本实用新型专利技术是有关于一种晶片型被动元件基板,是在一基板上形成复数条相互平行的横向分离线,再在各二分离线之间形成复数个纵向穿槽,两相邻穿槽与分离线之间设定为一元件区,用以制作晶片型被动元件;在晶片型被动元件的制程中分离各元件区时,该穿槽可防止因分离加工时造成的元件区分离后尺寸的误差,且在后续制程中对元件区进行电镀电极时,电镀不致不均匀而影响晶片型被动元件的导电效果。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基板的结构,特别是涉及一种适用于制作晶片型被动元件的基板。
技术介绍
由于电子产品的制作有日渐微小化的趋势,因此所有主、被动元件也均必须随着电路板尺寸的缩小而缩小体积,以顺应电子产品微小化的潮流。以晶片型被动元件的晶片电阻而言,随着电路板尺寸的缩小,目前规格为长度0.60mm、宽度0.30mm、厚度0.23mm的晶片电阻已被大量使用,因为晶片电阻体积小,所以能够容许的尺寸误差极为严格,一般均在0.03mm以内;若以另一种规格为长度0.40mm、宽度0.20mm、厚度0.23mm的晶片电阻而言,其所能容许的尺寸误差将更为严格;故对于如此小尺寸且单价又低的被动元件而言,产品的良率及生产效率往往成为生产厂商生存竞争的法宝。目前一般厂商晶片电阻器的制作流程,请参阅图3A-K所示,其包括下列步骤在一空白陶瓷基板10的顶面与底面预定制作电阻的范围内,先用刀具形成有数条相互交错的横向分离线11与纵向分离线12,该横向分离线11与纵向分离线12均切割入基板10有一定深度,一般上下相对应的横向分离线11或纵向分离线12的深度以不超过基板10厚度的一半为佳,而在相邻的横向分离线11与纵向分离线12之间定义出复数个元件区14(如图3A所示);在这些元件区14的顶面与底面分别印刷有两个相对应的主电极15,该主电极15分别印刷于各元件区14的两相对纵向分离线12的边缘上,以长度0.60mm、宽度0.30mm、厚度0.23mm规格的晶片电阻为例,主电极15的宽度为0.15mm,待主电极15干燥后烧结以固定于元件区14上(如图3B所示);在元件区14顶面的二主电极15之间印刷有一电阻层16,待电阻层16干燥后烧结以固定于元件区14上(如图3C所示);于前述电阻层16上印刷一玻璃护层171,待玻璃护层171干燥后烧结而固定于电阻层16上(如图3D所示);以激光对电阻层16进行修整,以调整电阻值(如图3E所示);于第一保护层17上再涂上一外保护层181,待外保护层181干燥后烧结而固定它(如图3F所示); 用治具依序沿各个纵向分离线12将基板10折断,形成数个条状基板10’,并将条状基板10’相互堆迭(如图3G所示),其中条状基板10’上的元件区14成为一个个纵向排列的晶片电阻单元;以真空溅镀方式于元件区14顶面与底面的主电极15以及条状基板10’侧面溅镀上内层电极191(如图3H所示),该内层电极191是用以连接元件区14顶面与底面的主电极15;将各条状基板10’沿横向分离线11折断,形成多个晶片电阻单元个体20(如图3I所示);将该等晶片电阻单元个体20放入电镀槽(图中未示)的电镀筒30中并使电镀筒30转动,比如以滚镀方式进行电镀,使晶片电阻单元个体20与电镀筒30内的电极珠金属粒31不停碰撞接触,而将晶片电阻单元个体20的内层电极191镀上一外层电极192(如图3J所示)后,即形成一个个的晶片电阻(如图3K所示)。然而上述基板10应用于晶片电阻制程中的缺点如下1.由于该横向分离线11与纵向分离线12均切割入基板10有一定深度,因此在基础制程上所必须花费的时间较多,且同时设有横向分离线11与纵向分离线12对基板10的强度容易造成破坏,致使在后续印刷主电极15、电阻层16时,易因必须以滚筒于基板10表面滚动以进行印刷,基板10无法负荷滚筒滚动的压力,因而使基板10碎裂,影响生产效率及产品良率。2.由于陶瓷材质的基板10受其分子结晶的限制,因此将基板10折断成为条状基板10’时,其断面必不易平整(如图4所示),除会影响产品成形后长度的容许误差外,而且当进行溅镀时,将造成溅镀形成的内层电极191凹凸不平,更使得进行后续滚镀式电镀时,被镀上的外层电极192厚度不易均匀,进而降低晶片电阻的生产良率。由此可见,上述现有的晶片型被动元件基板在结构与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决晶片型被动元件基板存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的晶片型被动元件基板,便成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的晶片型被动元件基板存在的缺陷,本设计人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新型的晶片型被动元件基板,能够改进一般现有的晶片型被动元件基板,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本技术。
技术实现思路
本技术的主要目的在于,克服现有的晶片型被动元件基板存在的缺陷,而提供一种新型的晶片型被动元件基板,所要解决的技术问题是使其改良制作晶片型被动元件所使用的基板结构,使其可以有效改善晶片型被动元件的生产良率以及效率,从而更加适于实用。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本技术提出的一种晶片型被动元件基板,其主要是于一基板上形成有复数条相互平行的横向分离线,各二分离线之间形成有复数穿槽,定义两相邻穿槽与分离线之间是一用以制作晶片型被动元件的元件区。本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施来进一步实现。前述的晶片型被动元件基板,其中所述的基板是一以陶瓷作为基材的基板。前述的晶片型被动元件基板,其中所述的基板上对应穿槽是进一步形成有复数条与前述横向分离线垂直的纵向分离线。前述的晶片型被动元件基板,其中所述的基板是应用于制作晶片型电阻。经由上述可知,本技术是有关于一种晶片型被动元件基板,是于一基板上形成复数条相互平行的横向分离线,再于各二分离线之间形成有复数个纵向穿槽,两相邻穿槽与分离线之间定义为一元件区,用以制作晶片型被动元件;在晶片型被动元件的制程中分离各元件区时,该穿槽可防止因分离加工时造成元件区分离后尺寸的误差,且在后续制程中对元件区进行电镀电极时,电镀不致不均匀而影响晶片型被动元件的导电效果。借由上述技术方案,本技术晶片型被动元件基板至少具有下列优点在晶片型被动元件制程中折断本技术的基板时,该穿槽可避免折断到元件区的两侧,防止各元件区分离成形后尺寸产生误差,且后续进行电极电镀时又可镀上均匀的电极,因而使制程良率得以提升。综上所述,本技术新颖的晶片型被动元件基板,可以防止各元件区分离成形后尺寸产生误差,并且使制程良率得以提升。本技术具有上述诸多优点及实用价值,其不论在结构或功能上皆有较大改进,在技术上有较大进步,并产生了好用及实用的效果,且较现有的晶片型被动元件基板具有增进的功效,从而更加适于实用,并具有产业的广泛利用价值,诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本技术的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。附图说明图1是本技术基板的俯视图。图2A-J是本技术的基板应用于制作晶片电阻的流程图。图3A-K是习用基板应用于制作晶片电阻的流程图。图4是习用制造晶片电阻过程中将基板折断所形成条状基板本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片型被动元件基板,其特征在于:在一基板上形成有复数条相互平行的横向分离线,各二分离线之间形成复数穿槽,设定两相邻穿槽与分离线之间为一用以制作晶片型被动元件的元件区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陆秀强,郭俊雄,
申请(专利权)人:华新科技股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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