本发明专利技术涉及一种动态镀膜装置及其动态镀膜方法，动态镀膜装置包括控制模块及沿第一方向依次排布的缓冲腔、过渡腔及镀膜腔，过渡腔包括至少三个检测元件，相邻两个检测元件限定出一过渡区间，过渡区间内设有一驱动机构，驱动机构具有工艺速度、传动速度及极限速度；控制模块与检测元件、驱动机构通信连接，用于在靠近镀膜腔的检测元件检测到前一基片远离镀膜腔的尾部离开时控制驱动机构加速至传动速度，且靠近镀膜腔的检测元件检测到后一基片靠近镀膜腔的头部开始离开时控制驱动机构降速至工艺速度；多次追赶的加速度和传动速度较小，降低基片碎片率，缩短相邻基片的间距，实现20mm以下间距连续镀膜，减少靶材浪费，提升镀膜工艺稳定性及产品良率。膜工艺稳定性及产品良率。膜工艺稳定性及产品良率。
【技术实现步骤摘要】
动态镀膜装置及其动态镀膜方法
[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，特别是涉及一种动态镀膜装置及其动态镀膜方法。
技术介绍
[0002]动态镀膜是一种多个基片在线连续运动进行镀膜的方式，基片以一个固定的工艺速度匀速地进入镀膜腔室，并在镀膜腔室内完成物理气相沉积、化学气相沉积等沉积操作。
[0003]目前，常规动态镀膜装置包括进端锁腔、缓冲腔、过渡腔、镀膜腔、过渡腔、缓冲腔，以及出端锁腔，上述腔呈线性排布，该线性排布称inline式结构。第二基片从进端锁腔传输至缓冲腔室后，缓冲腔室抽真空至设定压力，在过渡腔室的第一基片以工艺速度进入镀膜腔室后时，第二基片进入过渡腔室一次加速后以上限速度追赶第一基片，并以工艺速度离开过渡腔室，此时第一基片和第二基片之间的距离最小且并不接触。但是当动态镀膜装置的产能要求较高时，基片的工艺速度随之提高，而过渡腔室的上限速度受限于基片的传动稳定性和机械配置，一般上限速度约40m/min、工艺走速为4m/min，过渡腔室的长度略大于基片长度(2m)，两个基片所在托盘间的间距最小只能保证到200mm，很明显难以达到20mm以下的间距要求，而由于托盘间的间隙越大意味着镀膜材料的损耗越多，对于长度为2m、间隙为200mm的基片意味着有10％的镀膜材料由于托盘间的间隙被浪费，同时镀膜工艺稳定性也会受到影响，存在绕镀的风险，并且较高的加速度及上限速度使得基片碎片率较高，产品良率较低。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对现有动态镀膜装置中相邻基片之间间隙较大且难以控制的问题，提供一种动态镀膜装置及其动态镀膜方法。
[0005]本专利技术提供了一种动态镀膜装置，用于连续镀膜多个基片，包括控制模块及沿第一方向依次排布的缓冲腔、过渡腔及镀膜腔，其中：
[0006]所述过渡腔包括沿所述第一方向排布的至少三个检测元件，一个检测元件靠近所述缓冲腔设置，剩余检测元件靠近所述镀膜腔用于检测所述基片信息，相邻两个所述检测元件限定出一过渡区间，所述过渡区间内设有一驱动机构，所述驱动机构具有可调的传动速度，且所述传动速度不小于基片在镀膜腔中工艺速度，以便实现基片的追赶操作；所述控制模块与所述检测元件、所述驱动机构通信连接，用于在靠近所述镀膜腔的检测元件检测到前一基片远的尾部离开时控制所述驱动机构加速至所述传动速度，且靠近所述镀膜腔的检测元件检测到后一基片的头部时控制所述驱动机构降速至工艺速度。
[0007]上述动态镀膜装置使用时，多个基片依次从缓冲腔送入，第一个基片以工艺速度经过过渡区间，后续的基片随之追赶，相邻两个基片在一个过渡区间内时，靠近镀膜腔的检测元件检测到前一基片尾部离开时向控制模块发送信号，控制模块控制对应驱动机构加速至传动速度，后一个基片随之加速并以传动速度在过渡区间内传送，并且上述检测元件检
测到基片头部时向控制模块发送信号，控制模块控制驱动机构降速至工艺速度，以完成一次追赶过程，后一基片执行多次追赶行程后保持与前一基片之间固定间距进入到镀膜腔并在镀膜腔进行镀膜操作，与现有技术中一次追赶过程相比，上述动态镀膜装置通过多次追赶使得追赶过程的加速度和传动速度较小，降低了基片的碎片率，提升产品良率，并且多次追赶过程中每一次加速均能缩短相邻基片之间的间距，进而能够较为方便可控地实现相邻基片之间的20mm以下间距连续镀膜，减少了靶材的浪费，提升了镀膜的工艺稳定性及产品良率。
[0008]在其中一个实施例中，沿所述第一方向，多个所述过渡区间的长度逐渐减小。
[0009]在其中一个实施例中，沿所述第一方向，相邻两个所述过渡区间中，远离所述镀膜腔的前一过渡区间的传动速度大于等于靠近所述镀膜腔的后一过渡区间的传动速度。
[0010]在其中一个实施例中，所述过渡腔包括第一腔室及第二腔室，所述第一腔室靠近所述缓冲腔，且与所述第二腔室沿所述第一方向连接为一体，所述第一腔室沿所述第一方向的两端分别设有一所述检测元件，所述第二腔室内设有至少一所述检测元件，且一所述检测元件设于所述第二腔室沿所述第一方向靠近所述镀膜腔的端部。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一腔室及所述第二腔室为一体式结构，沿所述第一方向所述过渡腔的长度大于所述基片。
