一种Mini-LED芯片制备方法及Mini-LED芯片技术

本发明专利技术公开了一种Mini

【技术实现步骤摘要】
一种Mini
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LED芯片制备方法及Mini
‑
LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种Mini
‑
LED芯片制备方法及Mini
‑
LED芯片。

技术介绍

[0002]Mini
‑
LED是介于Micro
‑
LED和传统LED之间的一种LED。一般被应用在手机、笔记本电脑、iPad、电视背光，以及LED显示屏、植物照明、汽车照明、通用照明等。Mini
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LED芯片尺寸一般在50
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200um之间。Mini
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LED显示产品均是打件成小片的灯板，再将小片灯板拼接成大尺寸屏幕。Mini
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LED显示产品包含R(Red)、G(Green)、B(Blue)三原色光。一组RGB芯片就是一个最小的显示单位。屏幕上的任何一个颜色都可以由一组RGB值记录和表达。
[0003]一组RGB显示单元，是将一颗红光芯片、一颗绿光芯片、一颗蓝光芯片固定到同一块铝基板上。因芯片尺寸较小，电极面积更小，在将三颗芯片固定到一起时，存在难度，且数量较大，较耗费人力物力。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种Mini
‑
LED芯片制备方法及Mini
‑
LED芯片，旨在解决现有技术中由于芯片电极面积小而导致芯片固定困难的问题。
[0005]本专利技术实施例是这样实现的：
[0006]一方面，提供了一种Mini
‑
LED芯片制备方法，所述方法包括；
[0007]分别提供可以发出不同颜色光的第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组，所述不同颜色光包括红色、蓝色以及绿色，所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组均包括多个间隔设置的芯片单元；
[0008]对所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组分别进行刻蚀，以对所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组中的多个芯片单元进行隔离；
[0009]对隔离后的每个所述芯片单元进行单个的区域隔离，并在区域隔离后，按预设规则分别对所述多个芯片单元的隔离区域以及其他区域进行电极面的制作；
[0010]在所述隔离区域的电极面上设置第一电极，并在所述芯片单元的其他区域的电极面设置与所述第一电极电性连接的第二电极。
[0011]进一步的，上述Mini
‑
LED芯片制备方法，其中，所述对隔离后的每个所述芯片单元进行单个的区域隔离，并在区域隔离后，按预设规则分别对所述多个芯片单元的隔离区域以及其他区域进行电极面的制作的步骤包括：
[0012]当所述芯片单元为红光芯片单元时，在所述芯片单元的隔离区域以及其他区域内沉积电流阻挡层，以在所述电流阻挡层上形成电极面。
[0013]进一步的，上述Mini
‑
LED芯片制备方法，其中，所述对隔离后的每个所述芯片单元进行单个的区域隔离，并在区域隔离后，按预设规则分别对所述多个芯片单元的隔离区域
以及其他区域进行电极面的制作的步骤包括：
[0014]当所述芯片单元为绿光、蓝光芯片单元时，对所述芯片单元的隔离区域内的部分区域的P
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GaN层进行刻蚀，露出N
‑
GaN层；
[0015]在所述P
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GaN层未刻蚀的区域沉积导电层，后在所述芯片单元上沉积绝缘层，以在所述绝缘层上形成电极面。
[0016]进一步的，上述Mini
‑
LED芯片制备方法，其中，所述对所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组分别进行刻蚀，以对所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组中的多个芯片单元进行隔离的步骤中，刻蚀深度为12um～20um，隔离间距为10um～15um。
[0017]进一步的，上述Mini
‑
LED芯片制备方法，其中，所述对隔离后的每个所述芯片单元进行单个的区域隔离，并在区域隔离后，按预设规则分别对所述多个芯片单元的隔离区域以及其他区域进行电极面的制作的制作步骤中，隔离间距为5um。
[0018]进一步的，上述Mini
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LED芯片制备方法，其中，所述第二电极呈方形布置。
[0019]进一步的，上述Mini
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LED芯片制备方法，其中，所述第一电极与所述第二电极通过焊接引线电性连接。
[0020]进一步的，上述Mini
