驱动电路和相关的控制芯片电路、电源适配器及电子设备制造技术

本申请提供了一种驱动电路和相关的控制芯片电路、电源适配器及电子设备，该驱动电路包括：运放电路、比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制模块、第二驱动控制模块，其中，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第一NMOS管用于形成LDO负反馈系统。采用本申请实施例能够解决在充电应用中，由于GaN功率管导致的EMI问题和满足GaN功率管驱动电压的精度要求。满足GaN功率管驱动电压的精度要求。满足GaN功率管驱动电压的精度要求。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路和相关的控制芯片电路、电源适配器及电子设备


[0001]本申请涉及电子
，具体涉及一种驱动电路和相关的控制芯片电路、电源适配器及电子设备。

技术介绍

[0002]随着工艺的进步和缺陷率的不断降低，氮化镓(GaN)在交直流电力转换、改变电压电平、并且以一定数量的函数确保可靠电力供应的电子电源中的优势越来越明显。
[0003]进而，实际应用中，会考虑将GaN用于作为GaN功率管的材料，但是，在充电过程中，由于GaN工作在较高的频率，会存在较大的di/dt，进而会引起严重的电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)，因此，如何解决在充电应用中，由于GaN功率管导致的EMI问题亟待解决。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种驱动电路和相关的控制芯片电路、电源适配器及电子设备，能够解决在充电应用中，由于GaN功率管导致的EMI问题和满足GaN功率管驱动电压的精度要求。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种驱动电路，所述驱动电路包括：运放电路、比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制模块、第二驱动控制模块，其中，
[0006]所述运放电路的同相输入端连接第一电源，所述运放电路的输出端连接所述第一NMOS管的第一端，所述第一NMOS管的第三端连接第二电源，所述第一MOS管的第二端连接第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述运放电路的反相输入端以及通过第二电阻进行接地；
[0007]所述比较器的同相输入端连接第三电源，所述比较器的输出端连接或门电路的第一输入端，所述或门电路的第二输入端用于接入驱动信号，所述驱动信号还被输入所述第一驱动控制模块的第一端；
[0008]所述或门电路的输出端连接所述第二驱动控制模块的第一端，所述第二驱动控制模块的第二端连接第二PMOS管的第一端；所述第二PMOS管的第二端连接所述第一PMOS管的第二端以及所述第二NMOS端的第二端，所述第二PMOS管的第三端连接驱动端口，所述驱动端口用于驱动GaN功率管；所述第二NMOS管的第三端还连接第三电阻的一端，第三电阻的另一端连接第四电阻的一端以及所述比较器的反相输入端；
[0009]所述第二NMOS管的第一端连接第五电阻的一端，所述第五电阻的另一端连接所述第一NMOS管的第一端以及通过第一电容进行接地；所述第二NMOS管的第三端连接所述第二电源；
[0010]所述第一驱动控制模块的第二端连接所述第一PMOS管的第一端，所述第一驱动控制模块的第三端连接所述第三NMOS管的第一端以及所述第二驱动控制模块的第三端，所述
第三NMOS管连接所述第二PMOS管的第三端，所述第三NMOS管的第二端接地。
[0011]第二方面，本申请实施例提供一种控制芯片电路，所述控制芯片电路包括如上述第一方面所描述的驱动电路。
[0012]第三方面，本申请实施例提供一种电源适配器，所述电源适配器包括如第一方面所描述的驱动电路，或者，如第二方面所描述的控制芯片电路。
[0013]第四方面，本申请实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面所描述的驱动电路，或者，如第二方面所描述的控制芯片电路，或者，如第三方面所描述的电源适配器。
[0014]实施本申请实施例，具备如下有益效果：
[0015]可以看出，本申请实施例中所描述的驱动电路、芯片控制电路、电源适配器及电子设备，其中，驱动电路包括：运放电路、比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制模块、第二驱动控制模块，其中，运放电路的同相输入端连接第一电源，运放电路的输出端连接第一NMOS管的第一端，第一NMOS管的第三端连接第二电源，第一MOS管的第二端连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接运放电路的反相输入端以及通过第二电阻进行接地；比较器的同相输入端连接第三电源，比较器的输出端连接或门电路的第一输入端，或门电路的第二输入端用于接入驱动信号，驱动信号还被输入第一驱动控制模块的第一端，或门电路的输出端连接第二驱动控制模块的第一端，第二驱动控制模块的第二端连接第二PMOS管的第一端；第二PMOS管的第二端连接第一PMOS管的第二端以及第二NMOS端的第二端，第二PMOS管的第三端连接驱动端口，驱动端口用于驱动GaN功率管；第二NMOS管的第三端还连接第三电阻的一端，第三电阻的另一端连接第四电阻的一端以及比较器的反相输入端，第二NMOS管的第一端连接第五电阻的一端，第五电阻的另一端连接第一NMOS管的第一端以及通过第一电容进行接地；第二NMOS管的第三端连接第二电源，第一驱动控制模块的第二端连接第一PMOS管的第一端，第一驱动控制模块的第三端连接第三NMOS管的第一端以及第二驱动控制模块的第三端，第三NMOS管连接第二PMOS管的第三端，第三NMOS管的第二端接地，能够针对GaN器件的驱动要求，采用LDO运放钳位输出驱动电压上限的控制方法，确保输出驱动电压上线严格的钳位在6V左右。