一种制造用于可叠置电路中的数字电路的方法,包括下述步骤: 给柔性衬底的表面涂覆至少一层膜; 给所述柔性衬底上的膜涂覆聚合物,以形成具有顶侧和底侧的至少一个第一多层组,所述底侧基本上与所述柔性衬底接触; 通过光刻方法在大致电连续的有选择地图形化的区域内将所述至少一个第一多层图形化。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数字存储器的电互连用的导电盘等电路制造领域,更具体涉及按照将薄膜图形化在柔性衬底上的压印和剥离方法制造的大线导电盘。
技术介绍
很久以来人们企图在辊对辊连续制造环境中,将金属和半导体薄膜图形化在柔性塑料卷上,来批量制造互连导电盘和数字存储器等某些类型的数字电路。但是,这种电路的塑料卷制品当前受到在柔性衬底上所用的实际构图方法固有缺陷的制约。特别是,现有的构图方法例如有丝网印刷、喷墨、光刻和激光刻蚀等,每种构图方法在分辨率和/或生产能力方面都有不足,而且还会引起附属的缺陷。特别是,以丝网印刷或喷墨为基础的图形化方案的生产能力较低,而且以一致的分辨率标准对大范围材料图形化受到限制。在柔性衬底上用光刻、激光刻蚀或其他以光学为基础的图形化方法生产能力低、成本高且分辨率低。因为这种以光学为基础的图形化方案的分辨率受衍射的限制,分辨率与λ/NA成正比,式中λ是照射光的波长,NA是成像系统的光圈孔径。规定成像系统的场深度,因此,其处理表面不平整的能力由λ/NA2限制,用这些方法在柔性衬底上的某些点要想分辨一些小的特征是极其困难的。这是因为很难在没有粉尘颗粒吸附到吸盘或衬底表面或不会引起表面不平整的情况下,能用真空或静电吸盘夹持柔性衬底,特别是在柔性卷的通常表面粗糙度的情况下更是如此。压印和剥离技术可以提供低成本的电路图形化方法,其在柔性衬底上进行制造时具有较高的分辨率和生产能力。尽管压印和剥离技术有某些优点,但是有几个问题限制了它在制造需要大面积互连盘的电子器件方面的应用,大面积互连盘在叠置对准过程中具有需要较小的限制公差的优点。为了能在例如耐久廉价的稳定存储器(PIRM)的存储器层的大面积电路的制造中采用压印和剥离工艺,必须能够在半径至少为50微米的电极端部设置终端导电端接盘。这种端接盘用于多层互连,但是基本的压印和移去方法不能复制这种尺寸的特征。这样,为了充分提供存储器模块(例如某些数字电器装置中的PIRM型存储器)中需要的各种类型的数字电路,当在柔性卷衬底上进行图形化时,需要压印工艺有高的分辨率和高的生产能力而不限于制造大面积端接盘。
技术实现思路
根据本专利技术的原理,提供用于制造存储器模块中使用的不同类型的数字电路的技术,例如用于PIRM交叉点存储器阵列中的可叠置电路的互连的大线导电盘。特别是,本专利技术通过引入栅格导电盘压印工艺原理,克服了现有的柔性衬底的各种构图方法的各种限止,以及克服了现有的制造例如端接盘的数字电路的压印工艺的缺点。本专利技术的一种形式用于制造可叠置的PIRM交叉点存储器阵列的端接盘用的行电极和列电极。提供这些电极允许端接盘细分成一组电连接的交叉阴影线相交特征,该特征特别满足图形的成功剥离的设计要求,即使是直径超过100微米的大面积导电盘也能满足设计要求。本专利技术的栅格图形化方法允许使用预先限制于制造大面积电路的多种不同的光刻方法。而且,通过使用作为一种在模块内的柔性衬底上进行图形化方法的压印和剥离方法(“压印方法”),可以明显降低PIRM模块的工艺复杂性。一个实施例中,根据改进的栅格结构或图形化方法,在基于塑料卷的辊对辊环境中制造导电盘,所述改进的栅格结构和图形化方法提供了压印和剥离方法的传统的高分辨率和高生产能力,同时克服了压印和剥离方在最大尺寸限止方面的传统限止。通过本专利技术的栅格导电盘压印工艺,本专利技术可以满足PIRM交叉点存储器阵列的需要,使所述的PIRM交叉点存储器阵列的制造成本经济并且分辨率高的导电盘,该导电盘提供有大面积的电连续材料以允许任意给定层与层互连之间具有对准误差。