线圈部件及其制造方法技术

本发明专利技术的技术问题在于，在具有线圈部被埋入磁性素体的结构的线圈部件中，防止产生于磁性素体的空隙。本发明专利技术的线圈部件(1)具备：线圈部(2)、从线圈轴方向覆盖线圈部(2)的磁性体层(M1)、以及位于线圈部(2)的内径区域的磁性体层(M2)。磁性体层(M1)和磁性体层(M2)经由设置于线圈部(2)中所含的层间绝缘膜(90)的开口部(90A)接触。开口部(90A)具有随着远离磁性体层(M1)和磁性体层(M2)的界面而直径扩大的形状。由此，不易在被埋入开口部(90A)的磁性体层(M1)产生空隙。(M1)产生空隙。(M1)产生空隙。

【技术实现步骤摘要】
线圈部件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及线圈部件及其制造方法，尤其涉及具有线圈部被埋入磁性素体的结构的线圈部件及其制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开有具有线圈部被埋入磁性素体的结构的线圈部件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
11185号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]但是，在专利文献1中公开的结构中存在如下问题，在磁性素体中的、从线圈轴方向覆盖线圈部的第一磁性体层和被埋入线圈部的内径区域的第二磁性体层的界面容易产生空隙(void)。这种问题在通过不同的工序形成磁性素体中的、从线圈轴方向覆盖线圈部的第一磁性体层和被埋入线圈部的内径区域的第二磁性体层的情况下特别显著。
[0008]因此，本专利技术的目的在于，在具有线圈部被埋入磁性素体的结构的线圈部件中，防止产生于磁性素体的空隙。
[0009]用于解决问题的技术手段
[0010]本专利技术的线圈部件，其特征在于，具备：线圈部，其具有分别包括线圈图案的多个导体层经由多个层间绝缘膜沿线圈轴方向层叠的结构；第一磁性体层，其从线圈轴方向覆盖线圈部；以及第二磁性体层，其位于线圈部的内径区域，多个层间绝缘膜包含最接近第一磁性体层的第一层间绝缘膜，第一磁性体层和第二磁性体层经由设置于第一层间绝缘膜的开口部而接触，开口部具有随着远离第一磁性体层和第二磁性体层的界面而直径扩大的形状。
[0011]根据本专利技术，不易在被埋入开口部的第一磁性体层产生空隙，并且由于磁通变得容易通过，因此，也可提高电感。
[0012]在本专利技术中，也可以是，多个层间绝缘膜还包含：与第一层间绝缘膜不同的多个第二层间绝缘膜，第一层间绝缘膜的膜厚比第二层间绝缘膜的膜厚厚。当第一层间绝缘膜的膜厚厚时，容易在开口部产生空隙，但即使在这种情况下，也可以防止空隙的产生。
[0013]也可以是，本专利技术的线圈部件还具备第一及第二端子电极，多个导体层包含最接近第一磁性体层的第一导体层，第一导体层包含与第一端子电极连接的导体图案和与第二端子电极连接的导体图案。在第一导体层施加有不同电位的导体图案混合存在的情况下，可能产生经由第一磁性体层的短路不良，但通过充分地确保第一层间绝缘膜的膜厚，可以防止这种短路不良。
[0014]在本专利技术中，也可以是，第一层间绝缘膜中所含的填料的平均粒径小于第二层间
绝缘膜中所含的填料的平均粒径。据此，开口部的截面变得更平坦，因此，更不易产生空隙。
[0015]在本专利技术中，也可以是，开口部在界面的直径大于第二磁性体层的直径。据此，第一磁性体层的体积增加，因此，可以进一步提高电感。
[0016]本专利技术的线圈部件的制造方法，其特征在于，具备：在设置于基材的表面的金属箔，形成凸部及凹部的第一工序；通过以绝缘构件覆盖金属箔的表面，形成第一层间绝缘膜的第二工序，该第一层间绝缘膜具有：转印了凸部的形状的薄壁部、和转印了凹部的形状的厚壁部；在第一层间绝缘膜上，将具有内径区域与薄壁部重叠的线圈图案的多个导体层和多个第二层间绝缘膜交替层叠的第三工序；将第二磁性体层埋入线圈图案的内径区域的第四工序；通过去除金属箔，使第一层间绝缘膜露出的第五工序；以第二磁性体层露出的方式，去除薄壁部的第六工序；以及以与第二磁性体层相接的方式，形成覆盖第一层间绝缘膜的第一磁性体层的第七工序，在第一工序中，以随着远离凹部的底面而凸部的宽度缩小的方式，形成凸部及凹部。
[0017]根据本专利技术，可以形成具有随着远离第一磁性体层和第二磁性体层的界面而开口部的直径扩大的形状的第一层间绝缘膜。由此，在形成第一磁性体层时，不易在被埋入开口部的第一磁性体层形成空隙。
[0018]在本专利技术中，也可以是，第一工序通过以蚀刻在金属箔形成凹部来进行。据此，通过调整蚀刻条件，可以得到随着远离凹部的底面而凸部的宽度缩小的结构。在该情况下，也可以是，还具备：在进行第一工序之前，通过镀敷来增加金属箔的膜厚的工序。据此，可以进一步增加第一层间绝缘膜的膜厚。
[0019]专利技术效果
[0020]这样，根据本专利技术，在具有线圈部被埋入磁性素体的结构的线圈部件中，可以防止产生于磁性素体的空隙。
附图说明
