半导体处理设备制造技术

一种半导体处理装置，包括供液装置和承接装置，所述承接装置在制程开始前，控制承接槽底部的出液口关闭，并将所述承接槽移动到所述喷嘴下方以及所述待处理晶圆上方的喷吐位置，此时，所述供液装置控制喷嘴向所述承接槽中喷吐药液，所述传感单元检测所述药液的实时流量，所述承接槽中的药液通过排液单元实时排出，当所述传感单元检测的实时流量达到预设流量时，所述承接装置控制所述承接槽底部的出液口打开，所述喷嘴喷吐的药液穿过所述出液口喷吐到待处理晶圆的表面，制程开始。从而保证制程过程中的药液的时间/流量与设定匹配，使得制程过程中药液量或体积足够，且避免了制程结束后喷嘴离开时药液非正常下滴的情况，从而改善制程效果。善制程效果。善制程效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理设备


[0001]本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体处理设备。

技术介绍

[0002]晶圆的制造工艺通常包括光刻、离子注入、刻蚀、化学机械研磨、气相沉积等诸多工序。在进行相关工序之后，例如对晶圆进行化学机械研磨之后，需要对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面上的杂质。若对晶圆清洗不充分，使得晶圆表面残留杂质和/或颗粒，则在下一工序中，就可能损坏晶圆，导致晶圆报废。
[0003]因此，如何清除晶圆表面的杂质和/或颗粒一直是半导体
的研究热点，现有通常会在执行一道相关半导体工艺后，采用晶圆清洗设备对晶圆进行清洁，用于去除可能形成在晶圆表面的杂质和/或颗粒。
[0004]但是采用现有的晶圆清洗设备进行清洗时，会存在药液体积不足的问题，影响制程精度和良率。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本申请一些实施例提供了一种半导体处理设备，包括：
[0006]供液装置，所述供液装置包括供液单元、喷嘴和传感单元，所述供液单元用于供应药液，所述喷嘴用于将所述供液单元供应的药液喷吐出，所述传感单元用于检测所述供液单元中供应的药液的实时流量，所述供液装置还用于在制程开始前将所述喷嘴移动到待处理晶圆上方的喷吐位置；
[0007]承接装置，所述承接装置包括承接槽和与承接槽连接的排液单元，所述承接槽的底部具有能打开或关闭的出液口，所述承接槽用于承接所述喷嘴喷吐的药液，所述排液单元用于将所述承接槽中的药液排出，所述承接装置还用于在制程开始前，控制所述承接槽底部的出液口关闭，并将所述承接槽随同所述喷嘴移动到所述待处理晶圆上方的喷吐位置，所述供液装置控制喷嘴向所述承接槽中喷吐药液，所述传感单元检测所述药液的实时流量，所述承接槽中的药液通过排液单元实时排出，当所述传感单元检测的实时流量达到预设流量时，所述承接装置控制所述承接槽底部的出液口打开，所述喷嘴喷吐的药液穿过所述出液口喷吐到待处理晶圆的表面，制程开始。
[0008]在一些实施例中，所述供液装置还用于在所述制程结束时，控制喷嘴停止喷吐液滴以及将所述喷嘴移动到初始位置，所述承接装置还用于在所述制程结束时，控制所述出液口关闭以及将所述承接槽随同所述喷嘴同步移动到初始位置。
[0009]在一些实施例中，所述承接槽和出液口的数量均为一个。
[0010]在一些实施例中，所述承接槽包括上承接槽和位于上承接槽下方的下承接槽，所述排液单元分别与所述上承接槽和下承接槽连接，所述出液口包括内出液口和外出液口，所述内出液口位于所述上承接槽的底部，所述外出液口位于所述下承接槽的底部，所述内出液口和外出液口均能打开或关闭。
[0011]在一些实施例中，所述承接装置在制程开始前，控制所述上承接槽底部的内出液口和下承接槽底部的外出液口均关闭；当所述传感单元检测的实时流量达到预设流量时，所述承接装置先控制所述下承接槽底部的外出液口打开，然后控制所述上承接槽底部的内出液口打开。
[0012]在一些实施例中，在制程结束时，所述承接装置先控制所述上承接槽底部的内出液口关闭，然后控制所述下承接槽底部的外出液口关闭。
