集成电路芯片的散热结构及包括它的等离子体显示模块制造技术

本发明专利技术公开了一种等离子体显示模块的集成电路芯片的散热结构以及包含其的等离子体显示模块。在一个实施例中，散热结构包括：底架，包括底架基体和其中形成有至少一个凸起部的底架弯曲部；以及集成电路芯片，装配在底架弯曲部上并被连接至信号传输件。根据本发明专利技术的一个实施例，由于凸起部形成在其上形成集成电路芯片的底架弯曲部中，所以提高了对流热传递效率，改善了集成电路芯片的散热性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体显示模块的集成电路芯片的散热结构，尤其涉及等离子体显示模块的集成电路芯片的散热结构及包括它的等离子体显示模块，其能够改善集成电路芯片的散热性能。
技术介绍
近来，传统的阴极射线管显示装置已经被等离子体显示装置替代。在等离子体显示装置中，放电气体被填充在形成有多个电极的两个基板之间，放电电压被施加给这些电极，以产生紫外线辐射。紫外线辐射激励以预定图案形成的磷，发出可见光，从而形成想要的图像。等离子体装置包括等离子体显示模块，该等离子体显示模块通常包括等离子体显示面板和用于驱动所述等离子体显示面板的驱动装置。该驱动装置包括电路元件和其上装配有电路元件的电路板。电路板通过信号传输件电连接至等离子体显示面板。在信号传输件中，多个连接线在信号传输件的长度方向延伸，至少一部分连接线被连接至集成电路芯片。当等离子体显示面板被驱动时，从集成电路芯片产生大量的热量。然而，集成电路芯片的传统散热结构不能有效地散去由集成电路芯片产生的热量，从而，集成电路芯片的性能和生命周期降低。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了等离子体显示模块的集成电路芯片的散热结构及包括它的等离子体显示模块，其能够通过在底架弯曲部或加强件中形成凸起部来改善散热性能。本专利技术的另一方面提供了等离子体显示模块的集成电路芯片的散热结构，包括底架，包括底架基体和其中形成有至少一个凸起部的底架弯曲部；以及集成电路芯片，装配在底架弯曲部上并被连接至信号传输件。在示范性实施例中，底架弯曲部可形成在底架的边缘部分中。在示范性实施例中，底架弯曲部可包括第一弯曲部和被弯曲且延伸至该第一弯曲部的第二弯曲部。在示范性实施例中，凸起部可被形成在第一弯曲部中。在示范性实施例中，凸起部可通过弯曲第一弯曲部的一部分形成，且通气孔可被形成在凸起部一侧。在示范性实施例中，凸起部可向着底架基体的中央部分凸出。在示范性实施例中，凸起部可向着第二弯曲部的边缘凸出。在示范性实施例中，集成电路芯片可被装配到第二弯曲部上。在示范性实施例中，信号传输件可以是带载封装(tape carrierpackage)。在示范性实施例中，热脂可介于底架弯曲部和集成电路芯片之间。在示范性实施例中，盖板可安装在底架弯曲部上，以便面对集成电路芯片。在示范性实施例中，芯片散热片可介于集成电路芯片和盖板之间。在示范性实施例中，等离子体显示模块可包括上述散热结构。本专利技术的另一方面提供了一种等离子体显示模块的集成电路芯片的散热机构，包括底架，包括底架基体和其中形成有至少一个凸起部的加强件；以及集成电路芯片，装配在加强件上，且被连接至信号传输件。在示范性实施例中，加强件可形成在底架的边缘部分中。在示范性实施例中，加强件可包括安装部、被弯曲并延伸到安装部的第一弯曲部、以及被弯曲并且延伸到第一弯曲部的第二弯曲部。在示范性实施例中，凸起部可形成在第一弯曲部中。在示范性实施例中，凸起部可通过弯曲第一弯曲部的一部分形成，且通气孔可形成在凸起部的侧中。在示范性实施例中，凸起部可向着底架基体的中央部分凸出。在示范性实施例中，凸起部可向着第二弯曲部的边缘凸出。在示范性实施例中，集成电路芯片可安装在第二弯曲部上。在示范性实施例中，信号传输件可以是带载封装。在示范性实施例中，热脂可介于加强件和集成电路芯片之间。在示范性实施例中，盖板可安装在加强件上，以便面对集成电路芯片。在示范性实施例中，芯片散热片可介于集成电路芯片和盖板之间。在示范性实施例中，等离子体显示模块可包括上述散热结构。附图说明将参看附图描述本专利技术的实施例。