半导体封装件及其制造方法技术

公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：再分布基板，所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上。所述有机电介质层在第一波长范围下具有等于或大于大约0.04的最大吸光度，并且在所述第一波长范围下具有等于或大于大约4

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0135300的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。


[0003]实施例涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括再分布基板的半导体封装件及其制造方法。

技术介绍

[0004]提供半导体封装件以实现用在电子产品中的集成电路芯片。半导体封装件可以被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板上，并且接合线或凸块用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，为了提高半导体封装件的可靠性和耐久性，已经进行了各种研究。

技术实现思路

[0005]根据实施例，一种半导体封装件可以包括：再分布基板，所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上。所述有机电介质层可以在第一波长范围下具有等于或大于大约0.04的最大吸光度，并且在所述第一波长范围下具有等于或大于大约4
×
103的荧光强度。所述第一波长范围可以为大约450nm至大约650nm。
[0006]根据实施例，一种半导体封装件可以包括：再分布基板，所述再分布基板包括电介质层和位于所述电介质层中的金属图案；多个焊料球，所述多个焊料球位于所述再分布基板的底表面上；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板的顶表面上。所述电介质层在第一波长范围下的吸光度函数的定积分值可以等于或大于大约13，并且在所述第一波长范围下的荧光强度等于或大于大约4
×
103。所述电介质层满足选自第一荧光条件和第一吸光度条件中的至少一者。所述第一荧光条件可以包括所述荧光强度等于或大于大约1.0
×
106。所述第一吸光度条件可以包括在所述第一波长范围下的所述吸光度函数的定积分值等于或大于大约40。所述第一波长范围可以为大约450nm至大约650nm。
[0007]根据实施例，一种半导体封装件可以包括：再分布基板，所述再分布基板包括电介质层和位于所述电介质层中的再分布图案；多个焊料球，所述多个焊料球位于所述再分布基板的底表面上；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板的顶表面上；以及模制层，所述模制层位于所述再分布基板的所述顶表面上，所述模制层覆盖所述半导体芯片。所述再分布图案可以包括种子图案和位于所述种子图案上的金属图案。所述电介质层可以包括基体树脂、交联剂、弹性体、光活性化合物和光敏剂。所述电介质层在第一波长范围下的最大吸光度可以等于或大于大约0.04，在所述第一波长范围下的积分强度可以等于或大于大约13，并且在所述第一波长范围下的荧光强度可以等于或大于大约4
×
103。所述电介质
层满足选自第一荧光条件和第一吸光度条件中的至少一者。所述第一荧光条件可以包括所述荧光强度等于或大于大约1.0
×
106。所述第一吸光度条件可以包括所述积分强度等于或大于大约40。所述第一波长范围可以为大约450nm至大约650nm。
[0008]根据实施例，一种制造半导体封装件的方法可以包括：形成第一电介质层；在所述第一电介质层上形成第一再分布图案；以及检查所述第一再分布图案。检查所述第一再分布图案的步骤可以包括：用具有第一波长范围的可见光照射所述第一电介质层和所述第一再分布图案，以分析由于所述第一电介质层和所述第一再分布图案之间的吸光度差异而产生的图像；以及用具有第二波长的光照射所述第一电介质层和所述第一再分布图案，以分析由于所述第一电介质层和所述第一再分布图案之间的荧光性质差异而产生的图像。所述第一波长范围可以为大约450nm至大约650nm。
附图说明
[0009]通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：
[0010]图1A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。
[0011]图1B图示了示出图1A的部分I的放大图。
[0012]图2图示了示出根据一些示例实施例的再分布基板检查的流程图。
[0013]图3A至图3L图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装件的方法的截面图。
[0014]图4图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。
[0015]图5A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。
[0016]图5B是图示了示出图5A的部分I的放大图。
[0017]图6A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。
[0018]图6B图示了示出图6A的部分II的放大截面图。
[0019]图6C图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。
[0020]图7图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。
[0021]图8A图示了示出实验示例1至5的吸光度的评估结果的曲线图。
[0022]图8B图示了示出当照射波长为大约405nm的光时实验示例1至5的荧光强度的评估结果的曲线图。
[0023]图8C图示了示出当照射波长为大约480nm的光时实验示例1至5的荧光强度的评估结果的曲线图。
具体实施方式
[0024]现在，下面将描述根据示例实施例的半导体封装件及其制造方法。
[0025]图1A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。图1B图示了示出图1A的部分I的放大图。
[0026]参考图1A和图1B，半导体封装件10可以包括第一再分布基板100、焊料球500、半导体芯片200和模制层400。
[0027]第一再分布基板100可以包括电介质层、凸块下图案120、第一再分布图案131、第
二再分布图案132和第一再分布焊盘150。
[0028]电介质层可以包括堆叠的第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以是有机电介质层。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以包括例如光可成像电介质(PID)。
[0029]第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者可以吸收具有第一波长范围的光。例如，第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者对于具有第一波长范围的光可以具有等于或大于大约0.04的吸光度。该吸光度可以是最大吸光度。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者在第一波长范围的吸光度处可以具有等于或大于大约13的积分强度。积分强度可以是吸光度函数在第一波长范围的定积分值。积分强度可以是吸光度函数在第一波长范围的面积。第一波长范围的光可以是具有可见波长的光。例如，第一波长范围可以为大约450nm至大约650nm。在本说明书中，吸光度可以是在厚度为大约3μm至大约15μ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基板，所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上，其中，所述有机电介质层在第一波长范围下具有等于或大于0.04a.u.的最大吸光度，并且在所述第一波长范围下具有等于或大于4
×
103a.u.的荧光强度，其中，所述第一波长范围为450nm至650nm。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层在所述第一波长范围的吸光度下具有等于或大于13a.u.的积分强度。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层的所述荧光强度等于或大于1.0
×
106a.u.。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层的吸光度等于或大于0.5a.u.。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层在所述第一波长范围的吸光度下具有等于或大于40a.u.的积分强度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述荧光强度是对于第二波长的激发波长的在所述第一波长范围下的所述荧光强度的最大值。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二波长小于所述第一波长范围。8.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二波长为400nm至410nm。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层包括基体树脂、交联剂、弹性体和光活性化合物。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于所述再分布基板的顶表面上的模制层，所述模制层覆盖所述半导体芯片的侧壁，其中，所述有机电介质层延伸到所述模制层的底表面上。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括导电结构，所述导电结构位于所述再分布基板上并且与所述半导体芯片横向地间隔开，其中，所述模制层还覆盖所述导电结构的侧壁。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括上再分布基板，所述上再分布基板位于所述模制层和所述导电结构上，所述上再分布基板电连接到所述导电结构。13.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于所述再分布基板上的连接基板，所述连接基板具有贯穿所述连接基板的孔，其中，所述半导体芯片位于所述连接基板的所述孔中。14.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基板，所述再分布基板包括电介质层和位于所述电介质层中的金属图案；多个焊料球，所述多个焊料球位于所述再分布基板的底表面上；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板的顶表面上，其中，所述电介质层在第一波长范围下的吸光度函数的定积分值等于或大于13a.u.，并且在所述第一波长范围下的荧光强度等于或大于4
×
103a.u.，
其中，所述电介质层满足选自第一荧光条件和第一吸光度条件中的至少一者，其中，所述第一荧光条件包括所述荧光强度等于或大于1.0<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金真渶，金基石，尹玉善，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：