[0021]图1是用于说明本专利技术的一实施方式的线圈部件1的结构的大致透视立体图。
[0022]图2是沿着图1所示的A
‑
A线的大致截面图。
[0023]图3是用于说明从磁性体层M1侧观察的导体层L1、L3、L5、L7的图案形状的大致俯视图。
[0024]图4是用于说明从磁性体层M1侧观察的导体层L2、L4、L6、L8的图案形状的大致俯视图。
[0025]图5是线圈部件1的等效电路图。
[0026]图6是线圈部件1的局部放大图。
[0027]图7是第一变形例的线圈部件1的局部放大图。
[0028]图8是第二变形例的线圈部件1的局部放大图。
[0029]图9是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0030]图10是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0031]图11是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0032]图12是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0033]图13是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0034]图14是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0035]图15是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0036]图16是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0037]图17是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0038]图18是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0039]图19是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0040]图20是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0041]图21是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
[0042]附图标记的说明
[0043]1 线圈部件
[0044]2 线圈部
[0045]10、20、30、40、50、60、70、80 线圈图案
[0046]11～14、21～24、31～34、41～44、51～54、61～64、71～74、81～84 端子图案
[0047]15 虚设图案(dummy pattern)
[0048]25、35、45、55、65、75 中继图案
[0049]90～98 层间绝缘膜
[0050]90A 开口部
[0051]90B 上表面
[0052]90C 下表面
[0053]90D 内壁
[0054]90E 薄壁部
[0055]90F 厚壁部
[0056]100 支承体
[0057]101 基材...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线圈部件，其特征在于，具备：线圈部，其具有分别包括线圈图案的多个导体层经由多个层间绝缘膜沿线圈轴方向层叠的结构；第一磁性体层，其从所述线圈轴方向覆盖所述线圈部；以及第二磁性体层，其位于所述线圈部的内径区域，所述多个层间绝缘膜包含最接近所述第一磁性体层的第一层间绝缘膜，所述第一磁性体层和所述第二磁性体层，经由设置于所述第一层间绝缘膜的开口部而接触，所述开口部具有随着远离所述第一磁性体层和所述第二磁性体层的界面而直径扩大的形状。2.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，所述多个层间绝缘膜还包含：与所述第一层间绝缘膜不同的多个第二层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜的膜厚比所述第二层间绝缘膜的膜厚厚。3.根据权利要求2所述的线圈部件，其特征在于，还具备：第一及第二端子电极，所述多个导体层包含：最接近所述第一磁性体层的第一导体层，所述第一导体层包含：与所述第一端子电极连接的导体图案、和与所述第二端子电极连接的导体图案。4.根据权利要求2所述的线圈部件，其特征在于，所述第一层间绝缘膜中所含的填料的平均粒径小于所述第二层间绝缘膜中所含的填料的平均粒径。5.根据权利要求1～4中任一项所述的线圈部件，其特征在于，所述开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木将典，竹内拓也，西川朋永，高桥延也，藤井直明，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：