多路输出LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种多路输出LDO电路包括：差分放大器、闭环输出支路、开环输出支路以及交叉调整电路。交叉调整电路包括：第二下拉电流路径，第一和第二电流抽取路径。第一电流抽取路径连接在闭环输出支路的第一驱动管的第二端和第二下拉电流路径的第一端之间，第二电流抽取路径连接在开环输出支路的第二驱动管的第二端和第二下拉电流路径的第一端之间。第二下拉电流路径具有大小固定的第二下拉电流。第一电流抽取路径具有由所述闭环LDO电压控制的第一抽取电流。第二电流抽取路径具有由开环LDO电压控制的第二抽取电流。第二下拉电流为所述第一抽取电流和所述第二抽取电流的和。本发明专利技术能开环输出支路的带载能力。发明专利技术能开环输出支路的带载能力。发明专利技术能开环输出支路的带载能力。

【技术实现步骤摘要】
多路输出LDO电路


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种多路输出低压差线性稳压器(LDO)电路。

技术介绍

[0002]如图1所示，是现有多路输出LDO电路的电路图；现有多路输出LDO电路包括：差分放大器103、至少一个闭环输出支路101以及至少一个开环输出支路102。
[0003]所述闭环输出支路101包括由原生(native)NMOS管组成的第一驱动管M101和由电阻R101和R102组成的分压电路。native NMOS管是指阈值电压约等于0V的NMOS管。
[0004]所述开环输出支路102包括由native NMOS管组成的第二驱动管M2和由NMOS管M105组成的下拉电流路径。
[0005]所述第一驱动管M101的漏极连接电源电压VCCD。
[0006]所述第一驱动管M101的源极输出闭环LDO电压VDDCL。
[0007]电阻R101和R102连接在所述第一驱动管M101的源极和地GND1之间，电阻R101和R102连接处形成由闭环LDO电压VDDCL的分压组成的反馈电压VFB。
[0008]所述差分放大器103的第一输入端连接参考电压VREF、第二输入端连接所述反馈电压VFB以及输出端输出控制电压OPA_OUT。
[0009]所述第二驱动管M2的漏极连接电源电压VCCD，所述NMOS管M105的漏极连接所述第二驱动管M2的源极，所述NMOS管M105的源极接地GND1，由所述第二驱动管M2的源极输出所述开环LDO电压VDDD。所述NMOS管M105的栅极连接偏置电压NBIAS。
[0010]所述第一驱动管M101的控制端和所述第二驱动管M2的控制端都连接所述控制电压OPA_OUT。
[0011]所述第一驱动管M101、所述第二驱动管M102和所述NMOS管M105的衬底电极都接第二地GND。
[0012]如图1所示的现有多路输出LDO，电源电压稳定时，开环输出支路的开环LDO电压VDDD仅受负载影响，负载越大开环LDO电压VDDD越低，在允许的功率MOSFET(powermos)即所述第二驱动管M2的尺寸及空载电压范围内可承受的负载范围有限。

