一种防顶针的倒装芯片结构制造技术

本实用新型专利技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装芯片结构，包括电极，所述电极包括依次叠加的粘合层、反射层、转接层、导电层和粘附层，所述导电层和所述粘附层之间设有缓冲层。本实用新型专利技术提供一种防顶针的倒装芯片结构，通过在电机的导电层和粘附层之间增加缓冲层，缓冲层可以避免在顶针将芯片顶起的过程中芯片受到损伤导致开裂，安全可靠，延长了芯片的使用寿命。的使用寿命。的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种防顶针的倒装芯片结构


[0001]本技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装芯片结构。

技术介绍

[0002]LED即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，在照明领域应用领域极为常见。LED芯片结构可参考申请号为202020881623.5、名称为一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器的中国技术专利。LED芯片按封装形式分为正装芯片和倒装芯片，在芯片厂，倒装芯片在出货时是正面电极朝向蓝膜，封装厂的固晶机在吸取芯片时需要用顶针将芯片顶起然后用吸嘴将芯片放在封装基板上。封装时顶针顶在芯片N电极的DBR上，这种情况下DBR层极有可能发生开裂，导致芯片结构受损。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种防顶针的倒装芯片结构，减少封装时顶针对芯片的损伤。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种防顶针的倒装芯片结构，包括电极，所述电极包括依次叠加的粘合层、反射层、转接层、导电层和粘附层，所述导电层和所述粘附层之间设有缓冲层。
[0005]进一步地，所述缓冲层包括依次叠加的Au层、Pt层和Ti层。
[0006]进一步地，所述Au层、Pt层和Ti层自靠近所述导电层的一侧向靠近所述粘附层的一侧依次布置。
[0007]进一步地，还包括DBR层，所述DBR层与所述电极连接，所述DBR层包括二氧化硅层和二氧化钛层，两层以上所述二氧化硅层与两层以上所述二氧化钛层交替叠加。
[0008]进一步地，所述DBR层上远离所述电极的二氧化硅层的厚度范围为250nm～350nm。
[0009]进一步地，所述粘合层为Cr层，所述反射层为Al层，所述转接层包括相互叠加的Ti层和Pt层，所述导电层为Au层，所述粘附层为Ti层。
[0010]本技术的有益效果在于：提供一种防顶针的倒装芯片结构，通过在电机的导电层和粘附层之间增加缓冲层，缓冲层可以避免在顶针将芯片顶起的过程中芯片受到损伤导致开裂，安全可靠，延长了芯片的使用寿命。
附图说明
[0011]图1所示为本技术实施例的防顶针的倒装芯片结构的结构示意图；
[0012]图2所示为本技术实施例的电极的结构示意图；
[0013]图3所示为本技术实施例的DBR层的结构示意图；
[0014]标号说明：
[0015]1、电极；11、粘合层；12、反射层；13、转接层；14、导电层；15、粘附层；16、缓
冲层；2、DBR层；21、二氧化硅层；22、二氧化钛层；3、N型半导体层；4、蓝宝石衬底层；5、P型半导体层及量子阱。
具体实施方式
[0016]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0017]本技术提供一种防顶针的倒装芯片结构，应用在芯片封装作业中。
[0018]请参照图1至图3所示，本技术的一种防顶针的倒装芯片结构，包括电极1，所述电极1包括依次叠加的粘合层11、反射层12、转接层13、导电层14和粘附层15，所述导电层14和所述粘附层15之间设有缓冲层16。
[0019]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：提供一种防顶针的倒装芯片结构，通过在电机的导电层14和粘附层15之间增加缓冲层16，缓冲层16可以避免在顶针将芯片顶起的过程中芯片受到损伤导致开裂，安全可靠，延长了芯片的使用寿命。
[0020]在可选实施例中，所述缓冲层16包括依次叠加的Au层、Pt层和Ti层。
[0021]在可选实施例中，所述Au层、Pt层和Ti层自靠近所述导电层14的一侧向靠近所述粘附层15的一侧依次布置。
[0022]从上述描述可知，由于黄金比较柔软，如果冲力直接作用在黄金上，则黄金会下陷，因此采用上述层级布置方式，实现对顶针的力量进行缓冲。
[0023]在可选实施例中，还包括DBR层2，所述DBR层2与所述电极1连接，所述DBR层2包括二氧化硅层21和二氧化钛层22，两层以上所述二氧化硅层21与两层以上所述二氧化钛层22交替叠加。
[0024]在可选实施例中，所述DBR层2上远离所述电极1的二氧化硅层21的厚度范围为250nm～350nm。
[0025]从上述描述可知，加厚DBR层2首层的厚度，同时可以配合降低二氧化硅与二氧化钛的蒸镀功率来提高膜层的致密性，从而大幅降低DBR层2的破损率。
[0026]在可选实施例中，所述粘合层11为Cr层，所述反射层12为Al层，所述转接层13包括相互叠加的Ti层和Pt层，所述导电层14为Au层，所述粘附层15为Ti层。
[0027]请参照图1至图3所示，本技术的实施例一为：一种防顶针的倒装芯片结构，包括电极1、DBR层2、N型半导体层3、蓝宝石衬底层4和P型半导体层及量子阱5，其结构如图1所述，所述电极1包括依次叠加的粘合层11、反射层12、转接层13、导电层14和粘附层15，所述导电层14和所述粘附层15之间设有缓冲层16。
[0028]所述缓冲层16包括依次叠加的Au层、Pt层和Ti层。所述Au层、Pt层和Ti层自靠近所述导电层14的一侧向靠近所述粘附层15的一侧依次布置。
[0029]还包括DBR层2，所述DBR层2与所述电极1连接，所述DBR层2包括二氧化硅层21和二氧化钛层22，两层以上所述二氧化硅层21与两层以上所述二氧化钛层22交替叠加。所述DBR层2上远离所述电极1的二氧化硅层21的厚度范围为250nm～350nm。
[0030]所述粘合层11为Cr层，所述反射层12为Al层，所述转接层13包括相互叠加的Ti层和Pt层，所述导电层14为Au层，所述粘附层15为Ti层。
[0031]综上所述，本技术提供一种防顶针的倒装芯片结构，通过在电机的导电层和
粘附层之间增加缓冲层，缓冲层可以避免在顶针将芯片顶起的过程中芯片受到损伤导致开裂，安全可靠，延长了芯片的使用寿命。
[0032]以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防顶针的倒装芯片结构，包括电极(1)，所述电极(1)包括依次叠加的粘合层(11)、反射层(12)、转接层(13)、导电层(14)和粘附层(15)，其特征在于，所述导电层(14)和所述粘附层(15)之间设有缓冲层(16)。2.根据权利要求1所述的防顶针的倒装芯片结构，其特征在于，所述缓冲层(16)包括依次叠加的Au层、Pt层和Ti层。3.根据权利要求2所述的防顶针的倒装芯片结构，其特征在于，所述Au层、Pt层和Ti层自靠近所述导电层(14)的一侧向靠近所述粘附层(15)的一侧依次布置。4.根据权利要求1所述的防顶针的倒装芯片结构，其特征在于，还包括DBR...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：