异质结电池制造技术

一种异质结电池，包括晶硅体，依次设置于所述晶硅体表面的本征非晶硅层、掺杂层、透明导电氧化层、金属电极，所述异质结电池还包括位于所述透明导电氧化层和所述掺杂层之间的金属网格层。其中，所述金属网格层用于辅助载流子的传输，降低横向传输的串阻损失，等效降低透明导电氧化层的方阻；因此可以在沉积透明导电氧化层时，提高氧的含量来提高光学透射率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
异质结电池


[0001]本技术涉及光伏领域，尤其涉及一种异质结电池。

技术介绍

[0002]硅异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin
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film，HJT电池)，在掺杂非晶硅层与金属电极之间设有透明导电氧化物薄膜(transparent conductive oxide，TCO)。
[0003]透明导电氧化物薄膜作为透明电极层，收集并将载流子传输到金属电极上，同时作为光学减反层，增加光线的透过率。因此方阻与透射率是评估透明导电氧化物薄膜的两个重要参数。但由于材料特性，现有的透明导电氧化物薄膜无法兼顾低方阻与高透射率。
[0004]有鉴于此，有必要提供一种改进的异质结电池，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本技术旨在能够至少解决现有技术存在的技术问题之一，提供一种异质结电池。
[0006]为实现上述专利技术目的之一，本技术采用如下技术方案：
[0007]一种异质结电池，包括晶硅体，依次设置于所述晶硅体表面的本征非晶硅层、掺杂层、透明导电氧化层、金属电极，所述异质结电池还包括位于所述透明导电氧化层和所述掺杂层之间的金属网格层。
[0008]进一步地，所述金属网格层的厚度小于所述透明导电氧化层的厚度。
[0009]进一步地，所述金属网格层包括相互连接的若干金属线，金属线的线高为0.05μm～1μm，所述透明导电氧化层的厚度介于60nm～1500nm之间。
[0010]进一步地，所述金属网格层包括相互连接的若干金属线，金属线的线宽介于0.5μm～4μm之间。
[0011]进一步地，金属网格层包括相互平行的若干第一金属线、与第一金属线交叉连接的若干第二金属线，相邻的第一金属线的距离介于30μm～300μm之间。
[0012]进一步地，所述金属网格层的网格形状包括三角形、或四边形、或六边形，网格的边长介于30μm～300μm之间。
[0013]进一步地，透明导电氧化层的透光率介于0.5％～7％。
[0014]进一步地，所述晶硅体为N型硅片，晶硅体正面的掺杂层为N型掺杂层，所述N型掺杂层为N型掺杂非晶硅层、或N型掺杂纳米晶硅层、或N型掺杂微晶硅层。
[0015]进一步地，所述晶硅体为N型硅片，晶硅体背面的掺杂层为P型掺杂层，所述P型掺杂层为P型掺杂非晶硅层、或P型掺杂纳米晶硅层、或P型掺杂微晶硅层。
[0016]进一步地，所述金属电极仅包括主栅。
[0017]进一步地，包括N型晶硅体，依次设置于所述N型晶硅体正面的正面本征非晶硅层、N型掺杂层、正面金属网格层、正面透明导电氧化层、正面金属电极；依次设置于N型晶硅体
背面的背面本征非晶硅层、P型掺杂层、背面金属网格层、背面透明导电氧化层、背面金属电极。
[0018]本技术的有益效果是：本技术的异质结电池中，透明导电层包括透明导电氧化层和金属网格层。所述金属网格层用于辅助载流子的传输，降低横向传输的串阻损失，等效降低透明导电氧化层的方阻；因此可以在沉积透明导电氧化层时，提高氧的含量来提高光学透射率。
附图说明
[0019]图1为本技术一较佳实施例的异质结电池的结构示意图
[0020]图2为本技术另一较佳实施例的异质结电池的结构示意图图；
[0021]图3为图1中金属网格层的俯视图。
[0022]其中，100
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异质结电池，1
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晶硅体，2
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本征非晶硅层，21
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正面本征非晶硅层，22
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背面本征非晶硅层，3
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掺杂层，31
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N型掺杂层，32
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P型掺杂层，4