附图说明通过以下结合附图对本专利技术优选实施例的描述,将更详细的描述本专利技术。图1是现有的数字存储系统中导电层之间互连用的端接盘的示意图;图2是按本专利技术的数字存储器系统中导电层之间互连用的新型格状图形大面积端接盘的一个例子的示意图。具体实施例方式这里公开的本专利技术方法可以用于多种类型的数字电路。通过一个典型的实施例,本专利技术的用于制造数字电路的技术将在一种类型的数字电路、大面积线导电盘的环境下对技术进行讨论。可以按照不同的光刻方法制造PRIM交叉点存储器阵列内的可叠置电路的互连通常采用的大面积线导电盘,并且在一个优选实施例中,大面积线导电盘可以根据美国专利申请No.######(律师案卷号为10003812,专利技术名称为“压印掩模光刻”)公开的一种改进的压印和剥离方法在辊对辊环境中在基于塑料卷上制造,该美国专利文献在本文中引作参考。在以下的描述中,为了进行说明,列出了具体的技术术语和具体的实施细节,以便透彻地理解本专利技术。但是,本领域的技术人员应了解,在实践本专利技术中可以不需要这些具体的细节。大面积导电盘通常用在当前的电器装置的数字电路环境中。这是因为许多用户装置,例如(静止和/或活动画面的)数码相机、数字式音乐播放机/录音机(例如MP3播放机)、个人数字助理(PDA),移动电话等正被构造成产生和/或利用不断增大量的数字数据,某些装置需要数字电路的互连,特别是用于可叠置的存储器之间的互连。特别是,例如在用于拍摄静止和/或活动图像的便携式数码相机中产生大量的表示图像的数字数据,这样,每个数字图像需要高达几兆位(MB)的数据存储,而且,这种存储必须可从相机中获得。假设这样,现有的数字电器装置需要特殊的存储器来容纳大量的数字数据,并需要互连的数字电路来构建必须的存储器。但是,为了能应用这类数据存储,存储器应(1)以较低的成本提供10MB到1千兆(GB)的足够大的容量;(2)低功耗,例如<<1瓦;(3)有较稳定的物理特性以适应便携式电池电源的工作环境;(4)最好有短的访问时间(理想的访问时间是短于1毫秒)和适中的传送速度(例如20Mb/s),还能封装在工业标准界面模块中,例如封装在PCMCIA或小型闪存(CF)卡中。在上述的应用中广泛利用的当前工业标准闪存(FLASH)存储器受到例如高成本和较低容量限制是众所周知的,这样新的改进是提供一种称作“PIRM”(便携式廉价稳定存储器)的存储器模块,它提出了用于数码相机和其他便携式装置的低成本文档存储问题。PIRM存储器的优点与上述对家电装置中高容量存储器(例如PCMCIA或CF等工业标准接口,2000G的冲击容限,低功耗(<<1瓦),短的访问时间(小于1毫秒),适中的传送速度(20Mb/s),和足够大的容量(10MB-1GB))的需求是一致的。此外,PIRM存储器模块不用硅衬底,降低了面积密度,并使工艺复杂性降低到最小,因而能降低成本。另外,由于在单个模块中设置电路或存储器的多个互连层,使作为一次写入存储器件的PIRM存储器模块为规定的界面卡形式因素提供较高的容量。由于没有端接盘单电极为层间连接提供小的导电面积,通过将至少一个互连盘或端接盘(如图1所示)连接到电极的端部来进行层间连接。此外,这些互连盘通常需要的最小直径是100μm(半径50μm),以提供足够大的电连续材料,从而允许在电路的不同的可叠置层对准时允许有合理的对准误差。现有技术方案中存在问题,这是因为要建立大的电连续区域,无论是互连盘或者是其他的数字电路都会很昂贵并需要大批量制造。数字存储器系统的叠置电路中的导电盘制造数字存储器系统的PIRM存储器层时,通常要求互连或导电盘在可叠置电路中的电极端上。这是因为,典型本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:C·佩尔洛夫,C·陶西,
申请(专利权)人:惠普开发有限公司,
类型:发明
国别省市:
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