【技术实现步骤摘要】
含磷硅烷化合物、其制造方法、树脂组合物及其制品
[0001]本专利技术主要涉及一种含磷硅烷化合物、其制造方法、树脂组合物及由其制成的物品,特别是关于一种可应用于半固化片、树脂膜、积层板(例如铜箔基板)及印刷电路板的反应型含磷硅烷化合物、其制造方法、树脂组合物及由其制成的物品。
技术介绍
[0002]近年来,电子技术正朝着更高集成度、更低功耗以及更高性能的方向发展,因此对高性能电子材料提出了更高的要求。
[0003]随着单位面积电子元器件的高度集成,为提高电子元器件的互连与安装可靠性,不仅要求材料具备更低的热膨胀率,以保证材料具备较高的尺寸稳定性,方便后续印刷电路板加工过程中的顺利定位,也要求材料具有足够的粘着力,以保证材料与金属线路能紧密粘结,不会因线路掉落而导致故障。
[0004]因此,如何设法降低绝缘层的热膨胀率并且兼顾其他特性,尤其是铜箔拉力、介电特性、阻燃性等等,已成为此领域中亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]有鉴于现有技术中所遭遇的问题,特别是现有材料无法满足上述一种或多种技术要求,本专利技术的主要目的在于提供一种能克服上述技术问题中的至少一种的含磷硅烷化合物及其制造方法。此外,本专利技术还提供一种能克服上述技术问题中的至少一种的树脂组合物,以及使用此树脂组合物制成的物品。
[0006]另一方面,为了改善现有技术的缺陷,特别是现有阻燃性材料使用于绝缘材料或树脂组合物提供阻燃性的同时,可能影响或恶化绝缘材料或树脂组合物的其他特性,例如出现板边条纹或板内流胶过低
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含磷硅烷化合物,其特征在于,具有SiR1(R2)
n
(R3)3‑
n
结构:其中R1为苯基,R2为乙烯基,R3各自独立为式(I)或式(II)所示结构,且n等于1或2。2.根据权利要求1所述的含磷硅烷化合物,其特征在于,具有以下式(III)至式(VI)所示结构的任一个:3.一种如权利要求1所述的含磷硅烷化合物的制造方法,其特征在于,包括将苯基三乙烯基硅烷与9,10
‑
二氢
‑9‑
氧杂
‑
10
‑
磷杂菲
‑
10
‑
氧化物或二苯基膦氧在温度160℃至200℃下进行反应的步骤。4.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述反应中不添加溶剂和引发剂。5.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,苯基三乙烯基硅烷与9,10
‑
二氢
‑9‑
氧杂
‑
10
‑
磷杂菲
‑
10
‑
氧化物或二苯基膦氧的反应官能基团的摩尔比介于3:1及3:2之间。6.一种树脂组合物,其特征在于,包括权利要求1所述的含磷硅烷化合物及树脂添加物。7.根据权利要求6所述的树脂组合物,其特征在于,所述树脂添加物包括含乙烯基树脂、苯乙烯马来酸酐树脂、环氧树脂、酚树脂、苯并噁嗪树脂、氰酸酯树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或其组合。
8.根据权利要求7所述的树脂组合物,其特征在于,所述含乙烯基树脂包括含乙烯基聚苯醚树脂、马来酰亚胺树脂、马来酰亚胺三嗪树脂、聚烯烃树脂、苯乙烯、二乙烯基苯、二(乙烯基苄基)醚、1,2,4
‑
三乙烯基环己烷、二(乙烯基苯基)乙烷、二(乙烯基苯基)己烷、双乙烯基苯基二亚甲基醚、双乙烯基苯基二亚甲基苯、三烯丙基异氰脲酸酯、三烯丙基氰脲酸酯、前述任一种成分的预聚物或其组合。9.根据权利要求8所述的树脂组合物,其特征在于,所述含乙烯基聚苯醚树脂包括末端乙烯苄基聚苯醚树脂、末端甲基丙烯酸酯聚苯醚树脂或其组合。10.根据权利要求9所述的树脂组合物,其特征在于,所述末端乙烯苄基聚苯醚树脂及所述末端甲基丙烯酸酯聚苯醚树脂分别包括式(VII)及式(VIII)所示的结构:所述末端甲基丙烯酸酯聚苯醚树脂分别包括式(VII)及式(VIII)所示的结构:其中,R1至R
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各自独立为H或
‑
CH3,W1及W2各自独立为C1至C3的二价脂肪族基团;b1为0至8的整数;Q1包括式(B
‑
1)至式(B
‑
...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡志龙,李长元,彭红霞,蔡联辉,李建照,
申请(专利权)人:中山台光电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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