穿戴传感器模组及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种穿戴传感器模组及其制备方法，其中，穿戴传感器模组包括：封装基板，表面配置有器件区域及光阻挡区域；压覆于所述封装基板表面光阻挡区域上的光阻挡层；及封装于所述封装基板表面器件区域内的LED发射芯片和光敏二级管接收芯片。有效解决现有传感器模组辐射强度受封装树脂影响、尺寸较大无法优化缩小的技术问题。缩小的技术问题。缩小的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
穿戴传感器模组及其制备方法


[0001]本专利技术涉及LED
，尤其是一种穿戴传感器模组及其制备方法。

技术介绍

[0002]应用于智能穿戴手环或手表上的健康监测功能(如监测心率、血氧等)一般基于内部配置的传感器模组实现。在传感器模组中封装有数量不等的LED发射器件和光敏二级管接收器件，通过发射器件和接收器件的相互配合，实现对目标的监测。
[0003]虽然从功能上来看当前的传感器模组能够一定程度上实现目的，但是由于传感器模组中封装的发射器件和接收器件一般都是由树脂封装好的独立器件，使得传感器模组存在以下问题：1)发射器件与接收器件均为独立的采用树脂封装的封装器件，发射器件由于封装树脂的折射率影响，出光的辐射强度存在一定的损失；2)由于独立的封装器件尺寸过大导致组装后的传感器模组的尺寸较大，无法优化缩小。

