快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器参考电流的温度系数的调节方法，包括：将存储单元的所有cell按照读取电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，第一组cell的读取电流大于第二组cell的读取电流；将参考单元作为第三组cell；量测第二组cell温度系数；查找第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；调节待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压，以使得第三组cell的电流的温度系数与第二组cell的平均电流的温度系数相同。本发明专利技术调节了参考单元的温度系数，使得尾部cell的电流温度系数与参考单元的电流温度系数相同，从而使得参考单元的电流和尾部cell的电流是随温度同步变化的。流和尾部cell的电流是随温度同步变化的。流和尾部cell的电流是随温度同步变化的。

【技术实现步骤摘要】
快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其是涉及一种快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法。

技术介绍

[0002]快闪存储器中，参考单元是具有和存储单元相同结构和工艺的闪存单元，位于快闪存储器中单独的一行(或一列)，为存储单元的读取操作提供参考电流。现有技术的参考单元采用与存储阵列相同的编程方式并被编程为“10”，参考单元整体上具有较大的电流和电流温度系数。参考单元由多个cell组成，每个cell的电流温度系数可能不同，参考单元对外的电流是所有cell电流的平均值组成，因此，参考单元的电流温度系数也是所有cell电流的平均值和温度之间相关性。当温度1摄氏度时，电流的相对变化为电流温度系数。如果温度上升1摄氏度，电流增大，则是正温度系数，如果温度上升，电流降低，则是负温度系数。如果上升1摄氏度，电流增加较大，则认为温度系数较大。
[0003]然而，存储单元的所有cell中有一小部分是尾部cell，尾部cell和参考单元相比具有较小的电流。在温度变化时，尾部cell和参考单元相比具有极小(甚至反向)的温度系数，这导致了参考单元的电流和尾部cell的电流不是随温度同步变化的，使尾部cell溢出了参考单元的参考电流范围，导致参考单元在温度测试读出错误数据，造成了良率的损失。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，可以调节参考单元的温度系数，使得参考单元的电流温度系数与尾部cell的电流温度系数相同，从而使得参考单元的电流和尾部cell的电流是随温度同步变化的，从而使尾部cell的读出电流在参考单元的参考电流范围内，不会导致参考单元在温度测试读出错误数据，不会造成了良率的损失。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，包括：
[0006]将存储单元的所有cell按照读取电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，所述第一组cell的读取电流大于所述第二组cell的读取电流，将参考单元作为第三组cell；
[0007]量测所述第二组cell的温度系数；
[0008]查找所述第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；
[0009]调节所述待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压，以使得所述第三组cell的电流的温度系数与所述第二组cell的平均电流的温度系数相同。
[0010]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，所述快闪存储器包括存储单元和参考单元。
[0011]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，将所述存储单
元中，电流大于设定值的cell分为第一组cell，其余为第二组cell。
[0012]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，所述第三组cell包括bit位为0的MOS管和bit位为1的MOS管。
[0013]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，所述第三组cell包括bit位为0的MOS管和bit位为1的MOS管均为若干个。可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，调节所述待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压之前，所述第三组cell的电流的温度系数与所述第二组cell的平均电流的温度系数相反。
[0014]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，调节所述待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压之前，所述第三组cell的电流的温度系数小于所述第二组cell的平均电流的温度系数。
[0015]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，所述栅源电压、阈值电压和所述第三组cell的电流的温度系数的关系式如下：
[0016][0017]其中，α_μ为迁移率的温度变化系数，α_vt为阈值电压的温度变化系数，μ为电子迁移率，Vgs为栅源电压，Vth为阈值电压。
[0018]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，通过改变控制栅读电压，以改变栅源电压。
[0019]可选的，在所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法中，通过改变编程深度以改变阈值电压。
[0020]在本专利技术提供的存储器参考电流的温度系数的调节方法中，包括：将存储阵列的所有cell按照电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，所述第一组cell的电流大于所述第二组cell的电流；将参考单元作为第三组cell；量测所述第二组cell的温度系数；查找所述第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；调节所述待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压，以使得所述第三组cell的电流的温度系数与所述第二组cell的平均电流的温度系数相同。本专利技术调节了参考单元的温度系数，使得参考单元的电流温度系数与尾部cell的电流温度系数相同，从而使得参考单元的电流和尾部cell的电流是随温度同步变化的，从而使尾部cell保持在了参考单元的参考电流范围内，在参考单元在温度测试时读出了正确数据，提高了良率。
附图说明
[0021]图1是本专利技术实施例的存储器参考电流的温度系数的调节方法的流程图；
[0022]图2是本专利技术实施例的通过调节控制栅电压以调节第三组cell温度系数的曲线图；
[0023]图3是本专利技术实施例的通过调节阈值电压以调节第三组cell温度系数的曲线图。
具体实施方式
[0024]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，
本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0025]在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
[0026]请参照图1，本专利技术提供了一种存储器参考电流的温度系数的调节方法，包括：
[0027]S11：将存储单元的所有cell按照电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，第一组cell的电流大于第二组cell的电流，将所有参考单元作为第三组cell；
[0028]S12：量测第二组cell的温度系数；
[0029]S13：查找第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；
[0030]S14：调节待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压，以使得第三组cell的电流的温度系数与第二组cell的平均电流的温度系数相同。
[0031]优选的，存储器包括存储单元和参考单元，存储单元用来存储数据，其读出数据是与参考本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，包括：将存储单元的所有cell按照读取电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，所述第一组cell的读取电流大于所述第二组cell的读取电流，将参考单元作为第三组cell；量测所述第二组cell的温度系数；查找所述第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；调节所述待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压，以使得所述第三组cell的电流的温度系数与所述第二组cell的平均电流的温度系数相同。2.如权利要求1所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，所述快闪存储器包括存储单元和参考单元。3.如权利要求1所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，将所述存储单元中，电流大于设定值的cell分为第一组cell，其余为第二组cell。4.如权利要求1所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，所述第三组cell包括bit位为0的MOS管和bit位为1的MOS管。5.如权利要求4所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，所述第三组ce...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟岩，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：