晶片贯穿型缺陷检测装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供了一种晶片贯穿型缺陷检测装置和方法，涉及晶片质量检测技术领域，该晶片贯穿型缺陷检测装置包括底座、密封容纳筒、晶片放置台和图像采集器，密封容纳筒设置在底座上，晶片放置台设置在密封容纳筒的顶端，并设置有卡槽，卡槽的底壁开设有贯通至密封容纳筒的导通孔，底座上还设置有烟雾产生器，图像采集器设置在晶片放置台远离底座的一侧。相较于现有技术，本发明专利技术提供的晶片贯穿型缺陷检测装置和方法，通过有色烟雾来实现对贯穿型缺陷的暴露和检测，避免了采用复杂的光学设备，实现了小尺寸贯穿型缺陷的检测，并且结构简单、操作方便，简化了检测过程，检测效果好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
晶片贯穿型缺陷检测装置和方法


[0001]本专利技术涉及晶片质量检测
，具体而言，涉及一种晶片贯穿型缺陷检测装置和方法。

技术介绍

现有技术中，碳化硅晶体在生长过程中，可能会产生缺陷，而在切割后形成晶片后，通常需要对晶片表面质量进行检测。其中，针对晶片的贯穿型缺陷，例如螺位错(TSD)、刃位错(TED)及微管缺陷，常规的检测手段通常是光学检测，即通过特殊的光学设备，利用强光灯照射加以辨认，而对于尺寸小的贯穿型缺陷，需要通过其它设备辅助，导致整个检测装置结构复杂，检测过程繁琐，操作不方便。

