偏光片、显示装置、指纹识别装置、光电传感器、指纹模组、指纹成像结构以及显示屏制造方法及图纸

本申请涉及指纹成像技术领域，尤其是涉及一种偏光片、显示装置、指纹识别装置、光电传感器、指纹模组、指纹成像结构以及显示屏。通过本申请提供的偏光片、显示装置、指纹识别装置、光电传感器、指纹模组以及指纹成像结构，能够变换携带指纹信息的光线的偏振状态为线偏振光同时将无指纹信息的光线的能量减弱，从而在一定程度上解决携带指纹信息的反射光信息与OLED直接向下发光的光信息无法区分的问题。OLED直接向下发光的光信息无法区分的问题。OLED直接向下发光的光信息无法区分的问题。

【技术实现步骤摘要】
偏光片、显示装置、指纹识别装置、光电传感器、指纹模组、指纹成像结构以及显示屏


[0001]本技术涉及指纹成像
，尤其是涉及一种偏光片、显示装置、指纹识别装置、光电传感器、指纹模组、指纹成像结构以及显示屏。

技术介绍

[0002]常规的OLED屏幕中的显示像素不仅向上发光使得屏幕正面能够发光，而且显示像素也会向屏幕下方发光，所以OLED屏下光学指纹模组接收到的光信息由两部分组成，一部分是OLED屏幕向上发光被指纹返回的光信息，这一部分的光信息携带指纹谷脊信号，另一部分是OLED屏幕直接向下发光的光信息。在指纹模组接收到的光信息总量一定的前提下，OLED屏幕直接向下发光的占比越大，指纹信号越弱。
[0003]现有的光学指纹模组无法从硬件上分离这两部分光，只能通过后期图像处理进行分析。并且，在干冷情况下指纹信号差异变弱，如果通过采用增加曝光时间的方法，由于OLED屏幕直接向下发光的影响，使得增加曝光时间不可行，导致指纹识别困难。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种偏光片、显示装置、指纹识别装置、光电传感器、指纹模组、指纹成像结构以及显示屏，以在一定程度上解决携带指纹信息的反射光信息与OLED直接向下发光的光信息无法区分的问题。
[0005]本申请第一方面提供所述偏光片包括叠设的第一结构层以及第二结构层；
[0006]所述第一结构层包括线偏振片或第一纳米结构层，所述第一纳米结构层为单方向的第一纳米光栅；
[0007]所述第二结构层包括第二纳米结构层，所述第二纳米结构层为双 L型结构的第二纳米光栅。
[0008]进一步地，当所述第一结构层包括所述第一纳米结构层时，所述第一纳米光栅的光栅深度与光栅宽度的比例为(5：1)
‑
(20：1)，和/ 或所述第一纳米光栅的单个光栅宽度小于100nm。
[0009]进一步地，当所述第二结构层包括所述第二纳米结构层时，所述第二纳米光栅的双L型结构由两个开口相对且呈中心对称的L型结构构成，每个L型结构由两条相交的臂构成；
[0010]所述第二纳米光栅的相邻两个双L型结构的中心间距为所述第二纳米光栅的周期；
[0011]所述第二纳米光栅满足以下条件中的一种或几种组合：
[0012]所述臂的臂宽为50nm
‑
200nm；
[0013]所述臂的臂长为0.5
‑
2um；
[0014]所述臂的臂高小于500nm；
[0015]所述第二纳米光栅的周期小于2um。
[0016]进一步地，所述第一纳米光栅为金属纳米光栅；和/或所述第二纳米光栅为金属光栅。
[0017]进一步地，所述第一结构层和所述第二结构层相连接或相分离。
[0018]进一步地，所述第二结构层背离所述第一结构层的一侧为光线入射侧，光线经由所述光线入射侧射入所述第二结构层，再经由所述第二结构层射入并通过所述第一结构层。
[0019]本申请第二方面提供一种显示装置，包括显示屏和设置于显示屏下方的第一偏光片，所述显示屏包括第二偏光片；
[0020]所述第一偏光片和所述第二偏光片均包括第一结构层和第二结构层；