图1是根据本专利技术的第一实施例的等离子体显示模块的示意性部件分解透视图，其中等离子体显示模块包括集成电路芯片的散热结构。图2是将图1的底架弯曲部放大的放大部件分解透视图。图3是沿图2中所示的线III-III得到的示意性放大截面图。图4示出形成根据本专利技术的第一实施例的切割部的状态的示意性透视图。图5示出形成根据本专利技术的第一实施例的凸起部的状态的示意性透视图。图6是根据本专利技术的第一实施例的修改实例的底架弯曲部的示意性放大截面图。图7是根据本专利技术的第一实施例的另一修改实例的底架弯曲部的示意性放大截面图。图8示出形成根据本专利技术的第一实施例的另一修改实例的切割部的状态的示意性透视图。图9示出形成根据本专利技术的第一实施例的另一修改实例的凸起部的状态的示意性透视图。图10是根据本专利技术的第二实施例的等离子体显示模块的示意性部件分解透视图，其中该等离子体显示模块包括集成电路芯片的散热结构。图11是图10中所示的加强件的放大部件分解透视图。图12是沿图11中所示的线VI-VI得到的示意性放大截面图。具体实施例方式图1是根据本专利技术的第一实施例的等离子体显示模块的示意性部件分解透视图，其中该等离子体显示模块包括集成电路芯片的散热结构，且图2是图1的底架弯曲部的放大的部件分解透视图，图3是沿图2中所示的线III-III得到的示意性放大截面图。在一个实施例中，等离子体显示模块100包括等离子体显示板110、底架120、电路板130、信号传输件140、集成电路板150、和盖板160。等离子体显示板110安装在底架120的正面上。在一个实施例中，等离子体显示板110举例来说通过连接至等离子体显示板110的背面的双面粘合装置123耦合至底架120。在一个实施例中，双面粘合装置123包括双面胶带。在一个实施例中，具有优良的导热性的板散热片124介于等离子体显示板110和底架120之间，并且在等离子体显示板110驱动到底架120上时传递产生的热。在一个实施例中，底架120由铝制成，并且包括底架基体121和底架弯曲部122。底架基体121通常位于底架120的中央部分中，并且具有被按压和形成在其中的凸台126。在一个实施例中，底架弯曲部122位于底架120的边缘部分中，并且以类似于电路板130的高度弯曲和延伸。在一个实施例中，底架弯曲部122包括接触底架基体121的第一弯曲部122a和被弯曲和延伸到第一弯曲部122a的第二弯曲部122b。尽管在第一实施例中底架弯曲部122仅包括第一弯曲部122a和第二弯曲部122b，但本专利技术不限于此。即，只要集成电路芯片和信号传输件可被安装在底架弯曲部122上，则可将底架弯曲部122形成为多种形状。例如，第一实施例的底架弯曲部122可进一步包括向着等离子体显示板110弯曲和延伸到第二弯曲部的第三弯曲部。多个凸起部125形成在第一弯曲部122a中。在一个实施例中，凸起部125通过弯曲第一弯曲部122a的部分形成。在另一实施例中，凸起部125可一体形成在第一弯曲部122a上。在本实施例中，通孔可以或者也可不形成在凸起部125中。这可应用于其它实施例。现在将参看图4和5描述形成凸起部125的工艺。图4示出形成根据本专利技术的第一实施例的切割部的状态的示意性透视图，且图5示出形成根据本专利技术的第一实施例的凸起部的状态的示意性透视图。首先参看图4，确定其中将形成凸起部125的第一弯曲部122a的部分，接着切割该部分125的两端，以形成两个切割部125a。接着，将负荷P1沿箭头方向应用于切割部分125a之间的部分125b。这样，切割部分125a之间的部分125b凸出，并且在与负荷P1相反的方向上扩张，产生塑性变形，从而如图5中所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示模块的集成电路芯片的散热结构，包括：底架，包括底架基体和其中形成有至少一个凸起部的底架弯曲部；以及所述集成电路芯片装配在底架弯曲部上，且被连接至信号传输件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑光珍，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]