一种IGBT针座结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT针座结构，包括：针座，其形成为圆柱体；连接部，外延形成在所述针座的顶部和底部的环形结构，其用于与覆铜陶瓷片电性连接；定位部，其形成在所述连接部上，其沿所述圆柱体径向布置。本实用新型专利技术的定位结构形成外延连接部上，在起到定位的同时对自身也能起到加强筋的作用。相对针座的结构是圆柱体加上下翻边，凸点则位于翻边的外边缘的现有技术，本实用新型专利技术采用定位加强筋作为定位部，相对现有技术本实用新型专利技术定位部在圆柱体的圆周方向变窄，给翻边足够的变形空间，降低翻边影响变形的概率。本实用新型专利技术的定位部延伸到圆柱体上，保证了连接部(翻边)向圆柱方向折弯针座依然能与覆铜陶瓷片保持垂直。弯针座依然能与覆铜陶瓷片保持垂直。弯针座依然能与覆铜陶瓷片保持垂直。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT针座结构


[0001]本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种IGBT针座结构。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
[0003]IGBT模块与PCB连接的方式是鱼眼针连接，成本低，高效率，操作简单，广泛应用于新能源汽车，而鱼眼针与覆铜陶瓷片的连接则是通过焊接在覆铜陶瓷片上的针座进行连接的。但是现有针座结构与覆铜陶瓷片实际接触的只有三个凸点，针座的结构是圆柱体加上下翻边，凸点则位于翻边的外边缘，翻边易变形直接连带定位凸点位置变化，造成针座焊接完后歪斜，最终导致鱼眼针与覆铜陶瓷片不垂直而报废。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0005]本技术要解决的技术问题是提供一种能将翻边变形对针座垂直度的影响降到最低，避免针座焊接完后歪斜的IGBT针座结构。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供的IGBT针座结构，包括：
[0007]针座，其形成为圆柱体；
[0008]连接部，外延形成在所述针座的顶部和底部的环形结构，其用于与覆铜陶瓷片电性连接；
[0009]定位部，其形成在所述连接部上，其沿所述圆柱体径向布置。
[0010]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，所述针座形成为中空圆柱体。
[0011]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，所述连接部被定位部分隔形成多个扇环。
[0012]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，所述定位部是定位筋。
[0013]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，所述定位部与覆铜陶瓷片接触的面形成为定位凹。
[0014]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，所述定位部与覆铜陶瓷片接触的面形成为定位凹，所述定位凹的对侧面形成为定位凸，定位筋的厚度大于连接部的厚度，其形成定位加强筋。
[0015]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，形成有至少三个所述定位部。
[0016]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，所述定位部将连接部均分为多个扇
环。
[0017]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，形成有三个所述定位部，各定位部位于针座圆柱体径向延长线上，各定位部延长线之间的夹角为120度。
[0018]可选择的，进一步改进所述的IGBT针座结构，所述定位部的宽度范围是0.1毫米
‑
0.35毫米。
[0019]本技术通过上述结构设计，至少能实现以下技术效果：
[0020]1、技术的定位结构形成外延连接部上，在起到定位的同时对自身也能起到加强筋的作用。
[0021]2、相对针座的结构是圆柱体加上下翻边，凸点则位于翻边的外边缘的现有技术，本技术采用定位加强筋作为定位部，相对现有技术本技术定位部在圆柱体的圆周方向变窄，给翻边足够的变形空间，降低翻边影响变形的概率。
[0022]3、本技术的定位部延伸到圆柱体上，保证了连接部(翻边)向圆柱方向折弯针座依然能与覆铜陶瓷片保持垂直。
附图说明
[0023]本技术附图旨在示出根据本技术的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本技术附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本技术附图不应当被解释为限定或限制由根据本技术的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细的说明：
[0024]图1是现有技术结构示意图一。
[0025]图2是现有技术结构示意图二，其显示图1中A
‑
A的剖面结构。
[0026]图3是本技术结构示意图一。
[0027]图4是本技术结构示意图二，其显示图3中B
‑
B的剖面结构。
[0028]附图标记说明
[0029]1是针座
[0030]2是覆铜陶瓷片
[0031]3是连接部
[0032]4是定位部.
具体实施方式
[0033]以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本技术的其他优点与技术效果。本技术还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离技术总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本技术下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
[0034]第一实施例；
[0035]参考图3结合图4所示，本技术提供一种IGBT针座结构，包括：
[0036]针座1，其形成为圆柱体；
[0037]连接部3，外延形成在所述针座的顶部和底部的环形结构，其用于与覆铜陶瓷片2电性连接；
[0038]定位部4，其形成在所述连接部上，其沿所述圆柱体径向布置。
[0039]第二实施例；
[0040]参考图3结合图4所示，本技术提供一种IGBT针座结构，包括：
[0041]针座1，其形成为所述针座形成为中空圆柱体；
[0042]连接部3，外延形成在所述针座的顶部和底部的环形结构，其用于与覆铜陶瓷片2电性连接；
[0043]定位部4，其形成在所述连接部上，其沿所述圆柱体径向布置。
[0044]第三实施例；
[0045]参考图3结合图4所示，本技术提供一种IGBT针座结构，包括：
[0046]针座1，其形成为所述针座形成为中空圆柱体；
[0047]连接部3，外延形成在所述针座的顶部和底部的环形结构，其用于与覆铜陶瓷片2电性连接，所述连接部被定位部分隔形成多个扇环；
[0048]定位部4，其形成在所述连接部上，其沿所述圆柱体径向布置。
[0049]第四实施例；
[0050]参考图3结合图4所示，本技术提供一种IGBT针座结构，包括：
[0051]针座1，其形成为所述针座形成为中空圆柱体；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT针座结构，其特征在于，包括：针座，其形成为圆柱体；连接部，外延形成在所述针座的顶部和底部的环形结构，其用于与覆铜陶瓷片电性连接；定位部，其形成在所述连接部上，其沿所述圆柱体径向布置。2.如权利要求1所述的IGBT针座结构，其特征在于：所述针座形成为中空圆柱体。3.如权利要求1所述的IGBT针座结构，其特征在于：所述连接部被定位部分隔形成多个扇环。4.如权利要求1所述的IGBT针座结构，其特征在于：所述定位部是定位筋。5.如权利要求4所述的IGBT针座结构，其特征在于：所述定位部与覆铜陶瓷片接触的面形成为定位凹。6.如权利要求4所述的IGBT针座结构，其特征在于：所述定位部与覆铜陶瓷片接触的面形成为定位凹，所述定位凹的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈婵，殷诚，
申请(专利权)人：上汽英飞凌汽车功率半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：