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LED芯片制备方法，其中，所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组中的芯片单元均呈三角布置。
[0021]另一方面，本专利技术实施例还提出一种Mini
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LED芯片，由上述的Mini
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LED芯片制备方法制备得到，所述Mini
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LED芯片包括：
[0022]可以发出不同颜色光的第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组，所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组均包括多个间隔设置的芯片单元，每个所述芯片单元上设置有隔离区域和其他区域，所述隔离区域上设置有用于设置第一电极的电极面，所述其他区域设置有用于设置与所述第一电极电性连接的第二电极的电极面。
[0023]与现有技术相比：本专利技术实施例通过在芯片单元上设置隔离区域以及其他区域，后在隔离区域和其他区域的芯片单元上分别制作设置第一电极和第二电极的电极面，第一电极实现与芯片单元的导电作用，并在芯片单元的其他区域设置的第二电极与第一电极电性连接，第二电极可用于芯片单元与外部电源的连接，并且，设置的第二电极由于设置在隔离区域外，并且不受芯片单元用于芯片制作的区域的自身尺寸大小影响，因此，可以设置的尺寸大于第一电极，从而实现电极面积的增加，降低了芯片固定的难度。
附图说明
[0024]图1为本专利技术第一实施例当中提出的Mini
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LED芯片制备方法的流程图；
[0025]图2为本专利技术第一实施例当中提出的Mini
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LED芯片制备方法中的RGB显示单元切割示意图；
[0026]图3为本专利技术第一实施例当中提出的Mini
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LED芯片制备方法中的红光外延芯片的结构示意图；
[0027]图4为本专利技术第一实施例当中提出的Mini
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LED芯片制备方法中的蓝、绿光外延芯片的P型半导体层的刻蚀示意图；
[0028]图5为本专利技术第一实施例当中提出的Mini
‑
LED芯片制备方法中的蓝、绿外延芯片的导电层制作示意图；
[0029]图6为本专利技术第一实施例当中提出的Mini
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LED芯片制备方法中的蓝、绿外延芯片的绝缘层制作示意图；
[0030]图7为本专利技术第一实施例当中提出的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mini
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LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括；分别提供可以发出不同颜色光的第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组，所述不同颜色光包括红色、蓝色以及绿色，所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组均包括多个间隔设置的芯片单元；对所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组分别进行刻蚀，以对所述第一外延片模组、第二外延片模组以及第三外延片模组中的多个芯片单元进行隔离；对隔离后的每个所述芯片单元进行单个的区域隔离，并在区域隔离后，按预设规则分别对所述多个芯片单元的隔离区域以及其他区域进行电极面的制作；在所述隔离区域的电极面上设置第一电极，并在所述芯片单元的其他区域的电极面设置与所述第一电极电性连接的第二电极。2.根据权利要求1所述的Mini
‑
LED芯片制备方法，其特征在于，所述对隔离后的每个所述芯片单元进行单个的区域隔离，并在区域隔离后，按预设规则分别对所述多个芯片单元的隔离区域以及其他区域进行电极面的制作的步骤包括：当所述芯片单元为红光芯片单元时，在所述芯片单元的隔离区域以及其他区域内沉积电流阻挡层，以在所述电流阻挡层上形成电极面。3.根据权利要求1所述的Mini
‑
LED芯片制备方法，其特征在于，所述对隔离后的每个所述芯片单元进行单个的区域隔离，并在区域隔离后，按预设规则分别对所述多个芯片单元的隔离区域以及其他区域进行电极面的制作的步骤包括：当所述芯片单元为绿光、蓝光芯片单元时，对所述芯片单元的隔离区域内的部分区域的P
‑
GaN层进行刻蚀，露出N
‑
GaN层；在所述P
‑
GaN层未刻蚀的区域沉积导电层，后在所述芯片单元上沉积绝缘层，以在所述绝缘层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹丹丹，许明明，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：