一种坩埚及单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种坩埚及单晶炉，属于直拉单晶制造设备技术领域，其中，坩埚包括：埚体，所述埚体的底壁包括平底部和凹陷部，所述凹陷部向下凹陷设置，并使所述凹陷部的底部低于所述平底部，所述凹陷部的内部形成集液凹槽。本实用新型专利技术提供的一种坩埚，在埚体的底壁设置凹陷部以形成局部凹陷，凹陷部内则形成集液凹槽，在对坩埚内剩余的底料进行吸除时，剩余的底料可以朝向集液凹槽内进行集中，并且，可以将吸管的底部插入至靠近凹陷部的底部，因此，能够提高剩余底料的吸除比例，进而保证单晶硅棒的品质。晶硅棒的品质。晶硅棒的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种坩埚及单晶炉


[0001]本技术涉及直拉单晶制造设备
，具体涉及一种坩埚及单晶炉。

技术介绍

[0002]目前行业拉晶通常采用RCZ((Recharged Czochralski))多次装料拉晶技术。RCZ技术是每拉出一根单晶硅棒，就需要使用加料器向坩埚中加入新的物料。循环段拉出后，掺镓P型晶棒留埚率为35％
‑
45％，掺磷N型晶棒的留埚率为20％
‑
30％。反复多次拉晶加料后，容易导致剩余的硅原料即坩埚底料中的金属等杂质逐渐富集，若在坩埚剩余硅料的基础上复投拉制单晶，会导致拉出的单晶硅棒杂质含量较多，故坩埚剩余底料直接影响单晶品质。因此，现有技术中通常使用吸管将底料吸出，在重新投放硅料。然而，现有的坩埚的底部通常为平底或者是带有圆弧过渡的球面底，导致吸出的底料比例低。

技术实现思路

[0003]因此，本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中吸出坩埚内的底料时吸出比例低的缺陷，从而提供一种坩埚及单晶炉。
[0004]为了解决上述问题，本技术提供了一种坩埚，包括：埚体，所述埚体的底壁包括平底部和凹陷部，所述凹陷部向下凹陷设置，并使所述凹陷部的底部低于所述平底部，所述凹陷部的内部形成集液凹槽。
[0005]可选地，所述埚体还包括筒壁，所述底壁与所述筒壁的下端相连接，所述底壁覆盖所述筒壁的下端开口。
[0006]可选地，所述筒壁的下端和所述底壁的外周通过弧形段过渡连接。
[0007]可选地，所述坩埚还包括缓冲结构，所述缓冲结构呈环状，所述缓冲结构的外侧与所述埚体的内侧面相连接，所述缓冲结构的内侧朝向所述底壁倾斜设置，所述缓冲结构的内侧围合形成进料口。
[0008]可选地，所述缓冲结构为石英板。
[0009]可选地，所述进料口和所述集液凹槽在竖直方向上对应设置。
[0010]可选地，所述集液凹槽在竖直方向上的截面呈方形、或者是半球形、或者是梯形、或者是三角形、或者是锥形。
[0011]可选地，所述凹陷部靠近所述底壁的中间位置设置。
[0012]可选地，所述坩埚为石英坩埚。
[0013]本技术还提供了一种单晶炉，包括上述的坩埚。
[0014]本技术具有以下优点：
[0015]1.本技术提供的一种坩埚，在埚体的底壁设置凹陷部以形成局部凹陷，凹陷部内则形成集液凹槽，在对坩埚内剩余的底料进行吸除时，剩余的底料可以朝向集液凹槽内进行集中，并且，可以将吸管的底部插入至靠近凹陷部的底部，因此，能够提高剩余底料的吸除比例，进而保证单晶硅棒的品质。
[0016]2.本技术提供的一种坩埚，通过设置缓冲结构，对重复加料时的料块进行缓冲，减小料块加料时的落差，从而避免料块对坩埚的内壁造成损伤。
[0017]3.本技术提供的一种坩埚，将进料口和集液凹槽在竖直方向上对应设置，便于使吸管通过进料口后插入至集液凹槽内，便于吸料。
[0018]4.本技术提供的一种坩埚，将凹陷部设置于靠近底壁的中间位置，避免吸料装置在进入埚体内时与埚体的内壁发生干涉，因此，避免了对埚体的内壁造成损伤，并且保证吸料过程安全与顺利进行。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1示出了本技术的实施例提供的坩埚和吸料装置的结构示意图。
[0021]附图标记说明：
[0022]10、埚体；11、筒壁；12、底壁；121、平底部；122、凹陷部；13、弧形段；20、集液凹槽；30、缓冲结构；40、进料口；100、吸料装置；110、吸管。
具体实施方式
[0023]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0026]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0027]如图1所示的坩埚的一种具体实施方式，包括：埚体10。埚体10具有底壁12，底壁12包括平底部121和凹陷部122，凹陷部122向下凹陷设置，并使凹陷部122的底部低于平底部121，凹陷部122的内部形成集液凹槽20。
[0028]在埚体10的底壁12设置凹陷部122以形成局部凹陷，凹陷部122内则形成集液凹槽
20，在对坩埚内剩余的底料进行吸除时，剩余的底料可以朝向集液凹槽20内进行集中，并且，可以将吸管110的底部插入至靠近凹陷部122的底部，因此，能够提高剩余底料的吸除比例，进而保证单晶硅棒的品质。
[0029]值得说明的是，现有技术中，当对剩余的底料进行吸除时，不易判断吸管110的底端与坩埚的底部之间的距离，一旦吸管110下降过低就会碰到坩埚的底部，由于坩埚受热软化，吸管110则容易损伤坩埚，导致漏硅等事故发生。因此，需要将吸管110的底端与坩埚的底部之间保持一定间距，进而也会导致剩余底料的吸除比例较低。然而，在本实施例中，将吸管110对应凹陷部122插入，吸管110的底端与凹陷部122的底部之间仍然保持原有的预定距离，在避免了对坩埚造成损伤的同时，能够提高剩余底料的吸除比例。
[0030]需要进一步说明的是，凹陷部122的设置不会对埚体10的内部容量产生影响。
[0031]在本实施例中，如图1所示，埚体10还包括筒壁11，底壁12与筒壁11的下端相连接，底壁12覆盖筒壁11的下端开口。
[0032]在本实施例中，如图1所示，筒壁11的下端和底壁12的外周通过弧形段13过渡连接。
[0033本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚，其特征在于，包括：埚体(10)，所述埚体(10)的底壁(12)包括平底部(121)和凹陷部(122)，所述凹陷部(122)向下凹陷设置，并使所述凹陷部(122)的底部低于所述平底部(121)，所述凹陷部(122)的内部形成集液凹槽(20)。2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述埚体(10)还包括筒壁(11)，所述底壁(12)与所述筒壁(11)的下端相连接，所述底壁(12)覆盖所述筒壁(11)的下端开口。3.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述筒壁(11)的下端和所述底壁(12)的外周通过弧形段(13)过渡连接。4.根据权利要求1
‑
3中任意一项所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括缓冲结构(30)，所述缓冲结构(30)呈环状，所述缓冲结构(30)的外侧与所述埚体(10)的内侧面相连接，所述缓冲结构(...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，马新成，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：新型
国别省市：