改善晶圆翘曲的方法技术

本发明专利技术提供一种改善晶圆翘曲的方法，在待改善的晶圆的背面形成与晶圆的应力类型相同的辅助薄膜，以抵消掉晶圆的应力，从而改善晶圆的翘曲度，降低因晶圆的翘曲造成的如报警、裂纹、破片等风险，以提高生产效率及生产良率。以提高生产效率及生产良率。以提高生产效率及生产良率。

【技术实现步骤摘要】
改善晶圆翘曲的方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，涉及一种改善晶圆翘曲的方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制作中需要在晶圆上进行多种工艺操作，如刻蚀、沉积等工艺步骤，以在晶圆上根据功能需要加工制作各种电路元件结构，以制备具有特定电性功能的集成电路产品。
[0003]在半导体集成电路的制作过程中，由于不同工艺的特性，晶圆会由于受热等原因而产生应力变化，应力的产生会造成晶圆翘曲的现象，即由于受热等原因造成的晶圆不均匀收缩发生变形的现象。翘曲的程度越大则变形量越大，且晶圆形变对后续工艺制程会造成不良影响，如导致晶圆在机台中报警频率增加，甚至造成晶圆裂纹(crack)、晶圆破片等缺陷，使得生产效率及生产良率降低。
[0004]目前，改善晶圆翘曲降低晶圆应力的方法通常为改变工艺过程中的一些参数，如膜层厚度、工艺温度、改变工艺流程顺序等，但该操作仍难以满足需求。
[0005]因此，提供一种可满足需求的改善晶圆翘曲的方法，实属必要。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善晶圆翘曲的方法，用于解决现有技术中晶圆翘曲的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善晶圆翘曲的方法，包括以下步骤：
[0008]提供基底；
[0009]于所述基底的正面沉积工艺薄膜，构成待改善的晶圆；
[0010]检测所述晶圆的翘曲形状，以确定所述晶圆的应力类型；
[0011]于所述基底的背面形成辅助薄膜，且所述辅助薄膜与所述晶圆的应力类型相同，以改善所述晶圆的翘曲度。
[0012]可选地，所述应力类型包括拉应力或压应力。
[0013]可选地，当所述应力类型为压应力时，所述辅助薄膜包括压应力氮化硅薄膜。
[0014]可选地，当所述应力类型为拉应力时，所述辅助薄膜包括拉应力氮化硅薄膜。
[0015]可选地，所述辅助薄膜还包括位于所述压应力氮化硅薄膜或所述拉应力氮化硅薄膜表面的氧化硅层。
[0016]可选地，还包括去除所述辅助薄膜的步骤。
[0017]可选地，去除所述辅助薄膜的方法包括CMP法。
[0018]可选地，还包括以下步骤：
[0019]检测改善后的所述晶圆的翘曲度；
[0020]将所述翘曲度与标准翘曲度阈值进行比对，当所述翘曲度超出所述标准翘曲度阈
值时，于所述基底的背面重复形成所述辅助薄膜；
[0021]再次检测改善后的所述晶圆的翘曲度，直至符合所述标准翘曲度阈值。
[0022]可选地，所述基底包括Si基底、GaN基底、SiC基底或玻璃基底。
[0023]可选地，所述辅助薄膜覆盖所述晶圆的整个背面或部分区域。
[0024]如上所述，本专利技术的改善晶圆翘曲的方法，在待改善的所述晶圆的背面形成与所述晶圆的应力类型相同的所述辅助薄膜，以抵消掉所述晶圆的应力，从而改善所述晶圆的翘曲度，降低因所述晶圆的翘曲造成的如报警、裂纹、破片等风险，以提高生产效率及生产良率。
附图说明
[0025]图1显示为本专利技术实施例中改善晶圆翘曲的流程示意图。
[0026]图2a显示为改善前晶圆的结构示意图。
[0027]图2b显示为改善后晶圆的结构示意图。
[0028]图3a显示为本专利技术实施例中在基底背面形成压应力氮化硅薄膜及氧化硅层前后的翘曲量对比曲线。
[0029]图3b显示为本专利技术实施例中在基底背面形成拉应力氮化硅薄膜及氧化硅层前后的翘曲量对比曲线。
[0030]图4a显示为改善前晶圆在经过热处理后的扫描电镜图。
[0031]图4b显示为改善后晶圆在经过热处理后的扫描电镜图。
[0032]元件标号说明
[0033]100
‑
基底；200
‑
工艺薄膜；300
‑
辅助薄膜；a、b、c、d
‑
改善前晶圆的翘曲曲线；a
’
、b
’
、c
’
、d
’‑
改善后晶圆的翘曲曲线。
具体实施方式
[0034]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0035]如在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0036]为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于
……
之间”表示包括两端点值。
[0037]在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
[0038]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
[0039]如图1，本实施例提供一种改善晶圆翘曲的方法，包括以下步骤：
[0040]S1：提供基底；
[0041]S2：于所述基底的正面沉积工艺薄膜，构成待改善的晶圆；
[0042]S3：检测所述晶圆的翘曲形状，以确定所述晶圆的应力类型；
[0043]S4：于所述基底的背面形成辅助薄膜，且所述辅助薄膜与所述晶圆的应力类型相同，以改善所述晶圆的翘曲度。
[0044]本实施例在待改善的所述晶圆的背面形成与所述晶圆的应力类型相同的所述辅助薄膜，以抵消掉所述晶圆的应力，从而改善所述晶圆的翘曲度，降低因所述晶圆的翘曲造成的如报警、裂纹、破片等风险，以提高生产效率及生产良率。
[0045]以下结合附图对本申请的技术方案作进一步详细阐述。
[0046]首先，如图2a，执行步骤S1，提供基底100。
[0047]作为示例，所述基底100可包括Si基底、GaN基底、SiC基底或玻璃基底等，关于所述基底100的材质、厚度、尺寸等可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
[0048]接着，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底；于所述基底的正面沉积工艺薄膜，构成待改善的晶圆；检测所述晶圆的翘曲形状，以确定所述晶圆的应力类型；于所述基底的背面形成辅助薄膜，且所述辅助薄膜与所述晶圆的应力类型相同，以改善所述晶圆的翘曲度。2.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：所述应力类型包括拉应力或压应力。3.根据权利要求2所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：当所述应力类型为压应力时，所述辅助薄膜包括压应力氮化硅薄膜。4.根据权利要求2所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：当所述应力类型为拉应力时，所述辅助薄膜包括拉应力氮化硅薄膜。5.根据权利要求3或4所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：所述辅助薄膜还包括位于所述压应力氮化硅薄膜或所述拉应力氮化硅薄膜表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓培基，李志华，曾婵，徐国俊，寻茁圃，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：