一种OLED发光器件及其制备工艺、全彩OLED装置制造方法及图纸

技术编号:37377034 阅读:39 留言:0更新日期:2023-04-27 07:20
本发明专利技术涉及一种OLED发光器件及其制备工艺、全彩OLED装置,所述OLED发光器件依次包括第一电极、有机功能层、第二电极,所述有机功能层包括空穴传输区域、发光区域、电子传输区域,所述发光区域包括第一像素单元和第二像素单元,其中第一像素单元和第二像素单元具有共同的空穴注入层和空穴传输层;所述第二像素单元的空穴传输辅助层由下至上依次包括第一空穴传输辅助层、第二空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层,所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的有机材料相同,所述第一空穴辅助层和第二空穴辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.25eV。本发明专利技术OLED发光器件在保证载流子高效稳定注入的前提下,有效解决了现有器件中存在的低亮度Cross

【技术实现步骤摘要】
一种OLED发光器件及其制备工艺、全彩OLED装置


[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种OLED发光器件及其制备工艺、全彩OLED装置。

技术介绍

[0002]随着OLED技术的不断发展和进步,OLED显示技术已经在手机、电视、电脑上得到广泛应用。同无机电致发光装置相比,有机电致发光装置具有材料选择范围宽、可实现由蓝光区到红光区的全彩色显示、驱动电压低、发光亮度和发光效率高、视角宽、响应速度快,并易实现大面积和柔性显示等诸多优点,因而在过去的一些年中得到了迅速的发展。目前,有机电致发光显示装置领域的研究早已不限于学术界,几乎所有国际知名的电子企业以及化学企业都投入巨大的人力和资金进入这一研究领域,呈现研究、开发与产业化齐头并进的局面,有机电致发光显示技术正在飞速迈向产业化。
[0003]现有技术中,全色OLED发光显示装置通常的制作方式为:通过对像素矩阵上不同的OLED发光装置直接施加电场,从而获得独立的红绿蓝发光的“红绿蓝三原色发光方式”;目前常见的排布方式为:RGB、BBRG和Pentile;不论哪一种排布都存在低亮度下的Cross

talk问题。
[0004]所谓低亮度Cross

talk,是指构成OLED显示装置的不同像素单元在相同亮度下的启亮电压是不同的,存在压差,当启亮电压较高的像素单元被启亮时,将没有驱动的启亮电压较低的像素单元点亮,从而造成显示装置的色彩表现不够准确的现象,比如,构成OLED显示装置的蓝色像素装置在初始点亮的时候,因为蓝色像素装置和绿色及红色装置存在的0.4V左右的初始点亮电压差,同时因为高浓度P掺杂空穴载流子传导膜层的阻抗较低,因此所形成的蓝色像素装置驱动电流沿着电极基板横向进行流通,从而会把没有驱动的红色或绿色像素的一部分或者全像素点亮,从而造成蓝色发光中夹杂着红色或绿色发光,由于目前蓝光器件水平已经达到技术瓶颈,因此想要通过降低蓝光器件电压解决Cross

talk问题是十分困难的。
[0005]为解决这一问题,常用的解决方法为:
[0006]1)改变P掺杂材料的掺杂比例;掺杂比例的变化影响到了空穴注入层的电阻率,掺杂比例越大,电阻率越低;降低P掺杂比例在低亮度Cross

talk改善的同时也影响到了空穴的注入和传输,显示器的驱动电压显著升高,效率降低,因此,难于兼具(或同时实现)载流子有效注入和高功率效率;
[0007]2)通过材料搭配,缩小蓝色像素和绿色、红色像素的初始启亮电压差;
[0008]这种方式是针对多个不同功能层的材料,进行大量交叉实验,对实验结果再进行筛选;实际情况下可供量产的功能层材料种类有限,同时存在实验周期长,成本高,实验结果无法保证等不确定因素,可操作性很差。
[0009]除了低亮度Cross talk问题外,OLED装置也存在空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配的问题,导致复合区域偏移较大,不利于器件的稳定性。
[0010]就当前OLED显示产业的实际需求而言,低亮度Cross

talk问题对于显示器的显示效果以及载流子注入的不平衡产生不利影响,制约器件结构优化器件性能提升,从而影响OLED显示技术的发展。解决上述问题对整个OLED行业来说具有重要意义。