[0021]所述第一结构层包括线偏振片或第一纳米结构层，所述第一纳米结构层为单方向的第一纳米光栅；
[0022]所述第二结构层包括1/4波片或第二纳米结构层，所述第二纳米结构层为双L型结构的第二纳米光栅；
[0023]所述第二偏光片的第一结构层和第二结构层以及所述第一偏光片的第二结构层和第一结构层顺次层叠设置。
[0024]进一步地，当所述第一结构层包括所述第一纳米结构层时，所述第一纳米光栅的光栅深度与光栅宽度的比例为(5：1)
‑
(20：1)，和/ 或所述第一纳米光栅的单个光栅宽度小于100nm。
[0025]进一步地，当所述第二结构层包括所述第二纳米结构层时，所述第二纳米光栅的双L型结构由两个开口相对且呈中心对称的L型结构构成，每个L型结构由两条相交的臂构成；
[0026]所述第二纳米光栅的相邻两个双L型结构的中心间距为所述第二纳米光栅的周期；
[0027]所述第二纳米光栅满足以下条件中的一种或几种组合：
[0028]所述臂的臂宽为50nm
‑
200nm；
[0029]所述臂的臂长为0.5
‑
2um；
[0030]所述臂的臂高小于500nm；
[0031]所述第二纳米光栅的周期小于2um。
[0032]进一步地，当所述第一结构层包括所述第一纳米结构层时，所述第一纳米结构层的第一纳米光栅为完整连续的光栅结构或形成为多组光栅模块结构；和/或
[0033]所述第二纳米结构层的纳米光栅为完整连续的光栅结构或形成为多组光栅模块结构。
[0034]进一步地，所述第一纳米光栅为金属纳米光栅；和/或所述第二纳米光栅为金属光栅。
[0035]进一步地，所述第一结构层和对应的所述第二结构层相连接或相分离。
[0036]进一步地，所述第一偏光片贴附于所述显示屏的下表面或所述第一偏光片相对于所述显示屏可分离地设置于所述显示屏的下方。
[0037]本申请第三方面提供一种指纹识别装置，包括指纹识别模组和上述的显示装置，
所述第一偏光片设置于所述显示屏与所述指纹识别模组之间。
[0038]进一步地，所述第一偏光片贴附于所述指纹识别模组的上表面。
[0039]本申请第四方面提供一种光电传感器，包括层叠设置的光电二极管、第一结构层和遮光层；
[0040]所述第一结构层包括线偏振片或第一纳米结构层，其中所述第一纳米结构层为单方向的第一纳米光栅。
[0041]进一步地，当所述包括第一纳米结构层时，所述第一纳米结构层的光栅深度与光栅宽度的比例为(5：1)
‑
(20：1)，和/或所述第一纳米光栅的单个光栅宽度小于100nm。
[0042]进一步地，所述光电传感器还包括设置在第一结构层上方的第二结构层，所述第二结构层包括1/4波片或第二纳米结构层，其中所述第二纳米结构层为双L型结构的第二纳米光栅。
[0043]进一步地，当所述第二结构层包括所述第二纳米结构层时，所述第二纳米光栅的双L型结构由两个开口相对且呈中心对称的L型结构构成，每个L型结构由两条相交的臂构成；
[0044]所述第二纳米光栅的相邻两个双L型结构的中心间距为所述第二纳米光栅的周期；
[0045]所述第二纳米光栅满足以下条件中的一种或几种组合：
[0046]所述臂的臂宽为50nm
‑
200nm；
[0047]所述臂的臂长为0.5
‑
2um；
[0048]所述臂的臂高小于500nm；
[0049]所述第二纳米光栅的周期小于2um。
[0050]进一步地，在所述第一结构层、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏光片，其特征在于，所述偏光片包括叠设的第一结构层以及第二结构层；所述第一结构层包括线偏振片或第一纳米结构层，所述第一纳米结构层包括单方向的第一纳米光栅；所述第二结构层包括第二纳米结构层，所述第二纳米结构层包括双L型结构的第二纳米光栅。2.根据权利要求1所述的偏光片，其特征在于，当所述第一结构层包括所述第一纳米结构层时，所述第一纳米光栅的光栅深度与光栅宽度的比例为(5：1)
