发光元件及用于发光元件的胺化合物制造技术

技术编号:37396887 阅读:14 留言:0更新日期:2023-04-30 09:24
本申请涉及由式1表示的胺化合物和发光元件,所述发光元件包括第一电极、设置在所述第一电极上的第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含由式1表示的胺化合物的至少一个功能层。所述发光元件可以表现出高发光效率和长使用寿命特性。[式1]其中式1中的变量与说明书中定义的相同。其中式1中的变量与说明书中定义的相同。其中式1中的变量与说明书中定义的相同。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及用于发光元件的胺化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月25日向韩国知识产权局提交的第10

2021

0143043号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]本公开内容涉及在空穴传输区中包含新的胺化合物的发光元件和所述胺化合物。

技术介绍

[0004]持续进行对有机电致发光显示装置等作为图像显示装置的积极开发。有机电致发光显示装置等是包括所谓的自发光显示元件的显示装置,在自发光显示元件中,分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发光层中复合,使得发光层中的发光材料发射光以实现显示。
[0005]在发光元件至显示装置的应用中,存在对于低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的需求,并且存在对于持续开发用于能够稳定地获得此类特性的发光元件的材料的需求。
[0006]为了实现高效率发光元件,还存在对于开发用于抑制发光层中的激子能量扩散的空穴传输区的材料的需求。
[0007]应理解,该
技术介绍
部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而,该
技术介绍
部分也可以包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。

技术实现思路

[0008]本公开内容提供了表现出优异的发光效率和长使用寿命特性的发光元件。
[0009]本公开内容还提供了胺化合物,所述胺化合物是用于具有高发光效率和长使用寿命特性的发光元件的材料。
[0010]实施方案提供了可以由式1表示的胺化合物:
[0011][式1][0012][0013][式2][0014][0015]在式1中,Ar1可以是除了菲基基团之外的取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有5个至40个成环碳原子的杂芳基基团;R1至R4可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团,或者可以是通过与由式2表示的基团键合形成环的单键;以及R1和R2的对和/或R3和R4的对可以与由式2表示的基团键合以形成环。在式2中,X可以是O、S、N(R
10
)或C(R
11
)(R
12
),并且a*和b*各自表示与式1中的R1至R4中的任一个的键。在式1和式2中,R5至R
12
可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、或者取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团;a和b可以各自独立地是0至2的整数;c和d可以各自独立地是0至7的整数;以及e可以是0至4的整数。
[0016]在实施方案中,所述由式1表示的胺化合物可以由式1

1至式1

3中的任一个表示:
[0017][式1

1][0018][0019][式1

2][0020][0021][式1

3][0022][0023]在式1

3中,X1和X2可以各自独立地是O、S、N(R
10
)或C(R
11
)(R
12
);e1和e2可以各自独立地是0至4的整数;以及R
91
和R
92
可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、或者取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团。在式1

1至式1

3中,Ar1、X、R1、R2、R5至R
12
和a至e与式1和式2中定义的相同。
[0024]在实施方案中,在式1

3中,X1和X2可以相同。
[0025]在实施方案中,所述由式2表示的基团可以由式2

1至式2

5中的任一个表示:
[0026][0027]在式2

1至式2

5中,R9、e、a*和b*与式2中定义的相同。
[0028]在实施方案中,在式1中,Ar1可以是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的二苯并噻吩基团、或者取代或未取代的二苯并呋喃基团。
[0029]在实施方案中,在式1和式2中,R1至R9中的至少一个可以是氘原子或包含氘原子的取代基;和/或Ar1可以是包含氘原子的取代基。
[0030]在实施方案中,所述由式1表示的胺化合物可以是单胺化合物。
[0031]在实施方案中,所述胺化合物可以选自以下解释的化合物组1。
[0032]另一个实施方案提供了发光元件,所述发光元件可以包括第一电极、设置在所述第一电极上的第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含根据实施方案的胺化合物的至少一个功能层。
[0033]在实施方案中,所述至少一个功能层可以包括发光层、设置在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区以及设置在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区;并且所述空穴传输区可以包含所述胺化合物。
[0034]在实施方案中,所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个;以及所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述电子阻挡层中的至少一个可以包含所述胺化合物。
[0035]在实施方案中,所述空穴传输区可以包括依次堆叠在所述第一电极与所述发光层之间的第一空穴传输层和第二空穴传输层;所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层可以包含不同的空穴传输材料;以及所述第二空穴传输层可以包含所述胺化合物。
[0036]在实施方案中,所述发光层可以包含以下解释的由式E

1表示的化合物。
[0037]在实施方案中,所述发光元件可以进一步包括设置在所述第二电极上的覆盖层,其中所述覆盖层可以具有等于或大于约1.6的折射率。
附图说明
[0038]包括附图以提供对实施方案的进一步理解,以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图例示出本公开内容的实施方案及其原理。通过参考附图详细地描述本公开内容的实施方案,本公开内容的以上和其它的方面和特征将变得更加明显,在附图中:
[0039]图1是例示出根据实施方案的显示装置的平面视图;
[0040]图2是根据实施方案的显示装置的示意性横截面视图;
[0041]图3是例示出根据实施方案的发光元件的示意性横截面视图;
[0042]图4是例示出根据实施方案的发光元件的示意性横截面视图;
[0043]图5是例示出根据实施方案的发光元件的示意性横截面视图;
[0044]图6是例示出根据实施方案的发光元件的示意性横截面视图;
[0045]图7是例示出根据实施方案的发本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.由式1表示的胺化合物:[式1][式2]其中在式1中,Ar1是除了菲基基团之外的取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有5个至40个成环碳原子的杂芳基基团,R1至R4各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团,或者是通过与由式2表示的基团键合形成环的单键,以及R1和R2的对和/或R3和R4的对与由式2表示的基团键合以形成环,其中在式2中,X是O、S、N(R
10
)或C(R
11
)(R
12
),以及a*和b*各自表示与式1中的R1至R4中的一个的键,以及其中在式1和式2中,R5至R
12
各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、或者取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团,a和b各自独立地是0至2的整数,c和d各自独立地是0至7的整数,以及e是0至4的整数。2.如权利要求1所述的胺化合物,其中所述由式1表示的胺化合物由式1

1至式1

3中的一个表示:[式1

1]
[式1

2][式1

3]其中在式1

3中,X1和X2各自独立地是O、S、N(R
10
)或C(R
11
)(R
12
),e1和e2各自独立地是0至4的整数,以及R
91
和R
92
各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、或者取代或未取代的具有6个至40个成环碳原子的芳基基团,以及其中在式1

1至式1

3中,Ar1、X、R1、R2、R5至R
12
和a至e与式1和式2中定义的相同。3.如权利要求2所述的胺化合物,其中在式1

3中,X1和X2相同。4.如权利要求1所述的胺化合物,其中所述由式2表示的基团由式2

1至式2

5中的一个表示:
其中在式2

1至式2
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员:今田一郎上野雅嗣
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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