一种碳化硅长管烧结炉制造技术

本发明专利技术涉及烧结炉技术领域，具体为一种碳化硅长管烧结炉；烧结机构配合设置在其两端的出气管和进气管，通过负压风机的作用使烧结机构两端差生压强差，从而引导烧结机构内部气流的流动，使含有一氧化碳的气流更多地流经碳化硅长管，提高碳化硅长管各部位碳化硅的合成效率，设置在烧结机构内壁四周的收集管和条形槽配合将烧结机构四周的一氧化碳气体导入空腔和出气管内，并且通过过滤组件过滤杂质气体，提高一氧化碳的浓度，从而进一步提高碳化硅长管各部位的碳化硅合成效率；解决了在使用烧结炉烧结碳化硅长管时，烧结炉内部气流流动使一氧化碳气体在碳化硅长管上分布不均，而影响烧结后的碳化硅长管整体质量的问题。结后的碳化硅长管整体质量的问题。结后的碳化硅长管整体质量的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅长管烧结炉


[0001]本专利技术涉及烧结炉
，具体为一种碳化硅长管烧结炉。

技术介绍

[0002]在碳化硅长管烧结的过程中，会产生硫化氢、二氧化硫和一氧化碳等气体，其中一氧化碳会再次参与碳化硅合成的化学反应过程，而硫化氢和二氧化硫是一种有毒气体，一方面，在烧结完毕后打开烧结炉时会溢出危害工人健康，另一方面，在烧结过程中会相对稀释一氧化碳的浓度，从而影响碳化硅的合成效率，并且由于碳化硅长管的长度较长，在烧结时，烧结炉中央位置处的温度高于两端和四周位置处的温度，由于温度梯度的影响，中间部位的气体膨胀较快，会产生向四周温度较低区域的气流，从而使烧结过程中产生的一氧化碳集中向四周温度较低的区域聚集，使一氧化碳在碳化硅长管上分布不均，从而影响碳化硅的合成效率，造成碳化硅长管上不同位置合成的碳化硅分布不均匀，影响碳化硅长管的整体质量。