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透明导电层，41
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金属网格层，411
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第一金属线，412
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第二金属线，42
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透明导电氧化层，5
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金属电极，51
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正面金属电极，52
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背面金属电极。
具体实施方式
[0023]以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。
[0024]在本技术的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本技术的主题的基本结构。
[0025]专利技术人研究发现：透明导电氧化层(TCO层)的方阻、透射率与沉积时的氧含量有关，因此可以在工艺中调控氧含量，获得理想的方阻与透射率。但是，氧含量增加导致高透射，但同时会增加方阻，阻碍载流子的传输，导致串联电阻增加。氧含量降低会降低方阻，有利于降低串联电阻，但同时会导致膜层透光性变差，从而导致电流降低。
[0026]请参阅图1～图3所示，为本技术较佳实施例的异质结电池，其包括晶硅体1、依次设置于晶硅体1表面的本征非晶硅层2、掺杂层3、金属网格层41、透明导电氧化层42(TCO层)、金属电极5。
[0027]所述金属网格层41、所述透明导电氧化层42共同构成透明导电层4。所述金属网格层41用于辅助载流子的传输，降低横向传输的串阻损失，等效降低透明导电氧化层42的方阻；因此可以在沉积透明导电氧化层42时，提高氧的含量来提高光学透射率。
[0028]其中，所述晶硅体1为N型硅片，厚度介于90μm～200μm之间，优选130μm以下的电池片，电阻率介于0.3Ω.m～7Ω.m之间。
[0029]优选地，所述硅片的至少一面具有绒面结构，可以提高其表面限光性，进而提高电池效率。一实施例中，所述硅片的正面具有绒面结构。另一优选实施例中，所述硅片的正面和背面均具有绒面结构。
[0030]绒面结构及其工艺不限，只要能够改变硅片表面的捕光性即可。具体可以采用现有技术中的任意一种制绒工艺制绒，形成金字塔、纳米线等绒面结构。
[0031]所述晶硅体1的表面可以为正面，也可以为背面。本技术中异质结电池的正面为主受光面，背面为次受光面；因此正面的透明导电层4包括金属网格层41和透明导电氧化层42；背面透明导电层4可以采用传统的结构，仅包括透明导电氧化层42，也可以采用本专利技术的设计，同时包括金属网格层41和透明导电氧化层42。
[0032]所述本征非晶硅层2用于对硅片的表面进行钝化，降低少子复合。优选地，所述本征非晶硅层2的厚度优选为2nm～10nm。
[0033]一具体实施例中，使用PECVD设备，通入流量比为1:1～1:300的硅烷和氢气，镀膜功率介于100W～7000W，在射频电源的激发下在硅片的正面、背面同时生成本征非晶硅层2，使其具备良好的钝化效果。
[0034]所述硅片两面的掺杂层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池，包括晶硅体，依次设置于所述晶硅体表面的本征非晶硅层、掺杂层、透明导电氧化层、金属电极，其特征在于，所述异质结电池还包括位于所述透明导电氧化层和所述掺杂层之间的金属网格层。2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于：所述金属网格层的厚度小于所述透明导电氧化层的厚度。3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于：所述金属网格层包括相互连接的若干金属线，金属线的线高为0.05μm～1μm，所述透明导电氧化层的厚度介于60nm～1500nm之间。4.根据权利要求1～3任意一项所述的异质结电池，其特征在于：所述金属网格层包括相互连接的若干金属线，金属线的线宽介于0.5μm～4μm之间。5.根据权利要求1～3任意一项所述的异质结电池，其特征在于：金属网格层包括相互平行的若干第一金属线、与第一金属线交叉连接的若干第二金属线，相邻的第一金属线的距离介于30μm～300μm之间。6.根据权利要求1～3任意一项所述的异质结电池，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李硕，钟观发，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：