[0013]在一些实施例中，所述承接装置还包括气体吹扫单元，用于在所述出液口关闭后，吹扫所述出液口。
[0014]在一些实施例中，所述气体吹扫单元喷出的气体为惰性气体。
[0015]在一些实施例中，当所述出液口包括内出液口和外出液口时，所述气体吹扫单元包括上出气口和下出气口，所述上出气口用于对内出液口进行吹扫，所述下出气口用于对外出液口进行吹扫。
[0016]在一些实施例中，所述供液装置在所述喷嘴和承接槽到达喷吐位置之后，控制所述喷嘴向所述承接槽中喷吐药液，所述传感单元检测所述药液的实时流量，所述承接槽中的药液通过排液单元实时排出，当所述传感单元检测的实时流量达到预设流量时，所述承接装置控制所述承接槽底部的出液口打开，所述喷嘴喷吐的药液穿过所述出液口喷吐到待处理晶圆的表面，制程开始。
[0017]在一些实施例中，所述供液装置在所述喷嘴和承接槽到达喷吐位置之前，控制所述喷嘴向所述承接槽中喷吐药液，所述传感单元检测所述药液的实时流量，所述承接槽中的药液通过排液单元实时排出，当所述喷嘴和承接槽到达喷吐位置之后，所述传感单元检测的实时流量达到预设流量时，所述承接装置控制所述承接槽底部的出液口打开，所述喷嘴喷吐的药液穿过所述出液口喷吐到待处理晶圆的表面，制程开始。
[0018]在一些实施例中，所述供液装置的供液单元包括供液端和供液管路，所述供液管路的入口端连接供液端，所述供液管路的出口端连接喷嘴，所述供液管路上设置有第一开关阀和第一回吸阀，所述第一开关阀用于控制所述供液管路中药液的通断，所述第一回吸阀用于控制供液管路和喷嘴中的回吸量。
[0019]在一些实施例中，所述传感单元设置于供液管路上，所述传感单元包括流量计。
[0020]在一些实施例中，所述承接装置的排液单元包括排液管路，所述排液管路的一端连接所述承接槽，所述排液管路的另一端连接工厂下排端，所述排液管路上设置有第二开关阀和第二回吸阀，所述第二开关阀用于控制所述排液管路中药液的通断，所述第二回吸阀用于控制排液管路中的回吸量。
[0021]在一些实施例中，所述供液装置和承接装置还包括驱动单元，所述驱动单元具有可动端，所述供液装置的喷嘴和所述承接装置的承接槽均固定在所述驱动单元的可动端上，所述承接槽位于所述喷嘴下方，所述驱动单元驱动所述喷嘴和承接槽同时移动。
[0022]在一些实施例中，所述供液装置还包括第一驱动单元，所述承接装置还包括第二驱动单元，所述第一驱动单元具有第一可动端，所述供液装置的喷嘴固定在所述第一可动端，所述第一驱动单元驱动所述喷嘴移动，所述第二驱动单元具有第二可动端，所述承接装置的承接槽固定在所述第二可动端上，所述第二驱动单元驱动所述承接槽移动。
[0023]在一些实施例中，半导体处理设备还包括控制单元，所述控制单元用于发出控制
信号控制所述供液装置和承接装置进行相应的操作。
[0024]在一些实施例中，所述控制单元至少用于在制程开始前，向所述供液装置发送第一控制信号以及向所述承接装置发送第二控制信号，所述供液装置接收第一控制信号后，将所述喷嘴移动到待处理晶圆上方的喷吐位置，所述承接装置接收第二控制信号后控制所述承接槽底部的出液口关闭，并将所述承接槽随同所述喷嘴移动到所述待处理晶圆上方的喷吐位置，所述承接槽移动到喷吐位置后，所述承接装置向控制单元发送第一反馈信号，所述控制单元在接收到第一反馈信号后向供液装置发送第三控制信号，所述供液装置在接收到第三控制信号后控制所述喷嘴向所述承接槽中喷吐药液，所述传感单元检测所述药液的实时流量，并将所述检测的实时流量发送给控制单元，控制单元将所述检测的实时流量与预设流量进行比较，当所述检测的实时流量达到预设流量时，所述控制单元向所述承接装置发送第四控制信号，所述承接装置在接收到第四控制信号时控制所述承接槽底部的出液口打开。
