一种晶圆治具制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆治具，属于半导体技术领域，治具用于生产晶圆，治具包括第一盘体、盖合连接于第一盘体上的第二盘体，及设于第一盘体上的放置槽群；第一盘体的表面和第二盘体的表面包覆有绝缘层，当第二盘体盖合连接于第一盘体上时，通过绝缘层，以使第一盘体和第二盘体之间产生绝缘不导通。通过该设置，实现第二盘体的表面电荷不累积，可以避免上盖电荷累积导致离子偏移，从而提升晶圆片边缘使用率及性能。用率及性能。用率及性能。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆治具


[0001]本技术属于半导体
，具体涉及一种晶圆治具。

技术介绍

[0002]在对晶圆加工的过程中，需采用一治具用于承载晶圆，治具主要是作为协助控制位置或动作(或两者)的一种工具。
[0003]现有的治具包括上盖和与上盖相对应的下盘，下盘上设置有多个放置槽，利用放置槽对晶圆片提供支撑，以便后续对晶圆片进行加工，在进行PSS刻蚀铝盘作业中，上盖易累积电荷，PSS即蓝宝石图形化处理，蓝宝石为六方晶系结构。
[0004]现有技术中，由于上盖累积电荷，导致在进行离子轰击时靠近上盖附近的晶圆片图形容易发生异常，晶圆片图形异常是因上盖累积电荷，致使晶圆片的边缘受累积的电荷影响发生偏转，导致轰击的图形发生形变不规则，底部的C面轰击不平整，外延长晶的时候出现雾化，位错等缺陷。

