防噪声电子元器件制造技术

本发明专利技术提供一种防止电子元器件发生的噪声辐射，使其他电子元器件免受噪声影响的防噪声电子元器件。本发明专利技术的防噪声电子元器件，在辐射噪声的电子元器件上粘合有磁体。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种防止电子元器件所发生噪声辐射的防噪声电子元器件。以往，电子元器件当中有的会发生噪声，作为防止这种噪声的手段，在发生噪声的该电子元器件的输入输出部、或者易受噪声影响的其他电子元器件的输入输出部设置噪声滤波器，来防止噪声对易受噪声影响的其他电子元器件的影响。另外，IC装置有时IC芯片内的配线部分发生噪声，因而若在IC装置的上部敷设电缆线或搭载易受噪声影响的电子元器件的话，就会受到噪声影响，引起误动作。此外，作为防噪声手段，是对封装IC芯片的外装部件的内侧即容纳IC芯片的一侧形成导体膜，并进行磁屏蔽的，但要在外装部件材料上形成导体需要镀膜等复杂工序，因而有成本高这种问题。本专利技术目的在于提供一种可以防止电子元器件所发生噪声的辐射，使其他电子元器件免受噪声影响的防噪声电子元器件。具体来说，第一专利技术是一种辐射噪声的电子元器件粘接有磁体的防噪声电子元器件。第二专利技术是一种所述磁体由铁氧体制成的防噪声电子元器件。第三专利技术是一种所述磁体在与所述电子元器件粘合的面上设有凹部的防噪声电子元器件。第四专利技术是一种在所述磁体与所述电子元器件粘合的相对面上设置导体的防噪声电子元器件。第五专利技术是一种所述辐射噪声的电子元器件为IC的防噪声电子元器件。图1是本专利技术第一实施例防噪声电子元器件的示意图，(a)为侧面图，(b)为第一实施例所用的铁氧体芯的平面图。图2是本专利技术第二实施例防噪声电子元器件的示意图，(a)为侧面图(示出铁氧体芯的剖面)，(b)为从第二实施例所用的铁氧体芯的下侧看去的斜视图。图3示出的是第二实施例所用的铁氧体芯的变形例，(a)为第一变形例的剖面图，(b)为第二变形例的剖面图，(c)为第三变形例的剖面图。图4是示意本专利技术第三实施例防噪声电子元器件的侧面图(示出铁氧体芯剖面)。图5是本专利技术第四实施例防噪声电子元器件的斜视图。以下根据附图说明本专利技术防噪声电子元器件实施例。图1是本专利技术第一实施例防噪声电子元器件的示意图，(a)为侧面图，(b)为第一实施例所用的铁氧体芯的平面图。防噪声电子元器件1由磁体铁氧体芯2和IC装置3构成，铁氧体芯2与IC装置3用粘接剂4粘接。该防噪声电子元器件1，其铁氧体芯2吸收IC装置3所发生的噪声，防止IC装置3的噪声辐射。图2是本专利技术第二实施例防噪声电子元器件的示意图，(a)为侧面图(示出铁氧体芯剖面)，(b)为从第二实施例所用的铁氧体芯下侧看去的斜视图。防噪声电子元器件11由磁体即铁氧体芯12和IC装置3构成，铁氧体芯12与IC装置3由粘接剂4粘接。该防噪声电子元器件11，其铁氧体芯12吸收IC装置3所发生的噪声，防止IC装置3的噪声辐射。而且，铁氧体芯12具有凹部12a，因而与第一实施例防噪声电子元器件相比较，使得侧面发出的噪声辐射减少。铁氧体芯12具有凹部12a，因而与IC装置3粘合时可简便地对准位置。图3是示意第二实施例所用的铁氧体芯的凹部剖面形状变形例的剖面图，(a)为第一变换例，(b)为第二变形例，(c)为第三变形例。第一变形例使铁氧体芯12b凹部121b的内侧壁面成为斜面。第二变形例铁氧体芯12c的凹部121c同IC装置3的粘合面的边缘设有斜面。第三变形例铁氧体芯12d的凹部121d同IC装置3的粘合面的边缘设有球面。图4是本专利技术第三实施例防噪声电子元器件的侧面图(示出铁氧体芯剖面)。