点火控制方法、成膜方法和成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供点火控制方法、成膜方法和成膜装置。点火控制方法在成膜装置中执行，成膜装置具有：能够收纳基片的处理容器；形成在处理容器的等离子体箱；以夹着等离子体箱的方式配置的电极对；和经由具有可变电容器的匹配器与电极对连接的RF电源，点火控制方法的特征在于，包括：将第一信息和第二信息预先存储在存储部中的步骤，第一信息表示向电极对施加第一频率的高频电压时的可变电容器的多个调节位置各自的电极间的电压，第二信息表示电极与基片间的电压；参照存储部，基于第一信息和第二信息来确定可变电容器的初始位置的步骤；和将可变电容器的调节位置设定为初始位置，从等离子体箱和处理容器中选择等离子体点火的区域的步骤。的步骤。的步骤。

【技术实现步骤摘要】
点火控制方法、成膜方法和成膜装置


[0001]本专利技术涉及点火控制方法、成膜方法和成膜装置。

技术介绍

[0002]专利文献1和专利文献2公开了将多个基片收纳在处理容器中，利用ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法在多个基片上形成氮化膜的分批式成膜装置。
[0003]专利文献1提出了一种成膜方法，其包括：供给含硅的原料气体的工序；供给利用等离子体进行了活化的氢气的工序；供给利用热进行了活化的氮化气体，对硅元素进行氮化的工序；和在各工序之间供给吹扫气体的工序。由此，能够以成为期望的膜厚分布的方式形成氮化硅膜。
[0004]专利文献2提出了一种成膜方法，其包括：供给含硅的原料气体的工序；供给改性气体的工序，其中，改性气体包含利用等离子体进行了活化的氢气；供给利用热进行了活化的氮化气体，对硅元素进行氮化的工序；和在各工序之间供给吹扫气体的工序。由此，能够降低对用于形成氮化硅膜的基底膜的损伤。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2020
‑
161722号公报
[0008]专利文献2：日本特开2020
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113743号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术问题
[0010]本专利技术提供能够提高在基片上形成的膜的膜厚和膜质的控制性的技术。
[0011]用于解决技术问题的手段
[0012]根据本专利技术的一个方面，提供一种点火控制方法，其为在成膜装置中执行的点火控制方法，所述成膜装置具有：能够收纳基片的处理容器；形成在所述处理容器的等离子体箱；以夹着所述等离子体箱的方式配置的电极对；和经由具有可变电容器的匹配器与所述电极对连接的RF电源，所述点火控制方法的特征在于，包括：存储步骤，将第一信息和第二信息预先存储在存储部中，其中，所述第一信息表示从所述RF电源向所述电极对施加第一频率的高频电压时的所述可变电容器的多个调节位置各自的所述电极间的电压，所述第二信息表示从所述RF电源向所述电极对施加第一频率的高频电压时的所述可变电容器的多个调节位置各自的所述电极与基片间的电压；初始位置确定步骤，参照所述存储部，基于所述第一信息和所述第二信息来确定所述可变电容器的初始位置；和等离子体点火区域选择步骤，将所述可变电容器的调节位置设定为所述初始位置，从所述等离子体箱和所述处理容器中选择等离子体点火的区域。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本专利技术的一个方面，能够提高在基片上形成的膜的膜厚和膜质的控制性。
附图说明
[0015]图1是实施方式的成膜装置的构造图。
[0016]图2是实施方式的电极间电压和电极
‑
晶片间电压的说明图。
[0017]图3是实施方式的成膜装置的气体供给源和控制部的说明图。
[0018]图4是表示帕邢(Paschen)曲线的图。
[0019]图5是表示施加13.56MHz的RF时的可变电容器的各调节位置处的电极间电压和电极
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晶片间电压的表的例子。
[0020]图6是表示施加14.56MHz的RF时的可变电容器的各调节位置处的电极间电压和电极
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晶片间电压的表的例子。
[0021]图7是可变电容器的初始位置的说明图。
[0022]图8是可变电容器的初始位置的说明图。
[0023]图9是表示实施方式的点火控制方法的流程图。
[0024]图10是表示实施方式的点火控制方法的时序图。
[0025]图11是表示实施方式的成膜方法的流程图。
[0026]图12是表示实施方式的成膜方法的时序图。
[0027]附图标记说明
[0028]10成膜装置，11处理容器，19等离子体箱，53匹配器，57第一可变电容器，58第二可变电容器，100控制部。
具体实施方式
