调平方法及半导体结构技术

本发明专利技术实施例公开一种调平方法及半导体结构，调平方法包括提供一包括弯曲结构的衬底，衬底的第一侧具有第一阻挡层，衬底的第二侧具有第二阻挡层，第一侧与第二侧相背向设置；在第一阻挡层上形成具有第一开口的第一隔离层，在第二阻挡层上形成具有第二开口的第二隔离层，其中，第一开口和/或第二开口暴露出弯曲结构；对弯曲结构的第一阻挡层和/或第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理。一方面经本发明专利技术的调平方法处理后的衬底，其平整度更佳。另一方面本发明专利技术的调平方法能够调整形变复杂的衬底，具有操作简单、灵活且适用范围广的优点。再一方面，通过分别对位于相背两侧的第一阻挡层和第二阻挡层同时进行处理，能够提高调平效率。提高调平效率。提高调平效率。

【技术实现步骤摘要】
调平方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种调平方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]晶圆形成后会形成翘曲变形。然而，相关技术中并未提出一种很好解决晶圆翘曲变形的方案，进而影响了芯片的加工。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种能够解决晶圆翘曲变形问题的调平方法。
[0004]本专利技术实施例还提供一种采用上述调平方法制作而成的半导体结构。
[0005]本专利技术实施例的调平方法，包括：
[0006]提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的第一侧具有第一阻挡层，所述衬底的第二侧具有第二阻挡层，所述第一侧与所述第二侧相背向设置；
[0007]在所述第一阻挡层上形成具有第一开口的第一隔离层，在所述第二阻挡层上形成具有第二开口的第二隔离层，其中，所述第一开口和/或所述第二开口暴露出所述弯曲结构；
[0008]对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理。
[0009]根据本专利技术的一些实施方式，对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：
[0010]分别对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和所述第二阻挡层进行氢离子溢出处理和氢离子注入处理；
[0011]其中，进行氢离子溢出处理的阻挡层位于所述弯曲结构的凸起侧，进行氢离子注入处理的阻挡层位于所述弯曲结构的凹陷侧。
[0012]根据本专利技术的一些实施方式，所述衬底包括多个所述弯曲结构，多个所述弯曲结构分为第一部分和第二部分；
[0013]在所述第一阻挡层上形成具有第一开口的第一隔离层，在所述第二阻挡层上形成具有第二开口的第二隔离层，其中，所述第一开口和/或所述第二开口暴露出所述弯曲结构，包括：
[0014]在所述第一阻挡层上形成所述第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述第一部分的凸起侧，且通过所述第一开口暴露出所述第二部分的凹陷侧；
[0015]在所述第二阻挡层上形成所述第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第二部分的凸起侧，且通过所述第二开口暴露出所述第一部分的凹陷侧；
[0016]对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：
[0017]对暴露的所述第一阻挡层和所述第二阻挡层进行氢离子注入处理。
[0018]根据本专利技术的一些实施方式，所述衬底包括多个所述弯曲结构，多个所述弯曲结构分为第一部分和第二部分；
[0019]在所述第一阻挡层上形成具有第一开口的第一隔离层，在所述第二阻挡层上形成具有第二开口的第二隔离层，其中，所述第一开口和/或所述第二开口暴露出所述弯曲结构，包括：
[0020]在所述第一阻挡层上形成所述第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述第二部分的凹陷侧，且通过所述第一开口暴露出所述第一部分的凸起侧；
[0021]在所述第二阻挡层上形成所述第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一部分的凹陷侧，且通过所述第二开口暴露出所述第二部分的凸起侧；
[0022]对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：
[0023]对暴露的所述第一阻挡层和所述第二阻挡层进行氢离子溢出处理。
[0024]根据本专利技术的一些实施方式，进行氢离子溢出处理，包括：
[0025]采用激光照射工艺。
[0026]根据本专利技术的一些实施方式，进行氢离子溢出处理，还包括：
[0027]处理温度大于1100℃。
[0028]根据本专利技术的一些实施方式，进行氢离子注入处理，包括：
[0029]采用离子轰击工艺。
[0030]根据本专利技术的一些实施方式，进行氢离子溢出处理，还包括：
[0031]处理温度介于500℃～700℃。
[0032]根据本专利技术的一些实施方式，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材料均包括氧化硅或氮氧化硅。
[0033]根据本专利技术的一些实施方式，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料包括氮化硅或碳氮化硅。
[0034]根据本专利技术的一些实施方式，提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的第一侧具有第一阻挡层，所述衬底的第二侧具有第二阻挡层，包括：
