本申请涉及半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种半导体存储器装置包括多个存储块和接触区域。多个存储块中的每一个包括多个存储器单元。接触区域形成在多个存储块之间。半导体存储器装置不同地使用多个存储块当中的不与接触区域相邻的第一存储块和与接触区域相邻的第二存储块。与接触区域相邻的第二存储块。与接触区域相邻的第二存储块。
【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法
[0001]本公开涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。
技术介绍
[0002]半导体存储器装置可形成为在半导体基板上水平布置串的二维结构，或者可形成为在半导体基板上垂直层叠串的三维结构。三维半导体存储器装置是被设计为解决二维存储器装置的集成度的限制的半导体存储器装置，并且可包括垂直层叠在半导体基板上的多个存储器单元。
技术实现思路
[0003]根据本公开的实施方式，一种半导体存储器装置包括多个存储块和接触区域。多个存储块中的每一个包括多个存储器单元。在多个存储块之间形成接触区域。半导体存储器装置不同地使用多个存储块当中的不与接触区域相邻的第一存储块和与接触区域相邻的第二存储块。
[0004]根据本公开的另一实施方式，通过操作半导体存储器装置的方法，从存储控制器接收对多个存储块当中的目标存储块的命令，基于目标存储块的类型确定用于执行与命令对应的操作的操作参数，并且基于所确定的操作参数执行对目标存储块的操作。
[0005]根据本公开的另一实施方式，通过操作半导体存储器装置的方法，将多个存储块当中的作为第一存储块不与接触区域相邻的存储块与作为第二存储块与接触区域相邻的存储块相区分，属于第二存储块的多个存储块中的任一个被选为目标存储块，检查目标存储块的编程擦除计数值，并且当编程擦除计数值大于预定阈值时，目标存储块被转换为第一存储块。
[0006]根据本公开的另一实施方式，一种半导体存储器装置包括多个存储块和接触区域。多个存储块中的每一个包括多个存储器单元。在多个存储块之间形成接触区域。第一操作参数用于对与接触区域间隔开的第一存储块的第一操作，第二操作参数用于对与接触区域相邻的第二存储块的第二操作。第一操作参数不同于第二操作参数，并且第一操作和第二操作相同。
附图说明
[0007]图1是示意性地示出半导体存储器装置10的框图。
[0008]图2是示出图1所示的外围电路30的实施方式的框图。
[0009]图3是示出根据实施方式的存储块的等效电路图。
[0010]图4是示出设置在存储器单元阵列的位线上的导电层的图。
[0011]图5是示出包括在存储器单元阵列中的多个平面的图。
[0012]图6是示出属于平面的多个存储块的设置的图。
[0013]图7是示出图6的存储块中所包括的存储器单元的阈值电压分布的曲线图。
[0014]图8是示出与接触区域相邻的存储块和包括在其它存储块中的存储器单元的阈值电压分布宽度的曲线图。
[0015]图9是示出根据本公开的实施方式的不同地应用不与接触区域相邻的第一存储块和与接触区域相邻的第二存储块的操作条件的半导体存储器装置的图。
[0016]图10是示出根据本公开的实施方式的操作半导体存储器装置的方法的流程图。
[0017]图11是示出图10的步骤S130的实施方式的流程图。
[0018]图12是示出根据本公开的另一实施方式的不同地应用第一存储块和第二存储块的目的的方法的图。
[0019]图13是示出根据本公开的另一实施方式的半导体存储器装置的图，其中包括在第二存储块中的存储器单元中所存储的比特数相对小于包括在第一存储块中的存储器单元中所存储的比特数。
[0020]图14是示出根据本公开的另一实施方式的半导体存储器装置的图，其中包括在第二存储块中的存储器单元中所存储的比特数相对大于包括在第一存储块中的存储器单元中所存储的比特数。
[0021]图15是示出根据本公开的另一实施方式的操作半导体存储器装置的方法的流程图。
[0022]图16是示出根据实施方式的存储器系统的配置的框图。
[0023]图17是示出根据实施方式的计算系统的配置的框图。
具体实施方式
[0024]根据本说明书或申请中公开的概念的实施方式的特定结构或功能描述仅是为了描述根据本公开的概念的实施方式而示出。根据本公开的概念的实施方式可按各种形式执行，不应被解释为限于本说明书或申请中描述的实施方式。
[0025]将理解，尽管本文中可使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分，而非用于仅定义元件本身或意指特定顺序。将理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”另一元件或层或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至另一元件或层或联接至另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”另一元件或层或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。本文中为了易于描述可使用诸如“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”、“下处”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解，除了图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置翻转，则被描述为在其它元件或特征“下面”或“下方”的元件将被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”的示例可涵盖上方和下方两个取向。装置可以其它方式取向(旋转90度或其它取向)，并且本文中使用的空间相对描述符相应地解释。
