【技术实现步骤摘要】
一种OLED发光器件及其制备工艺、全彩OLED装置
[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种OLED发光器件及其制备工艺、全彩OLED装置。
技术介绍
[0002]随着OLED技术的不断发展和进步,OLED显示技术已经在手机、电视、电脑上得到广泛应用。同无机电致发光装置相比,有机电致发光装置具有材料选择范围宽、可实现由蓝光区到红光区的全彩色显示、驱动电压低、发光亮度和发光效率高、视角宽、响应速度快,并易实现大面积和柔性显示等诸多优点,因而在过去的一些年中得到了迅速的发展。目前,有机电致发光显示装置领域的研究早已不限于学术界,几乎所有国际知名的电子企业以及化学企业都投入巨大的人力和资金进入这一研究领域,呈现研究、开发与产业化齐头并进的局面,有机电致发光显示技术正在飞速迈向产业化。
[0003]现有技术中,全色OLED发光显示装置通常的制作方式为:通过对像素矩阵上不同的OLED发光装置直接施加电场,从而获得独立的红绿蓝发光的“红绿蓝三原色发光方式”;目前常见的排布方式为:RGB、BBRG和Pentile;不论哪一种排布都存在低亮度下的Cross
‑
talk问题。
[0004]所谓低亮度Cross
‑
talk,是指构成OLED显示装置的不同像素单元在相同亮度下的启亮电压是不同的,存在压差,当启亮电压较高的像素单元被启亮时,将没有驱动的启亮电压较低的像素单元点亮,从而造成显示装置的色彩表现不够准确的现象,比如,构成OLED显示装置的蓝色像素装置在初始点亮的时候, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种OLED发光器件,所述OLED发光器件由下至上依次包括第一电极、有机功能层、第二电极;所述有机功能层包括:空穴传输区域,位于第一电极之上;发光区域,位于所述空穴传输区域之上;电子传输区域,位于所述发光层之上;第二电极,位于所述电子传输区域之上;其特征在于:所述发光区域包括第一像素单元和第二像素单元;所述第一像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层;所述第二像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和空穴传输辅助层;所述第二像素单元的空穴传输辅助层由下至上依次包括第一空穴传输辅助层、第二空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层;所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的有机材料相同;所述第一空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.25eV。2.根据权利要求1所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一像素单元为蓝光像素单元,所述第二像素单元为绿光或红光像素单元;或者所述第一像素单元为绿光像素单元,所述第二像素单元为红光像素单元。3.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.2eV。4.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:在相同亮度下,所述第一像素单元的启亮电压和第二像素单元的启亮电压之间的差值的绝对值≤0.25V,优选≤0.2V。5.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的膜厚相同或者不同。6.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第二像素单元的空穴传输区域还可以包含电子阻挡层,该电子阻挡层位于空穴传输辅助层和发光区域之间。7.根据权利要求6所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第二像素单元的空穴传输区域的电子阻挡层和第一像素单元的空穴传输区域的电子阻挡层保持一致的膜厚和有机材料种类。8.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层膜厚为5
‑
30nm,优选膜厚为5
‑
25nm,优选膜厚为5
‑
20nm,优选膜厚为5
‑
15nm,更优选膜厚为5
‑
10nm。9.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输辅助层、第三空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层可以选自通式(A)或通式(B)所示的化合物,
通式(A)中,L1、L2、L3各自独立地表示为单键、取代或未取代的C6‑
C
30
的亚芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
亚杂芳基中的一种;Ar1、Ar2各自独立地代表取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种;R表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)中的任一种;通式(2)、通式(5)中,Z每次出现,相同或不同地表示为N或C
‑
R1;其中R1每次出现相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、C1‑
C
10
烷基、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种,且连接位点处的Z表示为碳原子;Ar5表示为氢原子、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种;Ar3、Ar4各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或取代或未取代的萘基,Ar3、Ar4可以通过单键或并环方式取代连接;通式(3)中,Y每次出现,相同或不同地表示为N或C
‑
R2;其中R2每次出现相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、C1‑
C
10
烷基、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种,且连接位点处的Y表示为碳原子;Ar6、Ar7、Ar8、Ar9各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或取代或未取代的萘基,Ar6、Ar7、Ar8、Ar9可以通过单键或并环方式取代连接;通式(4)中,X每次出现,相同或不同地表示为N或C
‑
R3;其中R3每次出现,相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、C1‑
C
10
烷基、取代或未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
C
30
杂芳基中的一种,且连接位点处的X表示为碳原子;Ar
10
、Ar
11
各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基或C1‑
C
10
烷基;Ar
10
、Ar
11
还可以键合成环,形成金刚烷;Ar
12
、Ar
13
各自独立地表示为氢原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或取代或未取代的萘基,Ar
12
、Ar
13
可以通过单键或并环方式取代连接;
所述R
c
表示为取...
【专利技术属性】
技术研发人员:王焕杰,陈海峰,李崇,
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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