同时，采用检测输出驱动电压的大小2段驱动的方法，改善EMI效果。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请实施例提供的一种NMOS管的结构示意图；
[0018]图2是本申请实施例提供的一种PMOS管的结构示意图；
[0019]图3是本申请实施例提供的一种驱动电路的结构示意图；
[0020]图4是本申请实施例提供的一种驱动电路的另一结构示意图；
[0021]图5是本申请实施例提供的一种驱动电路的另一结构示意图；
[0022]图6是本申请实施例提供的一种驱动控制电路的结构示意图；
[0023]图7是本申请实施例提供的另一种驱动控制电路的结构示意图；
[0024]图8是本申请实施例提供的基于图5的驱动电路的信号的波形示意图。
具体实施方式
[0025]为了本
人员更好理解本申请的技术方案，下面结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的部分实施例，而并非全部的实施例。基于本申请实施例的描述，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请所保护的范围。
[0026]本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、软件、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是还包括没有列出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括：运放电路、比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路、第二驱动控制电路，其中，所述运放电路的同相输入端连接第一电源，所述运放电路的输出端连接所述第一NMOS管的第一端，所述第一NMOS管的第三端连接第二电源，所述第一MOS管的第二端通过第一电阻连接所述运放电路的反相输入端；所述比较器的同相输入端连接第三电源，所述比较器的输出端连接或门电路的第一输入端，所述或门电路的第二输入端用于接入驱动信号，所述驱动信号还被输入所述第一驱动控制电路的第一端；所述或门电路的输出端连接所述第二驱动控制电路的第一端，所述第二驱动控制电路的第二端连接第二PMOS管的第一端；所述第二PMOS管的第二端连接所述第一PMOS管的第二端以及所述第二NMOS管的第二端，所述第二PMOS管的第三端连接驱动端口，所述驱动端口用于驱动GaN功率管；所述第二NMOS管的第三端还通过第三电阻连接第四电阻的一端以及所述比较器的反相输入端；所述第二NMOS管的第一端通过第五电阻的一端连接所述第一NMOS管的第一端以及通过第一电容进行接地；所述第二NMOS管的第三端连接所述第二电源；所述第一驱动控制电路的第二端连接所述第一PMOS管的第一端，所述第一驱动控制电路的第三端连接所述第三NMOS管的第一端以及所述第二驱动控制电路的第三端，所述第三NMOS管连接所述第二PMOS管的第三端，所述第三NMOS管的第二端接地。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述运放电路、所述第一电阻、所述第二电阻、所述第一NMOS管用于形成LDO负反馈系统；所述负反馈系统用于通过所述第一电阻、所述第二电阻之间的比值，以及所述运放电路实现动态调节所述第一NMOS管的电流，以得到所述第一NMOS管的第二端的第一输出电压；当所述第一输出电压小于第一输出电压设计值时，所述运放电路的输出变高，通过所述第一NMOS管的电流增大，所述第一输出电压增加；反之，当所述第一输出电压大于或等于所述第一输出电压设计值时，所述运放电路的输出变低，通过所述第一NMOS管的电流减小，所述第一输出电压降低，实现动态调节所述第一NMOS管的第二端的第一输出电压。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第二NMOS管的第二端的第二输出电压与所述第一输出电压之间的差值的绝对值小于预设阈值。4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述第一输出电压由所述运放电路的同相输入端的输入电压、所述第一电阻和所述第二电阻确定；和/或，所述第二输出电压由所述运放电路的同相输入端的输入电压、所述第一电阻和所述第二电阻确定。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动信号用于通过所述第一驱动控制电路开启所述第一PMOS管，且关闭所述第三NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：江力，
申请(专利权)人：深圳英集芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：