[0035]提供一原始硅片，所述原始硅片包括翘曲结构；
[0036]在所述原始硅片的两个相背向设置的侧面分别形成所述第一阻挡层和所述第二阻挡层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层分别覆盖所述翘曲结构的凸起侧和凹陷侧，形成所述弯曲结构。
[0037]根据本专利技术的一些实施方式，对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理之后，所述方法还包括：
[0038]去除所述第一阻挡层和所述第二阻挡层。
[0039]根据本专利技术的一些实施方式，提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的第一侧具有第一阻挡层，所述衬底的第二侧具有第二阻挡层，包括：
[0040]提供一基底；
[0041]在所述基底的两个相背向设置的侧面分别形成所述第一阻挡层和所述第二阻挡层；
[0042]对所述基底、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层进行降温处理后形成所述弯曲结
构。
[0043]根据本专利技术的一些实施方式，所述基底为半导体基底。
[0044]根据本专利技术的一些实施方式，所述方法还包括：
[0045]去除所述第一隔离层和所述第二隔离层。
[0046]本专利技术实施例的半导体结构，采用上述任一所述的调平方法制作而成。
[0047]上述专利技术中的一个实施例具有如下优点或有益效果：
[0048]本专利技术实施例的调平方法，通过采用开口暴露出弯曲结构，以及对弯曲结构的第一阻挡层和/或第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理的技术手段，使得本实施例的调平方法能够调整衬底的局部区域。一方面，经本专利技术实施例的调平方法处理后的衬底，其平整度更佳。另一方面，本专利技术实施例的调平方法能够调整形变复杂的衬底，具有操作简单、灵活且适用范围广的优点。再一方面，通过分别对位于相背两侧的第一阻挡层和第二阻挡层同时进行处理，能够提高调平效率。
附图说明
[0049]图1示出的是本专利技术实施例的调平方法的流程图。
[0050]图2A至图2C示出的是采用氢离子溢出来调整平整度的原理图。
[0051]图3A至图3C示出的是采用氢离子注入来调整平整度的原理图。
[0052]图4A至4C示出的是本专利技术的调平方法调平第一实施例的衬底的示意图。
[0053]图5A至图5C示出的是本专利技术的调平方法调平第二实施例的衬底的示意图。
[0054]图6A至图6C示出的是本专利技术的调平方法调平第三实施例的衬底的示意图。
[0055]图7A至图7C示出的是本专利技术的调平方法调平第四实施例的衬底的示意图。
[0056]其中，附图标记说明如下：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调平方法，其特征在于，包括：提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的第一侧具有第一阻挡层，所述衬底的第二侧具有第二阻挡层，所述第一侧与所述第二侧相背向设置；在所述第一阻挡层上形成具有第一开口的第一隔离层，在所述第二阻挡层上形成具有第二开口的第二隔离层，其中，所述第一开口和/或所述第二开口暴露出所述弯曲结构；以及对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理。2.根据权利要求1所述的调平方法，其特征在于，对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：分别对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和所述第二阻挡层进行氢离子溢出处理和氢离子注入处理；其中，进行氢离子溢出处理的阻挡层位于所述弯曲结构的凸起侧，进行氢离子注入处理的阻挡层位于所述弯曲结构的凹陷侧。3.根据权利要求1所述的调平方法，其特征在于，所述衬底包括多个所述弯曲结构，多个所述弯曲结构分为第一部分和第二部分；在所述第一阻挡层上形成具有第一开口的第一隔离层，在所述第二阻挡层上形成具有第二开口的第二隔离层，其中，所述第一开口和/或所述第二开口暴露出所述弯曲结构，包括：在所述第一阻挡层上形成所述第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述第一部分的凸起侧，且通过所述第一开口暴露出所述第二部分的凹陷侧；在所述第二阻挡层上形成所述第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第二部分的凸起侧，且通过所述第二开口暴露出所述第一部分的凹陷侧；对所述弯曲结构的所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：对暴露的所述第一阻挡层和所述第二阻挡层进行氢离子注入处理。4.根据权利要求1所述的调平方法，其特征在于，所述衬底包括多个所述弯曲结构，多个所述弯曲结构分为第一部分和第二部分；在所述第一阻挡层上形成具有第一开口的第一隔离层，在所述第二阻挡层上形成具有第二开口的第二隔离层，其中，所述第一开口和/或所述第二开口暴露出所述弯曲结构，包括：在所述第一阻挡层上形成所述第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述第二部分的凹陷侧，且通过所述第一开口暴露出所述第一部分的凸起侧；在所述第二阻挡层上形成所述第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一部分的凹陷侧，且通过所述第二开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：