防噪声电子元器件21由磁体即铁氧体芯22与IC装置3构成，铁氧体芯22与IC装置3由粘接剂4粘接。防噪声电子元器件21，在IC装置3的上部和侧部覆盖有铁氧体芯22，因而铁氧体芯22吸收IC装置3所发生的噪声，可完全防止IC装置3的噪声辐射。图5是本专利技术第四实施例防噪声电子元器件的斜视图。防噪声电子元器件31由磁体即铁氧体芯32和导体即导体膜5和辐射噪声的电子元器件6构成，导体膜5形成在铁氧体32的主面，也就是与辐射噪声的电子元器件6粘合的相对面上，铁氧体芯32与辐射噪声的电子元器件6用粘接剂4粘接。防噪声电子元器件31由铁氧体芯32吸收辐射噪声的电子元器件6所辐射的噪声。但由于部分噪声要透过铁氧体，因而通过在噪声进入方向相对面的铁氧体芯32上设导体膜5，使终端阻抗为0，防止噪声穿过。这些实施例当中，是用粘接剂粘接铁氧体芯和IC装置的，但也可以用双面粘接带来粘贴。在IC装置一侧涂覆粘接剂或利用双面附有粘接剂的粘接带，都可以与铁氧体芯粘接。而且，第一实施例的铁氧体芯2、第二实施例的铁氧体芯12、第二实施例的铁氧体芯12的变形例铁氧体芯12b、12c、12d，第三实施例的铁氧体芯22上都可以设置导体膜。而且，铁氧体芯的材料可以是Ni-Zn系、Ni-Cu-Zn系、Mg-Zn系等吸收噪声的材料。还有本实施例用的是铁氧体芯，但不限于铁氧体芯，只要是磁体或吸收噪声的材料都可以。按照本专利技术的防噪声电子元器件，即便在辐射噪声的电子元器件的上部敷设电缆或导体印刷电路板，或是搭载易受噪声影响的电子元器件，由于辐射噪声的电子元器件与配线或易受噪声影响的电子元器件之间存在磁体，因而噪声为磁体所吸收，不受噪声影响。而且，磁体为铁氧体，与在空气中通过相比，噪声相对容易通过铁氧体，因而从IC装置等封装出来的噪声出不了铁氧体相对一侧，不会给电缆和或电路基板带来电气影响。通过在磁体上设置凹部，可容易定位，装配位置没有随机误差，还可以吸收辐射噪声的电子元器件从侧面发生的辐射能量。此外，覆盖辐射噪声的电子元器件的部分较多，因而可以更多地吸收辐射噪声的电子元器件所辐射的噪声能量。通过在磁体上设导体膜，可以防止噪声通过铁氧体。权利要求1.一种防噪声电子元器件，其特征在于，辐射噪声的电子元器件上粘合有磁体。2.如权利要求1所述的防噪声电子元器件，其特征在于，所述磁体由铁氧体制成。3.如权利要求1或2所述的防噪声电子元器件，其特征在于，所述磁体在与所述电子元器件粘合的面上设有凹部。4.如权利要求1或2或3所述的防噪声电子元器件，其特征在于，所述磁体在与所述电子元器件粘合的相对面上设置导体。5.如权利要求1或2或3或4所述的防噪声电子元器件，其特征在于，所述辐射噪声的电子元器件为IC。全文摘要本专利技术提供一种防止电子元器件发生的噪声辐射，使其他电子元器件免受噪声影响的防噪声电子元器件。本专利技术的防噪声电子元器件，在辐射噪声的电子元器件上粘合有磁体。文档编号A01G25/06GK1168081SQ9710553公开日1997年12月17日 申请日期1997年6月6日 优先权日1996年6月10日专利技术者村田谕, 小林隆 申请人:株式会社村田制作所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防噪声电子元器件，其特征在于，辐射噪声的电子元器件上粘合有磁体。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：村田谕，小林隆，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]