[0026]本公开的实施方式提供一种能够改进操作性能的半导体存储器装置及其操作方法。
[0027]在实施方式中，半导体存储器装置可包括位线和逻辑电路。位线可设置在多个存
储块和接触区域上。逻辑电路可设置在多个存储块和接触区域下方。
[0028]在实施方式中，逻辑电路可包括外围电路，该外围电路对多个存储块当中的所选存储块执行操作。外围电路可在所选存储块是第一存储块时在操作期间使用第一参数，在所选存储块是第二存储块时在操作期间使用不同于第一参数的第二参数。
[0029]在实施方式中，半导体存储器装置可将用户数据存储在第一存储块中并将系统数据存储在第二存储块中。
[0030]在实施方式中，N比特可被存储在第一存储块中所包括的各个存储器单元中，M比特可被存储在第二存储块中所包括的各个存储器单元中。这里，N可为大于0的自然数，M可为大于N的自然数。
[0031]在实施方式中，N比特可被存储在第一存储块中所包括的各个存储器单元中，M比特可被存储在第二存储块中所包括的各个存储器单元中。这里，M可为大于0的自然数，N可为大于M的自然数。
[0032]在实施方式中，当第二存储块的编程擦除计数值超过预定阈值时，第二存储块可使用与第一存储块相同的操作参数来操作。
[0033]在实施方式中，可在多个存储块之间形成接触区域。在多个存储块当中，不与接触区域相邻的存储块可以是第一存储块，与接触区域相邻的存储块可以是第二存储块。
[0034]在实施方式中，确定操作参数可包括：检查目标存储块的类型；以及当目标存储块是第一存储块时，选择第一参数。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多个存储块，各个存储块包括多个存储器单元；以及接触区域，该接触区域形成在所述多个存储块之间，其中，不同地使用所述多个存储块当中的不与所述接触区域相邻的第一存储块和与所述接触区域相邻的第二存储块。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：位线，该位线设置在所述多个存储块和所述接触区域上；以及逻辑电路，该逻辑电路设置在所述多个存储块和所述接触区域下方。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述逻辑电路包括对所述多个存储块当中的所选存储块执行操作的外围电路，并且当所述所选存储块是所述第一存储块时，所述外围电路在所述操作期间使用第一参数，当所述所选存储块是所述第二存储块时，所述外围电路在所述操作期间使用不同于所述第一参数的第二参数。4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述操作是编程操作，并且所述第一参数和所述第二参数指示在所述所选存储块的所述编程操作中使用的电压值。5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述操作是读操作，并且所述第一参数和所述第二参数指示在所述所选存储块的所述读操作中使用的电压值。6.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述操作是擦除操作，并且所述第一参数和所述第二参数指示在所述所选存储块的所述擦除操作中使用的电压值。7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，用户数据被存储在所述第一存储块中，并且系统数据被存储在所述第二存储块中。8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述系统数据包括在对所述多个存储块的操作中使用的参数。9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述系统数据包括引导代码、元数据、映射数据或奇偶校验数据中的任一个。10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，N比特被存储在所述第一存储块中所包括的各个所述存储器单元中，并且M比特被存储在所述第二存储块中所包括的各个所述存储器单元中，并且其中，N是大于0的自然数，并且M是大于N的自然数。11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，N比特被存储在所述第一存储块中所包括的各个所述存储器单元中，并且M比特被存储在所述第二存储块中所包括的各个所述存储器单元中，并且其中，M是大于0的自然数，并且N是大于M的自然数。12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，当所述第二存储块的编程擦除计数值超过预定阈值时，所述第二存储块使用与所述第一存储块的...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔皙焕，郭东勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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