技术实现思路

[0013]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种多路输出LDO电路，能提高开环输出支路的带载能力。
[0014]为解决上述技术问题，本专利技术提供的多路输出LDO电路包括：差分放大器、至少一个闭环输出支路以及至少一个开环输出支路。
[0015]所述闭环输出支路包括第一驱动管和分压电路。
[0016]所述开环输出支路包括第二驱动管和第一下拉电流路径。
[0017]所述第一驱动管的第一端连接电源电压。
[0018]所述分压电路连接在所述第一驱动管的第二端和地之间，由所述第一驱动管的第二端输出所述闭环LDO电压，所述分压电路的对所述闭环LDO电压分压后得到反馈电压。
[0019]所述差分放大器的第一输入端连接参考电压、第二输入端连接所述反馈电压以及输出端输出控制电压。
[0020]所述第二驱动管的第一端连接电源电压，所述第一下拉电流路径连接在所述第二驱动管的第二端和地之间，由所述第二驱动管的第二端输出所述开环LDO电压。
[0021]所述第一驱动管的控制端和所述第二驱动管的控制端都连接所述控制电压。
[0022]多路输出LDO电路还包括和所述开环输出支路配套的交叉调整电路。
[0023]所述交叉调整电路包括：第二下拉电流路径，第一电流抽取路径和第二电流抽取路径。
[0024]所述第二下拉电流路径的第二端接地。
[0025]所述第一电流抽取路径连接在所述第一驱动管的第二端和所述第二下拉电流路径的第一端之间，所述第二电流抽取路径连接在所述第二驱动管的第二端和所述第二下拉电流路径的第一端之间。
[0026]所述第一下拉电流路径具有大小固定的第一下拉电流。
[0027]所述第二下拉电流路径具有大小固定的第二下拉电流。
[0028]所述第一电流抽取路径具有由所述闭环LDO电压控制的第一抽取电流。
[0029]所述第二电流抽取路径具有由所述开环LDO电压控制的第二抽取电流。
[0030]所述第二下拉电流为所述第一抽取电流和所述第二抽取电流的和。
[0031]进一步的改进是，所述第一驱动管为NMOS管，所述第二驱动管为NMOS管。
[0032]进一步的改进是，所述第一驱动管为native NMOS管；所述第二驱动管为native NMOS管。
[0033]进一步的改进是，所述第一驱动管为PMOS管，所述第二驱动管为PMOS管。
[0034]进一步的改进是，所述第一下拉电流路径由第一NMOS管组成，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二驱动管的第二端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极连接第一偏置电压。
[0035]进一步的改进是，所述第二下拉电流路径由第二NMOS管组成，所述第二NMOS管的漏极作为第一端，所述第二NMOS管的源极作为第二端，所述第一NMOS管的栅极连接第二偏置电压。
[0036]进一步的改进是，所述第二偏置电压等于所述第一偏置电压。
[0037]进一步的改进是，所述第一抽取电流路径由二极管连接的第三MOS晶体管组成，所述第一抽取电流路径由二极管连接的第四MOS晶体管。
[0038]进一步的改进是，所述第三MOS晶体管采用NMOS管，所述第三MOS管的栅极和漏极都连接所述第一驱动管的第二端，所述第三NMOS管的源极连接所述第二下拉电流路径的第一端。
[0039]所述第四MOS晶体管采用NMOS管，所述第四MOS管的栅极和漏极都连接所述第二驱动管的第二端，所述第四NMOS管的源极连接所述第二下拉电流路径的第一端。
[0040]进一步的改进是，所述第三MOS晶体管采用PMOS管，所述第三MOS管的源极连接所述第一驱动管的第二端，所述第三NMOS管的栅极和漏极都连接所述第二下拉电流路径的第
一端。
[0041]所述第四MOS晶体管采用PMOS管，所述第四MOS管的源极连接所述第二驱动管的第二端，所述第四NMOS管的栅极和漏极都连接所述第二下拉电流路径的第一端。
[0042]进一步的改进是，所述分压电路由电阻串组成。
[0043]进一步的改进是，所述电阻串包括串联的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻的连接处输出所述反馈电压。
[0044]本专利技术还设置了开环输出支路相配套的交叉调整电路，交叉调整电路能同时抽取开环输出支路的电流和闭环输出支路的电流，二个抽取电流的总和保持不变，两个抽取电流路径相当于两个比较路径，二个抽取电流的大小通过比较开环LDO电压和闭环LDO电压的大小实现分配，这样，当开环输出支路由于负载增加而使得开环LDO电压降低时，二个抽取电流的大小会调整，最后通过闭环路径形成一个反馈，最后使得开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多路输出LDO电路，其特征在于，包括：差分放大器、至少一个闭环输出支路以及至少一个开环输出支路；所述闭环输出支路包括第一驱动管和分压电路；所述开环输出支路包括第二驱动管和第一下拉电流路径；所述第一驱动管的第一端连接电源电压；所述分压电路连接在所述第一驱动管的第二端和地之间，由所述第一驱动管的第二端输出所述闭环LDO电压，所述分压电路的对所述闭环LDO电压分压后得到反馈电压；所述差分放大器的第一输入端连接参考电压、第二输入端连接所述反馈电压以及输出端输出控制电压；所述第二驱动管的第一端连接电源电压，所述第一下拉电流路径连接在所述第二驱动管的第二端和地之间，由所述第二驱动管的第二端输出所述开环LDO电压；所述第一驱动管的控制端和所述第二驱动管的控制端都连接所述控制电压；多路输出LDO电路还包括和所述开环输出支路配套的交叉调整电路；所述交叉调整电路包括：第二下拉电流路径，第一电流抽取路径和第二电流抽取路径；所述第二下拉电流路径的第二端接地；所述第一电流抽取路径连接在所述第一驱动管的第二端和所述第二下拉电流路径的第一端之间，所述第二电流抽取路径连接在所述第二驱动管的第二端和所述第二下拉电流路径的第一端之间；所述第一下拉电流路径具有大小固定的第一下拉电流；所述第二下拉电流路径具有大小固定的第二下拉电流；所述第一电流抽取路径具有由所述闭环LDO电压控制的第一抽取电流；所述第二电流抽取路径具有由所述开环LDO电压控制的第二抽取电流；所述第二下拉电流为所述第一抽取电流和所述第二抽取电流的和。2.如权利要求1所述的多路输出LDO电路，其特征在于：所述第一驱动管为NMOS管，所述第二驱动管为NMOS管。3.如权利要求2所述的多路输出LDO电路，其特征在于：所述第一驱动管为native NMOS管；所述第二驱动管为native NMOS管。4.如权利要求1所述的多路输出LDO电路，其特征在于：所述第一驱动管为PMOS管，所述第二驱动管为PMOS管。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆霄，陈涛，
申请(专利权)人：普冉半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：