[0012]在其中一个实施例中，沿所述第一方向所述基片的长度大于所述第二腔室且小于所述第一腔室，所述第一腔室及所述第二腔室对接为一体。
[0013]在其中一个实施例中，沿所述第一方向所述第二腔室与所述第一腔室的长度比大于0.2。
[0014]在其中一个实施例中，所述第二腔室内所述检测元件的数目小于等于5个。
[0015]在其中一个实施例中，所述检测元件为传感器或行程开关。
[0016]另外，本专利技术还提供了一种如上述任一项技术方案所述的动态镀膜装置的动态镀膜方法，包括：
[0017]S1、提供多个基片，多个基片依次从缓冲腔送入，第一个基片以工艺速度经过过渡区间；
[0018]S2、控制模块控制后一基片执行一次追赶行程，包括以下步骤：
[0019]S21、靠近镀膜腔的检测元件采集前一基片的位置信息，并在前一基片的尾部以工艺速度离开时将位置信息传递至控制模块；
[0020]S22、控制模块控制前一基片所离开过渡区间的驱动机构加速至传动速度；
[0021]S23、上述检测元件采集检测后一基片的位置信息，并在检测到后一基片的头部时将位置信息传递至控制模块；
[0022]S24、控制模块控制后一基片所在过渡区间的驱动机构降速至工艺速度；
[0023]S3、重复步骤S2，后一基片执行多次追赶行程后与前一基片之间固定间距在镀膜腔进行镀膜操作。
[0024]上述动态镀膜方法中，首先通过步骤S1提供多个基片，多个基片依次从缓冲腔送入，第一个基片以工艺速度经过过渡区间，后续的基片随之追赶；接着通过步骤S2相邻两个基片在一个过渡区间内时，控制模块控制后一基片执行一次追赶行程，步骤S21中靠近镀膜腔的检测元件采集前一基片的位置信息，并在前一基片的尾部以工艺速度离开时将位置信
息传递至控制模块，步骤S21中控制模块控制过驱动机构加速至传动速度，后一个基片随之加速并以传动速度在过渡区间内传送，步骤S23中上述检测元件采集检测后一基片的位置信息，并在检测到后一基片的头部时将位置信息传递至控制模块，步骤S24中控制模块控制驱动机构降速至工艺速度；然后通过步骤S3后一基片执行多次追赶行程后保持与前一基片之间固定间距进入到镀膜腔并在镀膜腔进行镀膜操作，与现有技术中一次追赶过程相比，上述动态镀膜方法中通过多次追赶使得追赶过程的加速度和传动速度较小，降低了基片的碎片率，提升产品良率，并且多次追赶过程中每一次加速均能缩短相邻基片之间的间距，进而能够较为方便可控地实现相邻基片之间的20mm以下间距连续镀膜，减少了靶材的浪费，提升了镀膜的工艺稳定性及产品良率。
附图说明
[0025]图1(a)
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图1(f)为现有动态镀膜装置的传动过程示意图；...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种动态镀膜装置，用于连续镀膜多个基片，其特征在于，包括控制模块及沿第一方向依次排布的缓冲腔、过渡腔及镀膜腔，其中：所述过渡腔包括沿所述第一方向排布的至少三个检测元件，其中，一个检测元件靠近所述缓冲腔设置,用于检测基片是否进入过渡腔中，剩余检测元件靠近所述镀膜腔设置，用于检测所述基片信息以便反馈追赶信号，且相邻两个所述检测元件限定出一过渡区间，所述过渡区间内设有驱动机构，所述驱动机构具有可调的传动速度，且所述传动速度不小于基片在镀膜腔中工艺速度，以便实现相邻基片之间的追赶操作；所述控制模块与所述检测元件、所述驱动机构通信连接，用于在靠近所述镀膜腔的检测元件检测到前一基片的尾部离开时，控制所述驱动机构加速至所述传动速度，且上述检测元件检测到后一基片的头部时，控制所述驱动机构降速至工艺速度；后一基片执行多次追赶行程后与前一基片之间固定间距在所述镀膜腔进行镀膜操作。2.根据权利要求1所述的动态镀膜装置，其特征在于，沿所述第一方向，多个所述过渡区间的长度逐渐减小。3.根据权利要求1所述的动态镀膜装置，其特征在于，沿所述第一方向，相邻两个所述过渡区间中,远离所述镀膜腔的前一过渡区间的传动速度大于等于靠近所述镀膜腔的后一过渡区间的传动速度。4.根据权利要求1所述的动态镀膜装置，其特征在于，所述过渡腔包括第一腔室及第二腔室，所述第一腔室靠近所述缓冲腔，且与所述第二腔室沿所述第一方向连接为一体，所述第一腔室沿所述第一方向的两端分别设有一所述检测元件，所述第二腔室内设有至少一所述检测元件，且一所述检测元件设于所述第二腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：张永胜，解传佳，武瑞军，彭孝龙，杨肸曦，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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