技术实现思路

[0004]为了克服以上不足，本专利技术提供了一种穿戴传感器模组及其制备方法，有效解决现有传感器模组辐射强度受封装树脂影响、尺寸较大无法优化缩小的技术问题。
[0005]本专利技术提供的技术方案为：
[0006]一方面，本专利技术提供了一种穿戴传感器模组，包括：
[0007]封装基板，表面配置有器件区域及光阻挡区域；
[0008]压覆于所述封装基板表面光阻挡区域上的光阻挡层；及
[0009]封装于所述封装基板表面器件区域内的LED发射芯片和光敏二级管接收芯片。
[0010]进一步优选地，所述器件区域包括用于封装LED发射芯片的第一封装区域及用于封装光敏二级管接收芯片的第二封装区域，所述第一封装区域和第二封装区域通过压覆于中间的光阻挡层隔开；且所述第二封装区域的数量较第一封装区域的数量多。
[0011]进一步优选地，所述封装基板表面的中心位置配置有一第二封装区域，环该中心位置的第二封装区域周围均匀间隔分布有第一封装区域和第二封装区域。
[0012]进一步优选地，环中心位置的第二封装区域包括与光敏二级管接收芯片形状匹配的方形区域，还包括该方形区域朝向第一封装区域侧边的电极焊盘。
[0013]进一步优选地，所述光阻挡层于封装基板表面较所述LED发射芯片和光敏二级管接收芯片的电极线最高处高50μm。
[0014]另一方面，本专利技术提供了一种穿戴传感器模组制备方法，包括：
[0015]提供一整板的封装基板，所述封装基板表面包括针对不同穿戴传感器模组的器件区域及光阻挡区域，且器件区域上对应配置有导电线路；
[0016]提供一外形与所述封装基板匹配的光阻挡基板，所述光阻挡基板上对应封装基板表面的器件区域镂空设置；
[0017]将所述光阻挡基板压合于所述封装基板表面；
[0018]对压合于封装基板表面的光阻挡基板镂空成型，形成针对单颗穿戴传感器的光阻挡层；
[0019]根据配置的导电线路将LED发射芯片和光敏二级管接收芯片固晶于所述封装基板表面的器件区域，并对电极线进行焊接；
[0020]对封装基板进行切割得到单颗穿戴传感器模组。
[0021]进一步优选地，针对单颗穿戴传感器模组的器件区域包括用于封装LED发射芯片的第一封装区域及用于封装光敏二级管接收芯片的第二封装区域，所述第一封装区域和第二封装区域通过压覆于中间的光阻挡层隔开；且所述第二封装区域的数量较第一封装区域的数量多。
[0022]进一步优选地，所述封装基板表面的中心位置配置有一第二封装区域，环该中心位置的第二封装区域周围均匀间隔分布有第一封装区域和第二封装区域。
[0023]进一步优选地，所述光阻挡层于封装基板表面较所述LED发射芯片和光敏二级管接收芯片的电极线最高处高50μm。
[0024]本专利技术提供的穿戴传感器模组及其制备方法，至少能够带来以下有益效果：
[0025]1.在穿戴传感器模组中直接封装LED发射裸芯片，减少了封装芯片表面封装树脂对器件发光强度的影响，从而提高模组光源的辐射强度；同时，在芯片之间配置光阻挡层，避免LED发射芯片之间噪音的互相干扰及避免LED发射芯片对光敏二级管接收芯片的噪音干扰；
[0026]2.穿戴传感器模组中，封装LED发射裸芯片的同时，封装光敏二极管PD裸芯片；且通过特定的芯片布局方式，减小整个模组的体积，解决传统封装方式尺寸无法缩小的问题。
附图说明
[0027]图1为本专利技术一实例中穿戴传感器模组结构示意图；
[0028]图2为本专利技术如图1所示穿戴传感器模组AA处的剖面示意图；
[0029]图3为本专利技术为未围设高反射率白胶的结构示意图；
[0030]图4为本专利技术穿戴传感器模组制备流程图。
[0031]附图标记：
[0032]10/20/30
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封装基板，11
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第一封装区域，12
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第二封装区域，13/32
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光阻挡区域，14
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电极焊盘，15/42
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光阻挡层，16
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光敏二级管接收芯片，17
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导电线，21
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LED发射灯珠区域，22
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光敏接收二极管灯珠区域，31
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器件区域，40
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光阻挡基板，41
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镂空区域。
具体实施方式
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0034]本专利技术的第一种实施例，一种穿戴传感器模组，包括：封装基板，表面配置有器件区域及光阻挡区域；压覆于封装基板表面光阻挡区域上的光阻挡层；及封装于封装基板表面器件区域内的LED发射芯片和光敏二级管接收芯片。
[0035]在本实施例中，封装基板可以根据应用场景对其制备材料进行选定，如氮化铝陶瓷、EMC、SMC、PCT、PPA、BT、FR4等可蚀刻导电线路材料，这里不做具体限定，根据实际需求在器件区域表面配置相应的导电线路即可，包括电极焊盘等。整体外形由配置的器件区域和光阻挡区域确定。为保证模组的散热，可选用覆铜氮化铝陶瓷底板，表面配置的导电线路根据封装的芯片类型进行配置。
[0036]光阻挡区域用于避免LED发射芯片的噪音干扰，可以选用与封装基板相同的材质制备而成。且为实现这一目的，在封装基板表面器件区域配置用于封装LED发射芯片的第一封装区域及用于封装光敏二级管接收芯片的第二封装区域，第一封装区域和第二封装区域通过压覆于区域中间的光阻挡层隔开；且第二封装区域的数量较第一封装区域的数量多。
[0037]对于第一封装区域来说，内部封装的LED发射芯片数量和类型根据具体需求确定，如一实例中，以红外发射芯片、红光发射芯片和绿光发射芯片为一组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种穿戴传感器模组，其特征在于，包括：封装基板，表面配置有器件区域及光阻挡区域；压覆于所述封装基板表面光阻挡区域上的光阻挡层；及封装于所述封装基板表面器件区域内的LED发射芯片和光敏二级管接收芯片。2.如权利要求1所述的穿戴传感器模组，其特征在于，所述器件区域包括用于封装LED发射芯片的第一封装区域及用于封装光敏二级管接收芯片的第二封装区域，所述第一封装区域和第二封装区域通过压覆于中间的光阻挡层隔开；且所述第二封装区域的数量较第一封装区域的数量多。3.如权利要求2所述的穿戴传感器模组，其特征在于，所述封装基板表面的中心位置配置有一第二封装区域，环该中心位置的第二封装区域周围均匀间隔分布有第一封装区域和第二封装区域。4.如权利要求3所述的穿戴传感器模组，其特征在于，环中心位置的第二封装区域包括与光敏二级管接收芯片形状匹配的方形区域，还包括该方形区域朝向第一封装区域侧边的电极焊盘。5.如权利要求1
‑
4任意一项所述的穿戴传感器模组，其特征在于，所述光阻挡层于封装基板表面较所述LED发射芯片和光敏二级管接收芯片的电极线最高处高50μm。6.一种穿戴传感器模组制备方法，其特征在于，包括：提供一整板的封装基板，所述封装基板表面包括针对不同穿戴传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小虎，涂洪平，
申请(专利权)人：江西省晶能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：