[0025]在一些实施例中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：供液装置，所述供液装置包括供液单元、喷嘴和传感单元，所述供液单元用于供应药液，所述喷嘴用于将所述供液单元供应的药液喷吐出，所述传感单元用于检测所述供液单元中供应的药液的实时流量，所述供液装置还用于在制程开始前将所述喷嘴移动到待处理晶圆上方的喷吐位置；承接装置，所述承接装置包括承接槽和与承接槽连接的排液单元，所述承接槽的底部具有能打开或关闭的出液口，所述承接槽用于承接所述喷嘴喷吐的药液，所述排液单元用于将所述承接槽中的药液排出，所述承接装置还用于在制程开始前，控制所述承接槽底部的出液口关闭，并将所述承接槽随同所述喷嘴移动到所述待处理晶圆上方的喷吐位置，所述供液装置控制喷嘴向所述承接槽中喷吐药液，所述传感单元检测所述药液的实时流量，所述承接槽中的药液通过排液单元实时排出，当所述传感单元检测的实时流量达到预设流量时，所述承接装置控制所述承接槽底部的出液口打开，所述喷嘴喷吐的药液穿过所述出液口喷吐到待处理晶圆的表面，制程开始。2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述供液装置还用于在所述制程结束时，控制喷嘴停止喷吐液滴以及将所述喷嘴移动到初始位置，所述承接装置还用于在所述制程结束时，控制所述出液口关闭以及将所述承接槽随同所述喷嘴同步移动到初始位置。3.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述承接槽和出液口的数量均为一个。4.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述承接槽包括上承接槽和位于上承接槽下方的下承接槽，所述排液单元分别与所述上承接槽和下承接槽连接，所述出液口包括内出液口和外出液口，所述内出液口位于所述上承接槽的底部，所述外出液口位于所述下承接槽的底部，所述内出液口和外出液口均能打开或关闭。5.如权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述承接装置在制程开始前，控制所述上承接槽底部的内出液口和下承接槽底部的外出液口均关闭；当所述传感单元检测的实时流量达到预设流量时，所述承接装置先控制所述下承接槽底部的外出液口打开，然后控制所述上承接槽底部的内出液口打开。6.如权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，在制程结束时，所述承接装置先控制所述上承接槽底部的内出液口关闭，然后控制所述下承接槽底部的外出液口关闭。7.如权利要求3或6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述承接装置还包括气体吹扫单元，用于在所述出液口关闭后，吹扫所述出液口。8.如权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述气体吹扫单元喷出的气体为惰性气体。9.如权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，当所述出液口包括内出液口和外出液口时，所述气体吹扫单元包括上出气口和下出气口，所述上出气口用于对内出液口进行吹扫，所述下出气口用于对外出液口进行吹扫。10.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述供液装置在所述喷嘴和承接槽到达喷吐位置之后，控制所述喷嘴向所述承接槽中喷吐药液，所述传感单元检测所述药液的实时流量，所述承接槽中的药液通过排液单元实时排出，当所述传感单元检测的实
时流量达到预设流量时，所述承接装置控制所述承接槽底部的出液口打开，所述喷嘴喷吐的药液穿过所述出液口喷吐到待处理晶圆的表面，制程开始。11.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述供液装置在所述喷嘴和承接槽到达喷吐位置之前...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱苏凯，黄焱誊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：