[0029]下面，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。在各附图中，存在对相同的构成部分标注相同的附图标记，省略重复说明的情况。
[0030][成膜装置][0031]首先，参照图1对本实施方式的成膜装置10进行说明。图1是表示实施方式的成膜装置10的图。成膜装置10能够将多个晶片收纳在处理容器11中，利用ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法在多个晶片上形成氮化膜。成膜装置10是执行这样的成膜方法的装置的一个例子。
[0032]成膜装置10是能够处理多个晶片的分批式的立式热处理装置。但是，成膜装置10并不限于这样的热处理装置。例如，成膜装置10也可以是能够逐片地处理晶片的单片式的装置。此外，成膜装置10也可以是半分批式的装置。半分批式的装置可以是能够使围绕旋转台的旋转中心线配置的多块晶片与旋转台一起旋转，并使其依次通过被供给不同气体的多个区域的装置。
[0033]氮化膜例如是氮化硅膜(SiN)，但是并不限于此。由本实施方式的成膜装置10执行的成膜方法形成的氮化硅膜，可以通过向晶片交替地供给原料气体(例如，二氯硅烷气体)和氮化气体(例如，氨(NH3)气)的等离子体而在晶片上形成。
[0034]在这样的成膜方法中，在晶片的面内形成的氮化膜的膜厚有在晶片的边缘变厚的趋势。为了抑制这种情况，有通过在供给氨气的等离子体的工序之前供给氮(N2)气的等离子体来抑制晶片的边缘的膜厚的方法，但是期望进一步的膜厚调节。因此，在本实施方式的成膜方法中，能够提供能够进一步提高膜厚和膜质的控制性的技术。
[0035]成膜装置10具有：能够收纳晶片2的处理容器11，在处理容器11的内部形成有能够处理晶片2的空间；能够将处理容器11的下端的开口气密地封闭的盖体20；和用于保持晶片2的基片保持件30。晶片2例如是半导体基片，更详细而言，例如是硅晶片。基片保持件30也被称为晶舟。
[0036]处理容器11具有下端开放的有顶部的圆筒形状的处理容器主体12。处理容器主体12由例如石英形成。在处理容器主体12的下端形成有凸缘部13。此外，处理容器11具有例如圆筒形状的歧管14。歧管14由例如不锈钢形成。在歧管14的上端形成有凸缘部15，处理容器主体12的凸缘部13设置在该凸缘部15上。在凸缘部15与凸缘部13之间配置有O形环等密封部件16。
[0037]盖体20能够经由O形环等密封部件21气密地安装在歧管14的下端的开口。盖体20由例如不锈钢形成。在盖体20的中央部形成有在铅垂方向上贯穿盖体20的贯通孔。在该贯通孔配置有旋转轴24。盖体20与旋转轴24之间的间隙由磁性流体密封部23密封。旋转轴24的下端部被可旋转地支承在升降部25的臂26上。在旋转轴24的上端部设置有旋转板27。基片保持件30隔着保温台28设置在旋转板27上。
[0038]基片保持件30能够将多块晶片2在铅垂方向上隔开间隔地保持。多块晶片2各自被水平地保持。基片保持件30由例如石英(S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种点火控制方法，其为在成膜装置中执行的点火控制方法，所述成膜装置具有：能够收纳基片的处理容器；形成在所述处理容器的等离子体箱；以夹着所述等离子体箱的方式配置的一对电极；和经由具有可变电容器的匹配器与所述一对电极连接的RF电源，所述点火控制方法的特征在于，包括：存储步骤，将第一信息和第二信息预先存储在存储部中，其中，所述第一信息表示从所述RF电源向所述一对电极施加第一频率的高频电压时的所述可变电容器的多个调节位置各自的所述电极间的电压，所述第二信息表示从所述RF电源向所述一对电极施加第一频率的高频电压时的所述可变电容器的多个调节位置各自的所述电极与基片间的电压；初始位置确定步骤，参照所述存储部，基于所述第一信息和所述第二信息来确定所述可变电容器的初始位置；和等离子体点火区域选择步骤，将所述可变电容器的调节位置设定为所述初始位置，从所述等离子体箱和所述处理容器中选择等离子体点火的区域。2.根据权利要求1所述的点火控制方法，其特征在于：所述初始位置确定步骤中，基于所述等离子体箱的第一匹配位置的信息、所述处理容器的第二匹配位置的信息、所述第一信息和所述第二信息，来确定所述可变电容器的初始位置。3.根据权利要求1或2所述的点火控制方法，其特征在于：所述存储步骤中，将第三信息和第四信息预先存储在所述存储部中，其中，所述第三信息表示从所述RF电源向所述一对电极施加与所述第一频率不同的第二频率的高频电压时的所述可变电容器的多个调节位置各自的所述电极间的电压，所述第四信息表示从所述RF电源向所述一对电极施加与所述第一频率不同的第二频率的高频电压时的所述可变电容器的多个调节位置各自的所述电极与基片间的电压，所述RF电源能够可变地控制频率，所述点火控制方法具有将所述RF电源的频率控制为所述第二频率的步骤，所述初始位置确定步骤中，在所述RF电源的频率被控制为所述第二频率时，参照所述存储部，基于所述第三信息和所述第四信息来更新所...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林健，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：