‑
(20：1)，和/或所述第一纳米光栅的单个光栅宽度小于100nm。3.根据权利要求1所述的偏光片，其特征在于，当所述第二结构层包括所述第二纳米结构层时，所述第二纳米光栅的双L型结构由两个开口相对且呈中心对称的L型结构构成，每个L型结构由两条相交的臂构成；所述第二纳米光栅的相邻两个双L型结构的中心间距为所述第二纳米光栅的周期；所述第二纳米光栅满足以下条件中的一种或几种组合：所述臂的臂宽为50nm
‑
200nm；所述臂的臂长为0.5
‑
2um；所述臂的臂高小于500nm；所述第二纳米光栅的周期小于2um。4.根据权利要求1所述的偏光片，其特征在于，当所述第一结构层包括所述第一纳米结构层时，所述第一纳米结构层的第一纳米光栅为完整连续的光栅结构或形成为多组光栅模块结构；和/或所述第二纳米结构层的纳米光栅为完整连续的光栅结构或形成为多组光栅模块结构。5.根据权利要求1至4中任一项所述的偏光片，其特征在于，所述第一纳米光栅为金属纳米光栅；和/或所述第二纳米光栅为金属光栅。6.根据权利要求1至4中任一项所述的偏光片，其特征在于，所述第一结构层和所述第二结构层相连接或相分离。7.根据权利要求1至4中任一项所述的偏光片，其特征在于，所述第二结构层背离所述第一结构层的一侧为光线入射侧，光线经由所述光线入射侧射入所述第二结构层，再经由所述第二结构层射入并通过所述第一结构层。8.一种显示装置，其特征在于，包括显示屏和设置于显示屏下方的第一偏光片，所述显示屏包括第二偏光片；所述第一偏光片和所述第二偏光片均包括第一结构层和第二结构层；所述第一结构层包括线偏振片或第一纳米结构层，所述第一纳米结构层为单方向的第一纳米光栅；所述第二结构层包括1/4波片或第二纳米结构层，所述第二纳米结构层为双L型结构的第二纳米光栅；所述第二偏光片的第一结构层和第二结构层以及所述第一偏光片的第二结构层和第一结构层顺次层叠设置。9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，当所述第一结构层包括所述第一纳米结构层时，所述第一纳米光栅的光栅深度与光栅宽度的比例为(5：1)
‑
(20：1)，和/或所述第
一纳米光栅的单个光栅宽度小于100nm。10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，当所述第二结构层包括所述第二纳米结构层时，所述第二纳米光栅的双L型结构由两个开口相对且呈中心对称的L型结构构成，每个L型结构由两条相交的臂构成；所述第二纳米光栅的相邻两个双L型结构的中心间距为所述第二纳米光栅的周期；所述第二纳米光栅满足以下条件中的一种或几种组合：所述臂的臂宽为50nm
‑
200nm；所述臂的臂长为0.5
‑
2um；所述臂的臂高小于500nm；所述第二纳米光栅的周期小于2um。11.根据权利要求8至10中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一纳米光栅为金属纳米光栅；和/或所述第二纳米光栅为金属光栅。12.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述第一结构层和对应的所述第二结构层相连接或相分离。13.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张林，王海生，刘英明，陈可卿，
申请(专利权)人：北京极豪科技有限公司，
类型：新型
国别省市：