技术实现思路

[0002]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种晶片贯穿型缺陷检测装置和方法，其能够实现小尺寸贯穿型缺陷的检测，同时结构简单，操作方便，简化了检测过程，检测效果好。
[0003]本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术提供一种晶片贯穿型缺陷检测装置，包括底座、密封容纳筒、晶片放置台和图像采集器，所述密封容纳筒设置在所述底座上，所述晶片放置台设置在所述密封容纳筒的顶端，并设置有用于放置晶片的卡槽，所述卡槽的底壁开设有贯通至所述密封容纳筒的导通孔，且所述卡槽的边缘用于承载所述晶片，并与所述晶片的边缘密封接触，所述底座上还设置有烟雾产生器，所述烟雾产生器用于向所述密封容纳筒内通入有色烟雾，所述图像采集器设置在所述晶片放置台远离所述底座的一侧，用于获取所述晶片远离所述底座一侧的图像信息，并确定所述晶片上贯穿型缺陷的位置。
[0004]在可选的实施方式中，所述晶片放置台上还设置有若干个晶片卡扣，所述晶片卡扣用于选择性地扣合在所述晶片的边缘，以使所述晶片固定在所述晶片放置台上。
[0005]在可选的实施方式中，所述晶片卡扣包括弹性压合件、拨动杆和转轴，所述转轴可转动地设置在所述晶片放置台上，并位于所述卡槽的边缘外侧，所述弹性压合件具有朝向所述底座方向的弹力，且所述弹性压合件的一端连接于所述转轴，另一端用于弹性压合在所述晶片的边缘，以固定所述晶片，所述拨动杆设置在所述弹性压合件的中部，并向上凸起。
[0006]在可选的实施方式中，所述弹性压合件远离所述转轴的一端设置有缓冲压条，所述缓冲压条用于压合在所述晶片的边缘，以缓冲所述弹性压合件施加的压力。
[0007]在可选的实施方式中，所述卡槽的边缘设置有第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈位于所述卡槽的底壁上，用于密封抵持在所述晶片的底侧边缘，所述第二密封圈位于所述卡槽的侧壁上，用于密封抵持在所述晶片的周缘侧壁上。
[0008]在可选的实施方式中，所述烟雾产生器包括点火件、燃烧室、缓冲阀和传输管，所述燃烧室内放置有用于产生有色烟雾的化学制剂，所述点火件设置在所述燃烧室内，用于
点燃所述化学制剂，所述传输管的一端连接至所述燃烧室，另一端连接至所述密封容纳筒，所述缓冲阀设置在所述传输管上，用于调节所述传输管的传输压力，所述传输管用于将所述烟雾传递至所述密封容纳筒。
[0009]在可选的实施方式中，所述图像采集器包括CCD镜头和控制模块，所述CCD镜头设置在所述晶片放置台上方，并与所述控制模块通信连接，用于获取所述晶片远离所述底座一侧表面的图像信息，所述控制模块与所述烟雾产生器通信连接，用于在所述烟雾产生器向所述密封容纳筒通入所述有色烟雾的情况下启动所述CCD镜头，并依据所述图像信息获取所述晶片的贯穿型缺陷的位置信息。
[0010]在可选的实施方式中，所述密封容纳筒内还设置有压力传感器，所述压力传感器与所述控制模块通信连接，用于检测所述密封容纳筒内的气压，所述控制模块还用于在所述密封容纳筒内的气压达到预设值后启动所述CCD镜头。
[0011]在可选的实施方式中，所述图像采集器还包括计时模块，所述计时模块同时与所述控制模块和所述CCD镜头通信连接，所述计时模块用于在所述CCD镜头启动后开始计时，并在预设时间后生成截止信息，所述控制模块还用于依据所述截止信息停止所述CCD镜头。
[0012]第二方面，本专利技术提供一种晶片贯穿型缺陷检测方法，适用于如前述实施方式任一项所述的晶片贯穿型缺陷检测装置，所述检测方法包括：将晶片安装在晶片放置台上；向密封容纳筒中通入有色烟雾；获取所述晶片远离底座一侧的图像信息；根据所述图像信息获取所述晶片的贯穿型缺陷的位置信息。
[0013]本专利技术实施例的有益效果包括，例如：本专利技术实施例提供的晶片贯穿型缺陷检测装置和方法，在密封容纳筒的顶端设置晶片放置台，通过将晶片设置在晶片放置台的卡槽中，并将卡槽的边缘与晶片的边缘密封接触，使得晶片与密封容纳筒能够形成密闭的空间，然后通过烟雾产生器向密封容纳筒内通入有色烟雾，当有色烟雾充满密封容纳筒后，在气压作用下，有色烟雾会沿着晶片的贯穿型缺陷向外渗出，并到达晶片的顶侧表面，此时利用图像采集器获取晶片的图像信息，并对图像信息进行分析后即可得到缺陷位置，从而实现晶片的缺陷检测。相较于现有技术，本专利技术提供的晶片贯穿型缺陷检测装置和方法，通过有色烟雾来实现对贯穿型缺陷的暴露和检测，避免了采用复杂的光学设备，实现了小尺寸贯穿型缺陷的检测，并且结构简单、操作方便，简化了检测过程，检测效果好。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0015]图1为本专利技术实施例提供的晶片贯穿型缺陷检测装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的晶片贯穿型缺陷检测装置的装配结构示意图；图3为图2中晶片放置台在第一视角下的连接结构示意图；
图4为图2中晶片放置台在第二视角下的连接结构示意图；图5为图1中烟雾产生器的连接结构示意图；图6为图1中图像采集器的控制示意图。
[0016]图标：100
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晶片贯穿型缺陷检测装置；110
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底座；130
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密封容纳筒；131
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压力传感器；133
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电子泄压阀；150
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晶片放置台；151
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卡槽；1511
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第一密封圈；1513
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第二密封圈；153
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晶片卡扣；155
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弹性压合件；157
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拨动杆；158
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转轴；159
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缓冲压条；170
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图像采集器；171
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CCD镜头；173
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控制模块；175
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计时模块；190
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烟雾产生器；191
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点火件；193
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燃烧室；195
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缓冲阀；197
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传输管；200
‑
晶片。
具体实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片贯穿型缺陷检测装置，其特征在于，包括底座（110）、密封容纳筒（130）、晶片放置台（150）和图像采集器（170），所述密封容纳筒（130）设置在所述底座（110）上，所述晶片放置台（150）设置在所述密封容纳筒（130）的顶端，并设置有用于放置晶片（200）的卡槽（151），所述卡槽（151）的底壁开设有贯通至所述密封容纳筒（130）的导通孔，且所述卡槽（151）的边缘用于承载所述晶片（200），并与所述晶片（200）的边缘密封接触，所述底座（110）上还设置有烟雾产生器（190），所述烟雾产生器（190）用于向所述密封容纳筒（130）内通入有色烟雾，所述图像采集器（170）设置在所述晶片放置台（150）远离所述底座（110）的一侧，用于获取所述晶片（200）远离所述底座（110）一侧的图像信息，并确定所述晶片（200）上贯穿型缺陷的位置。2.根据权利要求1所述的晶片贯穿型缺陷检测装置，其特征在于，所述晶片放置台（150）上还设置有若干个晶片卡扣（153），所述晶片卡扣（153）用于选择性地扣合在所述晶片（200）的边缘，以使所述晶片（200）固定在所述晶片放置台（150）上。3.根据权利要求2所述的晶片贯穿型缺陷检测装置，其特征在于，所述晶片卡扣（153）包括弹性压合件（155）、拨动杆（157）和转轴（158），所述转轴（158）可转动地设置在所述晶片放置台（150）上，并位于所述卡槽（151）的边缘外侧，所述弹性压合件（155）具有朝向所述底座（110）方向的弹力，且所述弹性压合件（155）的一端连接于所述转轴（158），另一端用于弹性压合在所述晶片（200）的边缘，以固定所述晶片（200），所述拨动杆（157）设置在所述弹性压合件（155）的中部，并向上凸起。4.根据权利要求3所述的晶片贯穿型缺陷检测装置，其特征在于，所述弹性压合件（155）远离所述转轴（158）的一端设置有缓冲压条（159），所述缓冲压条（159）用于压合在所述晶片（200）的边缘，以缓冲所述弹性压合件施加的压力。5.根据权利要求1所述的晶片贯穿型缺陷检测装置，其特征在于，所述卡槽（151）的边缘设置有第一密封圈（1511）和第二密封圈（1513），所述第一密封圈（1511）位于所述卡槽（151）的底壁上，用于密封抵持在所述晶片（200）的底侧边缘，所述第二密封圈（1513）位于所述卡槽（151）的侧壁上，用于密封抵持在所述晶片（200）的周缘侧壁上。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林义复，林育仪，张炜国，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：