产品造成损失。以往的解决办法是调整磨轮的转数和进给速度，然而，这些方法对于问题都没有太大的改善。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术的缺点，本专利技术提供一种半导体切割方法。本专利技术借助半导体的边角废料，利用废料来加长磨轮的行程，从而使得边角废料承受一定的力，从而减少芯片磨轮入口处的崩裂。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种半导体切割方法，包括如下步骤：
[0005](1)沿着切割磨轮的切割方向依次将半导体芯片废料和待切割半导体芯片并排接触放置在机台上；
[0006](2)开启切割机器，切割磨轮空转，然后切割磨轮沿着切割方向依次对半导体芯片废料和待切割半导体芯片进行切割，得到切割后的半导体芯片；所述半导体芯片废料的切割深度为0.8
‑
2.0mm，所述待切割半导体芯片的切割深度为6
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12mm，所述切割磨轮的半径为300
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400mm。
[0007]本专利技术借助半导体芯片废料与待切割半导体芯片并排接触放置，使切割磨轮在切割过程中首先切入半导体边角废料，利用废料来加长磨轮的行程，从而使得边角废料承受一定的力，从而减少芯片磨轮入口处的崩裂。另外，本方对切割磨轮的半径、以及对半导体芯片废料与待切割半导体芯片的切割深度进行优化调整，发现切割磨轮的半径、以及半导体芯片废料与待切割半导体芯片的切割深度在本专利技术上述限定范围内，切割后的半导体芯片崩裂现象减少，坏品率较少。
[0008]作为本专利技术的优选实施方式，所述半导体芯片废料和待切割半导体芯片的材料成分相同。
[0009]保持半导体芯片废料和待切割半导体芯片的材料成分一致，能够减少磨轮前端在进入待切割半导体芯片时，由于材料性质不同而导致振幅发生变化，进而引起崩裂现象。
[0010]作为本专利技术的优选实施方式，所述半导体芯片废料的切割深度为0.8
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1.2mm，待切割半导体芯片的切割深度为6
‑
10mm，所述切割磨轮的半径为300
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350mm。
[0011]本专利技术所述切割磨轮的半径、以及半导体芯片废料与待切割半导体芯片的切割深度在上述限定范围内，切割后的半导体芯片崩裂现象相对减少，坏品率较低为1.5％以下。
[0012]作为本专利技术的优选实施方式，所述半导体芯片废料的切割深度为0.8
‑
0.9mm，待切割半导体芯片的切割深度为6
‑
7mm，所述切割磨轮的半径为300mm。
[0013]本专利技术通过对所述切割磨轮的半径、以及半导体芯片废料与待切割半导体芯片的切割深度进行优化，发现上述参数在上述限定范围内，切割后的半导体芯片的坏品率最低为0.05％以下。
[0014]作为本专利技术的优选实施方式，所述步骤(2)中，切割磨轮空转的主轴转数为18000rpm，进给速度为1.5mm/秒。
[0015]作为本专利技术的优选实施方式，所述步骤(2)中，切割磨轮沿着切割方向切割的半导体芯片废料的进给速度为0.5
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0.8mm/秒。
[0016]作为本专利技术的优选实施方式，所述步骤(2)中，切割磨轮沿着切割方向切割的待切割半导体芯片的进给速度为0.2
‑
0.5mm/秒。
[0017]所述磨轮的主体部分尚且在半导体芯片废料中，而其前端从废料出来接触到待切割半导体芯片的时候，此时将进给速度降到0.2
‑
0.5mm/秒。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术借助半导体芯片废料与待切割半导体芯片并排接触放置，使切割磨轮在切割过程中首先切入半导体边角废料，利用废料来加长磨轮的行程，从而使得边角废料承受一定的力，从而减少芯片磨轮入口处的崩裂。同时本专利技术对切割磨轮的半径、以及对半导体芯片废料与待切割半导体芯片的切割深度进行优化调整，最终得到的切割后的半导体芯片的坏品率少。
具体实施方式
[0019]为更好地说明本专利技术的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。
[0020]实施例1
‑
8和对比例1
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5所述半导体芯片废料和待切割半导体芯片的材料成分相同。
[0021]实施例1
[0022]本专利技术一种半导体切割方法，包括如下步骤：
[0023](1)沿着切割磨轮的切割方向依次将半导体芯片废料和待切割半导体芯片并排接触放置在机台上；
[0024](2)开启切割机器，切割磨轮空转，切割磨轮空转的主轴转数为18000rpm，进给速度为1.5mm/秒；然后切割磨轮沿着切割方向依次对半导体芯片废料和待切割半导体芯片进行切割，得到切割后的半导体芯片；所述半导体芯片废料的切割深度为0.8mm，所述待切割半导体芯片的切割深度为6mm，所述切割磨轮的半径为300mm；
[0025]所述步骤(2)中，切割磨轮沿着切割方向切割的半导体芯片废料的进给速度为0.6mm/秒；切割磨轮沿着切割方向切割的待切割半导体芯片的进给速度为0.3mm/秒。
[0026]实施例2
[0027]本专利技术一种半导体切割方法，包括如下步骤：
[0028](1)沿着切割磨轮的切割方向依次将半导体芯片废料和待切割半导体芯片并排接触放置在机台上；
[0029](2)开启切割机器，切割磨轮空转，切割磨轮空转的主轴转数为18000rpm，进给速
度为1.5mm/秒；然后切割磨轮沿着切割方向依次对半导体芯片废料和待切割半导体芯片进行切割，得到切割后的半导体芯片；所述半导体芯片废料的切割深度为0.9mm，所述待切割半导体芯片的切割深度为7mm，所述切割磨轮的半径为300mm；
[0030]所述步骤(2)中，切割磨轮沿着切割方向切割的半导体芯片废料的进给速度为0.6mm/秒；切割磨轮沿着切割方向切割的待切割半导体芯片的进给速度为0.3mm/秒。
[0031]实施例3
[0032]本专利技术一种半导体切割方法，包括如下步骤：
[0033](1)沿着切割磨轮的切割方向依次将半导体芯片废料和待切割半导体芯片并排接触放置在机台上；
[0034](2)开启切割机器，切割磨轮空转，切割磨轮空转的主轴转数为18000rpm，进给速度为1.5mm/秒；然后切割磨轮沿着切割方向依次对半导体芯片废料和待切割半导体芯片进行切割，得到切割后的半导体芯片；所述半导体芯片废料的切割深度为1.0mm，所述待切割半导体芯片的切割深度为8mm，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体切割方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)沿着切割磨轮的切割方向依次将半导体芯片废料和待切割半导体芯片并排接触放置在机台上；(2)开启切割机器，切割磨轮空转，然后切割磨轮沿着切割方向依次对半导体芯片废料和待切割半导体芯片进行切割，得到切割后的半导体芯片；所述半导体芯片废料的切割深度为0.8
‑
2.0mm，所述待切割半导体芯片的切割深度为6
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12mm，所述切割磨轮的半径为300
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400mm。2.如权利要求1所述半导体切割方法，其特征在于，所述半导体芯片废料和待切割半导体芯片的材料成分相同。3.如权利要求1所述半导体切割方法，其特征在于，所述半导体芯片废料的切割深度为0.8
‑
1.2mm，待切割半导体芯片的切割深度为6
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10mm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世哲，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：