磁控溅射设备及其冷却组件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种磁控溅射设备及其冷却组件，完成ITO膜层的沉积后，第一阀体关闭而使得第一供气管与溅射腔室完全截止，第二阀体打开而使得第二供气管与溅射腔室连通，从而使得低温氩气能够通过第二供气管进入溅射腔室内，不仅满足铜种子层沉积的工艺要求，而且能够在溅射腔室内营造低温环境以进行铜种子层的沉积，避免本征非晶硅膜层遭到破坏，有效降低不良率。并且，通过低温氩气对进行铜种子层沉积过程中的基板和靶材进行冷却，能够及时的将大量热量带走，能够对靶材和基板进行有效地冷却降温，适应长时间的生产需求，保证生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射设备及其冷却组件


[0001]本技术涉及光伏
，特别是涉及一种磁控溅射设备及其冷却组件。

技术介绍

[0002]太阳电池在生产过程中，采用磁控溅射设备对基板采取PVD(Physical vapor deposition，物理气相沉积法)工艺以沉积ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)膜层，同时，为了节省生产成本，对沉积ITO膜层后的基板进行铜种子层的沉积以进行电极的制作。其中，在进行ITO膜层的沉积时，溅射腔室内的温度要求较高，而在进行铜种子层的沉积时，为了避免本征非晶硅膜层遭到破坏，溅射腔室内的温度要求较低(溅射腔室内的温度需要保持在60℃以下)。传统的方式为采取冷却水管对溅射腔室进行降温冷却，在进行大功率产能生产时，冷却水带走的热量有限，无法适应长时间的生产需求，影响生产效率。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对无法适应长时间的生产需求，影响生产效率的问题，提供一种磁控溅射设备及其冷却组件。
[0004]其技术方案如下：
[0005]一方面，提供了一种冷却组件，应用于磁控溅射设备，所述磁控溅射设备设有溅射腔室，所述冷却组件包括：
[0006]第一供气管，所述第一供气管与所述溅射腔室连通，所述第一供气管用于流通常温氩气；
[0007]第一阀体，所述第一阀体设置于所述第一供气管上以控制所述第一供气管与所述溅射腔室的连通程度；
[0008]第二供气管，所述第二供气管与所述溅射腔室连通，所述第二供气管用于流通低温氩气；及
[0009]第二阀体，所述第二阀体设置于所述第二供气管上以控制所述第二供气管与所述溅射腔室的连通程度。
[0010]下面进一步对技术方案进行说明：
[0011]在其中一个实施例中，所述冷却组件还包括控制器及第一温度检测元件，所述第一温度检测元件用于对所述溅射腔室内的温度进行检测，所述第一温度检测元件、所述第一阀体及所述第二阀体均与所述控制器电性连接。
[0012]在其中一个实施例中，所述冷却组件还包括第三供气管及第二温度检测元件，所述第三供气管具有相互连通的进气端及出气端，所述出气端与所述溅射腔室连通，所述第一供气管及所述第二供气管均与所述进气端连通，所述第二温度检测元件设置于所述第三供气管内并位于所述进气端与所述出气端之间，且所述第二温度检测元件与所述控制器电性连接。
[0013]在其中一个实施例中，所述出气端为至少两个，至少两个所述出气端错位分布于
所述溅射腔室内。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一温度检测元件为至少两个，至少两个所述第一温度检测元件均与所述控制器电性连接，至少两个所述第一温度检测元件与至少两个所述出气端一一对应并相邻设置，使所述第一温度检测元件能够对相邻的所述出气端处的温度进行检测。
[0015]在其中一个实施例中，所述冷却组件还包括至少两个第三阀体，至少两个所述第三阀体均与所述控制器电性连接，至少两个所述第三阀体与至少两个所述出气端一一对应设置，使每个所述第三阀体均能够控制对应地所述出气端与所述溅射腔室的连通程度。
[0016]在其中一个实施例中，至少一个所述出气端分布于基板的上方，至少一个所述出气端分布于所述基板的下方。
[0017]在其中一个实施例中，所述冷却组件还包括冷却水管，所述冷却水管与所述溅射腔室导热配合。
[0018]在其中一个实施例中，所述冷却组件还包括真空发生元件，所述真空发生元件与所述溅射腔室连通以对所述溅射腔室进行抽真空处理。
[0019]另一方面，提供了一种磁控溅射设备，包括所述的冷却组件，所述磁控溅射设备设有溅射腔室，所述冷却组件用于对所述溅射腔室进行冷却。