技术实现思路

[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种碳化硅长管烧结炉，解决了在使用烧结炉烧结碳化硅长管时，烧结炉内部气流流动使一氧化碳气体在碳化硅长管上分布不均，而影响烧结后的碳化硅长管整体质量的问题。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种碳化硅长管烧结炉，包括有用于烧结碳化硅长管的烧结机构，烧结机构上设有冷却机构，烧结机构上设有用于引导气流流动的控制机构。
[0008]控制机构包括有设置在烧结机构一端的空腔，空腔靠近烧结机构一侧的侧壁上开设有多个通孔，烧结机构内壁均匀设置有多个与空腔连通的收集管，收集管外壁上开设有多个条形槽，空腔远离烧结机构的一侧连通有可弯曲的出气管，出气管上连通有用于除去杂质气体的过滤组件，过滤组件远离空腔一侧的出气管上连通有负压风机，负压风机远离空腔一侧的出气管上连通有通过电磁阀控制的连接管，连接管底部连通有真空罐，出气管另一端与烧结机构远离空腔的一端之间连通有进气管。
[0009]作为优选，烧结机构包括有外层壳体，外层壳体内同心设有内层壳体，外层壳体与内层壳体之间设有封闭的降温腔，外层壳体远离空腔的一端铰链连接有中心设有进气管的舱门，内层壳体中心处设有用于烧结碳化硅长管的加热组件，加热组件内设有用于引导气流向其中心流动的导向组件，外层壳体底部固定有多个支撑柱。
[0010]作为优选，加热组件包括有固定在内层壳体上的固定板，固定板上固定有加热线圈，加热线圈中心处设有两端开口的保温壳体，保温壳体与内层壳体之间固定有多个固定杆，保温壳体内转动安装有多个均匀分布的导料杆。
[0011]作为优选，导向组件包括有均匀分布在保温壳体内的多个回字形导向板，导向板朝向舱门的一侧设有倾斜的导流面。
[0012]作为优选，冷却机构包括有设置在降温腔顶部的冷却管，冷却管底部对称设有两条出水槽，冷却管顶部连通有进水阀，降温腔底部连通有出水阀，降温腔内交错分布有水平固定的多个挡板。
[0013]作为优选，空腔远离烧结机构的一侧设有锥形的导向面，出气管设置于导向面的锥形尖部。
[0014]作为优选，过滤组件包括有内部盛放有水的过滤壳体，过滤壳体内转动安装有转动杆，转动杆上固定有设置在过滤壳体横截面上的多个纱网，纱网两侧滑动设有固定在过滤壳体底部的刮板，过滤壳体上固定有用于驱动转动杆转动的电机，过滤壳体底部连通管有用于注水和排水的注水管。
[0015]作为优选，进气管的管径小于出气管管径。
[0016](三)有益效果
[0017]与现有技术相比，本专利技术提供了一种碳化硅长管烧结炉，具备以下有益效果：
[0018]烧结机构配合设置在烧结机构两端的出气管和进气管，通过负压风机的作用使烧结机构两端差生稳定的压强差，从而引导烧结机构内部气流的流动，使含有一氧化碳的气流更多地流经碳化硅长管，提高碳化硅长管各部位碳化硅的合成效率，设置在烧结机构内壁四周的收集管和条形槽配合将流动到烧结机构四周的一氧化碳气体导入到空腔和出气管内，提高一氧化碳的利用率，并且通过过滤组件过滤杂质气体，提高一氧化碳的浓度，从而进一步提高碳化硅长管各部位的碳化硅合成效率，提高烧结后的碳化硅长管整体质量。
[0019]转动设置在过滤壳体内的转动杆配合固定在转动杆上的纱网，利用水的张力，使纱网经过水面时在表面产生的水膜，实现对一氧化碳气流中混杂的硫化氢、二氧化硫气体和硅蒸汽，并且通过刮板对纱网表面进行清洁，从而实现对一氧化碳气体的提纯，一方面进一步提高碳化硅合成效率，另一方面也防止有毒的硫化氢和二氧化硫气体在开炉后危害人体健康。
附图说明
[0020]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0021]图1为本专利技术立体机构的示意图；
[0022]图2为本专利技术烧结机构和冷却机构的示意图；
[0023]图3为本专利技术烧结机构的剖视图；
[0024]图4为本专利技术导向组件的示意图；
[0025]图5为本专利技术空腔和收集管的示意图；
[0026]图6为本专利技术控制机构的示意图；
[0027]图7为本专利技术过滤组件的示意图。
[0028]图中：1、烧结机构；11、外层壳体；12、内层壳体；13、降温腔；14、舱门；15、加热组件；151、固定板；152、加热线圈；153、保温壳体；154、固定杆；155、导料杆；16、导向组件；161、导向板；162、导流面；17、支撑柱；2、冷却机构；21、冷却管；22、出水槽；23、进水阀；24、
出水阀；25、挡板；3、控制机构；31、空腔；32、通孔；33、收集管；34、条形槽；35、出气管；36、过滤组件；361、过滤壳体；362、转动杆；363、纱网；364、刮板；365、电机；366、注水管；37、负压风机；38、连接管；39、真空罐；40、进气管；41、导向面。
具体实施方式
[0029]以下将配合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，借此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
[0030]图1
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图7为本专利技术的一个实施例，引导烧结炉内的气体流动，从而通过气流流动带动一氧化碳在碳化硅长管表面均匀流动，使一氧化碳在碳化硅长管表面分布更加均匀，使合成的碳化硅在碳化硅长管表面分布更加均匀，从而提升烧结后的碳化硅长管整体质量。
[0031]一种碳化硅长管烧结炉，包括有用于烧结碳化硅长管的烧结机构1，烧结机构1上设有冷却机构2，烧结机构1上设有用于引导气流流动的控制机构3。
[0032]控制机构3包括有设置在烧结机构1一端的空腔31，空腔31靠近烧结机构1一侧的侧壁上开设有多个通孔32，通孔32用于烧结机构1内的气流流入空腔31中，烧结机构1内壁均匀设置有多个与空腔31连通的收集管33，收集管33外壁上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅长管烧结炉，包括有用于烧结碳化硅长管的烧结机构(1)，烧结机构(1)上设有冷却机构(2)，其特征在于：所述烧结机构(1)上设有用于引导气流流动的控制机构(3)；所述控制机构(3)包括有设置在烧结机构(1)一端的空腔(31)，空腔(31)靠近烧结机构(1)一侧的侧壁上开设有多个通孔(32)，烧结机构(1)内壁均匀设置有多个与空腔(31)连通的收集管(33)，收集管(33)外壁上开设有多个条形槽(34)，空腔(31)远离烧结机构(1)的一侧连通有可弯曲的出气管(35)，出气管(35)上连通有用于除去杂质气体的过滤组件(36)，过滤组件(36)远离空腔(31)一侧的出气管(35)上连通有负压风机(37)，负压风机(37)远离空腔(31)一侧的出气管(35)上连通有通过电磁阀控制的连接管(38)，连接管(38)底部连通有真空罐(39)，出气管(35)另一端与烧结机构(1)远离空腔(31)的一端之间连通有进气管(40)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长管烧结炉，其特征在于：所述烧结机构(1)包括有外层壳体(11)，外层壳体(11)内同心设有内层壳体(12)，外层壳体(11)与内层壳体(12)之间设有封闭的降温腔(13)，外层壳体(11)远离空腔(31)的一端铰链连接有中心设有进气管(40)的舱门(14)，内层壳体(12)中心处设有用于烧结碳化硅长管的加热组件(15)，加热组件(15)内设有用于引导气流向其中心流动的导向组件(16)，外层壳体(11)底部固定有多个支撑柱(17)。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅长管烧结炉，其特征在于：所述加热组件(15)包括有固定在内层壳体(12)上的固定板(151)，固定板(151)上固定有加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥云，李浩，李慧，
申请(专利权)人：铜陵市祥云碳化硅烧结设备有限公司，
类型：发明
国别省市：