技术实现思路

[0005]基于此，本技术的目的是提供一种晶圆治具，以解决上述
技术介绍
中由于上盖累积电荷，导致在进行离子轰击时靠近上盖附近的晶圆片图形容易发生异常的技术问题。
[0006]本技术提出的一种晶圆治具，所述治具用于生产晶圆，所述治具包括第一盘体、盖合连接于所述第一盘体上的第二盘体，及设于所述第一盘体上的放置槽群；
[0007]所述放置槽群包括以所述第一盘体为中心周向间隔排列的多个第一放置槽，多个所述第一放置槽位于所述第一盘体的第一表面，且相邻两个所述第一放置槽紧靠设置；
[0008]其中，所述第一盘体的表面和所述第二盘体的表面包覆有绝缘层，当所述第二盘体盖合连接于所述第一盘体上时，通过所述绝缘层，以使所述第一盘体和所述第二盘体之间产生绝缘不导通。
[0009]进一步的，每个所述第一放置槽的部分边缘与所述第一盘体的边缘紧靠。
[0010]进一步的，所述放置槽群还包括至少一个第二放置槽，所述第二放置槽位于所述第一表面的中心。
[0011]进一步的，所述第二盘体上设有与所述第一放置槽和所述第二放置槽相对应的多个通孔。
[0012]进一步的，所述通孔内设有限位结构，当所述晶圆位于所述第一放置槽和/或所述第二放置槽上时，以通过所述限位结构限制所述晶圆相对于所述第一盘体的移动。
[0013]进一步的，所述限位结构包括间隔设置的多个凸起件，述凸起件设于所述通孔的内孔壁。
[0014]进一步的，所述治具还包括限位杆，所述第一盘体和所述第二盘体的其中一个设有所述限位杆，另一个上设有与所述限位杆相对的限位槽，所述限位杆伸入所述限位槽内
且至少部分限制于所述限位槽内，以限制所述第二盘体相对于所述第一盘体的移动。
[0015]进一步的，所述限位杆设于所述第一盘体上，所述限位槽设于所述第二盘体上。
[0016]进一步的，所述限位杆设有多个，多个所述限位杆设于所述第一盘体的第一表面并朝向所述第二盘体延伸，且至少有两个所述限位杆以所述第一盘体的中心线对称设置；
[0017]其中，所述限位槽设于所述第二盘体的第二表面上，所述第一表面与所述第二表面相对设置。
[0018]进一步的，当所述第二盘体盖合连接于所述第一盘体上时，所述第一盘体的边缘与所述第二盘体的边缘重叠。
[0019]与现有技术相比，本技术的有益效果在于：
[0020]在本技术提供的晶圆治具中，通过在第一盘体和第二盘体上包覆绝缘层，以当第二盘体盖合连接于第一盘体上时，第一盘体和第二盘体之间产生绝缘不导通，解决了上盖附近因晶圆片图形异常，导致C面平整度差，外延长晶易雾化的技术问题，具体来说，治具包括第一盘体、盖合连接于第一盘体上的第二盘体，及设于第一盘体上的放置槽群，放置槽群包括以第一盘体为中心周向间隔排列的多个第一放置槽，多个第一放置槽位于第一盘体的第一表面，且相邻两个第一放置槽紧靠设置，其中，第一盘体的表面和第二盘体的表面包覆有绝缘层，当第二盘体盖合连接于第一盘体上时，通过所述绝缘层，以使所述第一盘体和所述第二盘体之间产生绝缘不导通，在具体实施时，绝缘层可为全方位镀在第一盘体和第二盘体上的硬质阳极氧化膜。因此在对晶圆进行加工的过程中，实现第二盘体的表面电荷不累积，从而可以避免上盖电荷累积导致离子偏移，从而提升晶圆片边缘使用率及性能。
附图说明
[0021]图1为本技术一实施例的整体结构示意图；
[0022]图2为本技术一实施例中第一盘体的结构示意图；
[0023]图3为本技术一实施例中第二盘体的结构示意图；
[0024]图4为本技术一实施例中绝缘层的结构示意图；
[0025]图5为现有治具与本技术提供的晶圆治具的使用状态对比图。
[0026]附图说明：100、第一盘体；110、第一表面；200、第二盘体；210、通孔；220、第二表面；230、凸起件；300、放置槽群；310、第一放置槽；320、第二放置槽；400、绝缘层；500、限位杆；510、限位槽。
具体实施方式
[0027]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的若干实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0028]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]请参阅图1至图4，所示为本技术一实施例提供的一种晶圆治具，治具用于生产晶圆，治具包括第一盘体100、盖合连接于第一盘体100上的第二盘体200，及设于第一盘体100上的放置槽群300；
[0031]放置槽群300包括以第一盘体100为中心周向间隔排列的多个第一放置槽310，多个第一放置槽310位于第一盘体100的第一表面110，且相邻两个第一放置槽310紧靠设置，其中，第一盘体100的表面和第二盘体200的表面包覆有绝缘层400，当第二盘体200盖合连接于第一盘体100上时，通过绝缘层400，以使第一盘体100和第二盘体200之间产生绝缘不导通。
[0032]示例并非限定，该绝缘层400可为全方位镀在第一盘体100和第二盘体200上的硬质阳极氧化膜，在对晶圆进行加工的过程中，实现第二盘体200的表面电荷不累积，从而可以避免上盖电荷累积导致离子偏移，晶圆片边缘图形异常，外延长晶雾化，从而提升晶圆片边缘使用率及性能，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆治具，所述治具用于生产晶圆，所述治具包括第一盘体、盖合连接于所述第一盘体上的第二盘体，及设于所述第一盘体上的放置槽群，其特征在于；所述放置槽群包括以所述第一盘体为中心周向间隔排列的多个第一放置槽，多个所述第一放置槽位于所述第一盘体的第一表面，且相邻两个所述第一放置槽紧靠设置；其中，所述第一盘体的表面和所述第二盘体的表面包覆有绝缘层，当所述第二盘体盖合连接于所述第一盘体上时，通过所述绝缘层，以使所述第一盘体和所述第二盘体之间产生绝缘不导通。2.根据权利要求1所述的晶圆治具，其特征在于，每个所述第一放置槽的部分边缘与所述第一盘体的边缘紧靠。3.根据权利要求1所述的晶圆治具，其特征在于，所述放置槽群还包括至少一个第二放置槽，所述第二放置槽位于所述第一表面的中心。4.根据权利要求3所述的晶圆治具，其特征在于，所述第二盘体上设有与所述第一放置槽和所述第二放置槽相对应的多个通孔。5.根据权利要求4所述的晶圆治具，其特征在于，所述通孔内设有限位结构，当所述晶圆位于所述第一放置槽和/或所述第二放置槽上时，以通过所述限位结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾祥金，梁毅，林冠宏，崔思远，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：