[0020]上述实施例的磁控溅射设备及其冷却组件，进行ITO膜层的沉积时，第二阀体关闭而使得第二供气管与溅射腔室完全截止，第一阀体打开而使得第一供气管与溅射腔室连通，从而使得常温氩气能够通过第一供气管进入溅射腔室内，进而利用常温氩气参与ITO膜层的沉积。完成ITO膜层的沉积后，第一阀体关闭而使得第一供气管与溅射腔室完全截止，第二阀体打开而使得第二供气管与溅射腔室连通，从而使得低温氩气能够通过第二供气管进入溅射腔室内，不仅满足铜种子层沉积的工艺要求，而且能够在溅射腔室内营造低温环境以进行铜种子层的沉积，避免本征非晶硅膜层遭到破坏，有效降低不良率。并且，通过低温氩气对进行铜种子层沉积过程中的基板和靶材进行冷却，能够及时的将大量热量带走，能够对靶材和基板进行有效地冷却降温，适应长时间的生产需求，保证生产效率，而且，从工艺的角度解决了高温问题，不会对其他部件造成影响，简化管路布置结构，相比传统的采取冷却水管的形式而言，密封效果更好，也不会存在漏水等问题。同时，利用第一阀体与第二阀体分别控制第一供气管和第二供气管与溅射腔室的连通程度，能够避免发生串气；而且，后续只需对第一供气管和第二供气管进行检修即可，降低了检修难度。
附图说明
[0021]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为一个实施例的磁控溅射设备的结构示意图；
[0024]图2为图1的磁控溅射设备的冷却组件的第三供气管的布置图。
[0025]附图标记说明：
[0026]100、第一供气管；200、第一阀体；300、第二供气管；400、第二阀体；500、第三供气管；510、进气端；520、出气端；600、第三阀体；700、冷却水管；800、真空发生元件；900、出气管；1000、溅射腔室。
具体实施方式
[0027]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]在一个实施例中，提供了一种磁控溅射设备，其中，磁控溅射设备设有溅射腔室1000，从而能够将基板放置在溅射腔室1000内进行ITO膜层的沉积以及铜种子层的沉积。
[0029]需要进行说明的是，在对基板进行ITO膜层的沉积以及铜种子层的沉积时，可以采取传统的磁控溅射工艺实现，在此不再赘述。并且，磁控溅射设备还包括靶材等元件，由于可以属于传统的技术，在此也不再赘述。
[0030]传统的磁控溅射工艺可以是将基板放置在溅射腔室1000内后，向溅射腔室1000内通入氩气，电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冷却组件，应用于磁控溅射设备，所述磁控溅射设备设有溅射腔室(1000)，其特征在于，所述冷却组件包括：第一供气管(100)，所述第一供气管(100)与所述溅射腔室(1000)连通，所述第一供气管(100)用于流通常温氩气；第一阀体(200)，所述第一阀体(200)设置于所述第一供气管(100)上以控制所述第一供气管(100)与所述溅射腔室(1000)的连通程度；第二供气管(300)，所述第二供气管(300)与所述溅射腔室(1000)连通，所述第二供气管(300)用于流通低温氩气；及第二阀体(400)，所述第二阀体(400)设置于所述第二供气管(300)上以控制所述第二供气管(300)与所述溅射腔室(1000)的连通程度。2.根据权利要求1所述的冷却组件，其特征在于，所述冷却组件还包括控制器及第一温度检测元件，所述第一温度检测元件用于对所述溅射腔室(1000)内的温度进行检测，所述第一温度检测元件、所述第一阀体(200)及所述第二阀体(400)均与所述控制器电性连接。3.根据权利要求2所述的冷却组件，其特征在于，所述冷却组件还包括第三供气管(500)及第二温度检测元件，所述第三供气管(500)具有相互连通的进气端(510)及出气端(520)，所述出气端(520)与所述溅射腔室(1000)连通，所述第一供气管(100)及所述第二供气管(300)均与所述进气端(510)连通，所述第二温度检测元件设置于所述第三供气管(500)内并位于所述进气端(510)与所述出气端(520)之间，且所述第二温度检测元件与所述控制器电性连接。4.根据权利要求3所述的冷却组件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王陈，任民鑫，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：新型
国别省市：