技术实现思路

[0011]本专利技术提供了一种OLED发光器件,该器件结构在保证载流子高效稳定注入的前提下,有效解决了现有器件中存在的低亮度Cross

talk问题。
[0012]本专利技术的技术方案如下:
[0013]一种OLED发光器件,所述OLED发光器件由下至上依次包括第一电极、有机功能层、第二电极;
[0014]所述有机功能层包括:
[0015]空穴传输区域,位于第一电极之上;
[0016]发光区域,位于所述空穴传输区域之上;
[0017]电子传输区域,位于所述发光层之上;
[0018]第二电极,位于所述电子传输区域之上;
[0019]所述发光区域包括第一像素单元和第二像素单元;
[0020]所述第一像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层;
[0021]所述第二像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和空穴传输辅助层;
[0022]所述第二像素单元的空穴传输辅助层由下至上依次包括第一空穴传输辅助层、第二空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层;
[0023]所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的有机材料相同;
[0024]所述第一空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.25eV。
[0025]本专利技术还提供一种所述OLED发光器件的制备工艺,在基底上依次形成第一电极、有机功能层、第二电极;制备第二像素单元的空穴传输辅助层的蒸镀腔室内包含至少两个线型蒸发源,其中至少一个蒸发源内填充有第一空穴传输辅助层材料,至少一个蒸发源填充有第二空穴传输辅助层材料,在蒸镀过程中,多个蒸发源同时前后移动扫描,并通过角度限制板实现第一空穴传输辅助层/第二空穴传输辅助层/第三空穴传输辅助层结构的叠层蒸镀。
[0026]本专利技术还提供一种全彩OLED装置,包括用于驱动OLED发光器件发光的驱动单元、OLED发光器件、基板层,所述OLED发光器件为上述的OLED发光器件。
[0027]基于RGB三基色的全彩OLED显示器的一个基本特征在于,三色像素OLED发光器件因为发光材料带隙不同,其初始点亮电压也存在差异,以峰值在625nm红光材料为例,其带隙是1.98eV,而峰值在459nm的蓝光材料的带隙是2.70eV,两者差异在0.72eV。所以,相邻的红蓝两色像素在驱动的时候,单独驱动蓝色像素的时候,因为两者存在相同的阴极和相同的空穴/阳极界面注入层,很容易导致驱动蓝色像素器件的载流子泄露到红色像素器件,从而导致不同像素之间颜色的串扰,采用本专利技术OLED发光器件的全彩OLED装置,可以有效地
避免不同像素之间颜色的串扰。
[0028]本专利技术有益的技术效果在于:
[0029]因为现有技术中构成全色OLED显示装置三原色具有一定相同的空穴传导膜层结构,为了降低装置的驱动电压,实现第一电极界面的欧姆接触,提升载流子注入效果,通常在邻接第一电极的空穴膜层里掺杂有P型材料。通常该膜层的厚度为10nm,P型材料的掺杂比例为0.5wt%

5wt%之间。通常P型材料掺杂比例越高,所掺杂的空穴类材料的膜阻抗越小,就越有利于第一电极和空穴传导膜层之间的欧姆接触,越有助于提升第一电极和空穴传导膜层界面稳定性,进而有利于提升器件的驱动寿命。
[0030]然而,对于全彩OLED显示装置而言,P型材料掺杂空穴传导层的做法有利有弊,如果P型材料使用方法不恰当,同样存在弊端,比如,P掺杂比例过高的话,固然会降低电极到OLE本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED发光器件,所述OLED发光器件由下至上依次包括第一电极、有机功能层、第二电极;所述有机功能层包括:空穴传输区域,位于第一电极之上;发光区域,位于所述空穴传输区域之上;电子传输区域,位于所述发光层之上;第二电极,位于所述电子传输区域之上;其特征在于:所述发光区域包括第一像素单元和第二像素单元;所述第一像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层;所述第二像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和空穴传输辅助层;所述第二像素单元的空穴传输辅助层由下至上依次包括第一空穴传输辅助层、第二空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层;所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的有机材料相同;所述第一空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.25eV。2.根据权利要求1所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一像素单元为蓝光像素单元,所述第二像素单元为绿光或红光像素单元;或者所述第一像素单元为绿光像素单元,所述第二像素单元为红光像素单元。3.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.2eV。4.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:在相同亮度下,所述第一像素单元的启亮电压和第二像素单元的启亮电压之间的差值的绝对值≤0.25V,优选≤0.2V。5.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的膜厚相同或者不同。6.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第二像素单元的空穴传输区域还可以包含电子阻挡层,该电子阻挡层位于空穴传输辅助层和发光区域之间。7.根据权利要求6所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第二像素单元的空穴传输区域的电子阻挡层和第一像素单元的空穴传输区域的电子阻挡层保持一致的膜厚和有机材料种类。8.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层膜厚为5

30nm,优选膜厚为5

25nm,优选膜厚为5

20nm,优选膜厚为5

15nm,更优选膜厚为5

10nm。9.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输辅助层、第三空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层可以选自通式(A)或通式(B)所示的化合物,
通式(A)中,L1、L2、L3各自独立地表示为单键、取代或未取代的C6‑
C
30
的亚芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
亚杂芳基中的一种;Ar1、Ar2各自独立地代表取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种;R表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)中的任一种;通式(2)、通式(5)中,Z每次出现,相同或不同地表示为N或C

R1;其中R1每次出现相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、C1‑
C
10
烷基、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种,且连接位点处的Z表示为碳原子;Ar5表示为氢原子、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种;Ar3、Ar4各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或取代或未取代的萘基,Ar3、Ar4可以通过单键或并环方式取代连接;通式(3)中,Y每次出现,相同或不同地表示为N或C

R2;其中R2每次出现相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、C1‑
C
10
烷基、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种,且连接位点处的Y表示为碳原子;Ar6、Ar7、Ar8、Ar9各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或取代或未取代的萘基,Ar6、Ar7、Ar8、Ar9可以通过单键或并环方式取代连接;通式(4)中,X每次出现,相同或不同地表示为N或C

R3;其中R3每次出现,相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、C1‑
C
10
烷基、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种,且连接位点处的X表示为碳原子;Ar
10
、Ar
11
各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基或C1‑
C
10
烷基;Ar
10
、Ar
11
还可以键合成环,形成金刚烷;Ar
12
、Ar
13
各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或取代或未取代的萘基,Ar
12
、Ar
13
可以通过单键或并环方式取代连接;
所述R
c
表示为取...

【专利技术属性】
技术研发人员:王焕杰陈海峰李崇
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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