【技术实现步骤摘要】
晶圆处理系统及晶圆处理方法
[0001]本专利技术涉及一种晶圆处理系统及晶圆处理方法。
技术介绍
[0002]通常,作为半导体制造设备的晶圆处理系统包括采用诸如蚀刻、蒸镀、离子注入工艺等的半导体工艺处理晶圆的处理模块。
[0003]然而,以往的晶圆处理系统构成为处理单一种类的晶圆。
[0004]因此,以往的晶圆处理系统无法同时处理彼此不同种类的晶圆,于是,为了处理不同种类的晶圆,需要将半导体制造设备改造成能够在对一种的晶圆的处理全部结束后再处理另一种晶圆,因而存在作业效率和生产率降低的问题。
技术实现思路
[0005]技术问题
[0006]本专利技术的目的在于,提供一种可以同时处理彼此不同种类的晶圆,因而不但能够复合性地生产多种类型的晶圆,而且还能够节省作业时间,并使作业效率和生产率最大化的晶圆处理系统及晶圆处理方法。
[0007]技术方案
[0008]本专利技术的一实施例的晶圆处理系统可以包括:一对处理模块,其构成为处理彼此不同种类的晶圆;一对匣盒模块,其构成为容纳所述彼此不同的晶圆;以及移送模块,其构成为在所述一对处理模块与所述一对匣盒模块之间分别移送所述彼此不同种类的晶圆。
[0009]所述移送模块可以包括能够旋转地构成的至少一个机械臂,并且所述一对处理模块可以包括:第一处理模块,其沿所述机械臂的旋转方向配置于第一位置,并且构成为处理第一晶圆;以及第二处理模块,其沿所述机械臂的旋转方向配置于与所述第一位置不同的第二位置,并且构成为处理与所述第一晶圆 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理系统,其特征在于,包括:一对处理模块,其构成为处理彼此不同种类的晶圆;一对匣盒模块,其构成为容纳所述彼此不同种类的晶圆;以及移送模块,其构成为在所述一对处理模块与所述一对匣盒模块之间分别移送所述彼此不同种类的晶圆,所述移送模块包括能够旋转地构成的至少一个机械臂,并且所述一对处理模块分别以所述移送模块为中心与所述一对匣盒模块中的每一个对向地配置。2.根据权利要求1所述的晶圆处理系统,其特征在于,所述一对处理模块包括:第一处理模块,其沿所述机械臂的旋转方向配置于第一位置,并且构成为处理第一晶圆;以及第二处理模块,其沿所述机械臂的旋转方向配置于与所述第一位置不同的第二位置,并且构成为处理与所述第一晶圆不同种类的第二晶圆。3.根据权利要求2所述的晶圆处理系统,其特征在于,所述一对匣盒模块包括:第一匣盒模块,其沿所述机械臂的旋转方向配置于与所述第二位置不同的第三位置,并且容纳所述第一晶圆;以及第二匣盒模块,其沿所述机械臂的旋转方向配置于与所述第三位置不同的第四位置,并且容纳所述第二晶圆。4.根据权利要求3所述的晶圆处理系统,其特征在于,所述第一处理模块和所述第二处理模块沿所述机械臂的旋转方向配置于所述第一匣盒模块与所述第二匣盒模块之间。5.根据权利要求2所述的晶圆处理系统,其特征在于,所述第一晶圆和所述第二晶圆具有彼此不同的直径。6.根据权利要求1所述的晶圆处理系统,其特征在于,还包括一对对准模块,其构成为在所述一对匣盒模块与所述移送模块之间使所述彼此不同种类的晶圆对准。7.一种晶圆处理系统,其特征在于,包括:第一匣盒模块,其储存第一晶圆;第一处理模块,其处理从所述第一匣盒模块移送的所述第一晶圆;第二匣盒模块,其储存与所述第一晶圆不同种类的第二晶圆;第二处理模块,其处理从所述第二匣盒模块移送的所述第二晶圆;以及移送模块,其具有构成为移送所述第一晶圆的第一机械臂、以及构成为移送所述第二晶圆的第二机械臂,并且所述第一处理模块以所述移送模块为中心与所述第一匣盒模块对向地配置,所述第二处理模块以所述移送模块为中心与所述第二匣盒模块对向地配置。8.根据权利要求7所述的晶圆处理系统,其特征在于,所述第一晶圆和所述第二晶圆具有彼此不同的直径。
9.根据权利要求7所述的晶圆处理系统,其特征在于,所述第一机械臂包括一对第一叉,该一对第一叉构成为支撑所述第一晶圆的底面,所述第二机械臂包括一对第二叉,该一对第二叉构成为支撑所述第二晶圆的底面,所述一对第一叉和所述一对第二叉具有彼此不同的长度和彼此不同的间距中的至少一个。10.根据权利要求9所述的晶圆处理系统,其特征在于,所述第一机械臂还包括第一导向件,该第一导向件沿所述第一晶圆的半径方向支撑所述第一晶圆的端部,并且包括具有第一半径的圆弧形状的第一导向面,所述第二机械臂还包括第二导向件,该第二导向件沿所述第二晶圆的半径方向支撑所述第二晶圆的端部,并且包括具有大于所述第一半径的第二半径的圆弧形状的第二导向面。11.一种晶圆处理方法,其特征在于,包括:通过构成为分别移送彼此不同的种类的晶圆并且包括能够旋转地构成的一对机械臂的移送模块将容纳在第一匣盒模块中的第一晶圆移送到第一处理模块的第一晶圆移送步骤;由所述第一处理模块处理所述第一晶圆的第一晶圆处理步骤;通过所述移送模块将容纳在第二匣盒模块中的与所述第一晶圆不同种类的第二晶圆移送到具有与所述第一处理模块不同工艺环境的第二处理模块的第二晶圆移送步骤;以及由所述第二处理模块处理所述第二晶圆的第二晶圆处理步骤,并且所述第一处理模块以所述移送模块为中心与所述第一匣盒模块对向地配置,所述第二处理模块以所述移送模块为中心与所述第二匣盒模块对向地配置。12.根据权利要求11所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述第一晶圆和所述第二晶圆具有彼此不同的直径。13.根据权利要求11所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述第一晶圆移送步骤包括:将所述第一晶圆供应至所述第一匣盒模块的第一晶圆供应步骤;将容纳在所述第一匣盒模块中的所述第一晶圆装载到第一机械臂上的第一晶圆装载步骤;移动所述第一机械臂以将所述第一晶圆配置于所述第一处理模块的内部的第一晶圆搬运步骤;以及将装载在所述第一机械臂上的所述第一晶圆卸载到所述第一处理模块的第一晶圆卸载步骤。14.根据权利要求13所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述第一晶圆供应步骤包括:将所述第一匣盒模块的内部形成为大气压状态的第一大气压形...
【专利技术属性】
技术研发人员:金亨源,蔡熙星,郑熙锡,
申请(专利权)人:吉佳蓝科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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