一种键合银丝的三元配方及制备方法组成比例

本发明专利技术涉及芯片封装技术领域，且公开了一种键合银丝的三元配方及制备方法，包括以下步骤：S1、将特定比例的高纯银(98

【技术实现步骤摘要】
一种键合银丝的三元配方及制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，具体为一种键合银丝的三元配方及制备方法。

技术介绍

[0002]在目前的LED半导体行业应用中，较多中低端的产品为了降本开始逐渐使用银线来作为基板与芯片的引线连接，然而纯银线在潮湿环并带有电压的环境下极易发生银离子迁移从而发生短路，导致元器件失效，并且纯银线极易与空气中的硫发生反应，所以其抗硫化程度较弱，在基于成本的约束下，现在需要做出性能优良的银合金线材，从而满足中低端客户的需求，为此，我们提出了一种键合银丝的三元配方及制备方法。

技术实现思路

[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种键合银丝的三元配方及制备方法，解决了上述
技术介绍
中的问题。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种键合银丝的三元配方及制备方法，包括以下步骤：
[0007]S1、将特定比例的高纯银(98
‑
99％)与高纯铜(1
‑
2％)以及高纯铟(0.1
‑
0.5％)一同投入真空熔铸炉元素投入真空熔铸炉，经过高温熔铸，得到特定直径的合金银棒；
[0008]S2、合金银棒再经过多组模具进行拉伸，此拉伸过程中在某一线径利用适合的温度进行中间正火；
[0009]S3、中间正火的线材再次拉伸至半成品线材；
[0010]S4、半成品线材经特定温度正火、水油淬火及低温回火后，对其机械性能进行测试，测试完成后覆绕，包装成成品线材。
[0011]优选的，所述步骤S1中，银、铜及铟其纯度必须要求99.999％以上。
[0012]优选的，所述步骤S1中，合金银棒直径为5mm
‑
8mm。
[0013]优选的，所述步骤S2中，中间正火线径为30μm
‑
120μm。
[0014]优选的，所述步骤S2中，中间正火温度为300℃
‑
500℃。
[0015]优选的，所述步骤S2中，中间退火速度为50m/min
‑
80m/min。
[0016]优选的，所述步骤S2和步骤S4中正火均在氮气的保护下进行。
[0017]优选的，所述步骤S4中，成品线材线径为0.8mil、0.9mil、1.0mil。
[0018](三)有益效果
[0019]本专利技术提供了一种键合银丝的三元配方及制备方法，具备以下有益效果：
[0020](1)、本专利技术通过加入铜和铟在相比纯银丝可以有效的抑制银离子迁移的速度，防止因银离子迁移从而发生的短路，导致元器件的失效。
[0021](2)、本专利技术在相比纯银丝可以降低与空气中的硫发生反应的反应速率，从而提高
抗硫化时间。
附图说明
[0022]图1为本专利技术本专利技术的流程示意图；
[0023]图2为本专利技术银离子迁移测试图片；
[0024]图3为本专利技术银离子迁移测试数据；
[0025]图4为本专利技术硫化过程实验图片。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]如图1
‑
4所示，本专利技术提供一种制备方法：一种键合银丝的三元配方及制备方法，包括以下步骤：
[0028]S1、将特定比例的高纯银(98
‑
99％)与高纯铜(1
‑
2％)以及高纯铟(0.1
‑
0.5％)一同投入真空熔铸炉元素投入真空熔铸炉，经过高温熔铸，得到特定直径的合金银棒；
[0029]S2、合金银棒再经过多组模具进行拉伸，此拉伸过程中在某一线径利用适合的温度进行中间正火；
[0030]S3、中间正火的线材再次拉伸至半成品线材；
[0031]S4、半成品线材经特定温度正火、水油淬火及低温回火后，对其机械性能进行测试，测试完成后覆绕，包装成成品线材。
[0032]制造银合金的银、铜及铟其纯度必须要求99.999％以上；
[0033]高温熔铸的合金银棒直径为5mm
‑
8mm；
[0034]合金银棒应在300℃
‑
500℃进行中间正火；
[0035]合金银棒的中间退火速度为50m/min
‑
80m/min；
[0036]合金银棒在进行步骤S2和步骤S4中的中间正火均在氮气的保护下进行。
[0037]步骤S4中成品线材线径为0.8mil、0.9mil、1.0mil。
[0038]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0039]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合银丝的三元配方及制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将特定比例的高纯银(98
‑
99％)与高纯铜(1
‑
2％)以及高纯铟(0.1
‑
0.5％)一同投入真空熔铸炉元素投入真空熔铸炉，经过高温熔铸，得到特定直径的合金银棒；S2、合金银棒再经过多组模具进行拉伸，此拉伸过程中在某一线径利用适合的温度进行中间正火；S3、中间正火的线材再次拉伸至半成品线材；S4、半成品线材经特定温度正火、水油淬火及低温回火后，对其机械性能进行测试，测试完成后覆绕，包装成成品线材。2.根据权利要求1所述的一种键合银丝的三元配方及制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，银、铜及铟其纯度必须要求99.999％以上。3.根据权利要求1所述的一种键合银丝的三元配方及制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，合金银棒直径...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐锦旭，黄信宪，
申请(专利权)人：合肥矽格玛应用材料有限公司，
类型：发明
国别省市：