一种IGBT驱动电源电路及IGBT驱动电源制造技术

本实用新型专利技术公开一种IGBT驱动电源电路及IGBT驱动电源，其中IGBT驱动电源电路包括：PWM控制芯片的第一信号输出端连接至第一半桥驱动电路的输入端，第二信号输出端连接至第二半桥驱动电路的输入端；第一半桥驱动电路的输出端连接至第一变压器的原边，第二半桥驱动电路的输出端连接至第二变压器的原边；第一变压器和第二变压器的副边均具有至少两个绕组，每个副边绕组均连接一个整流电路；与第一变压器相连的至少两个整流电路分别输出第一正电压和第一负电压，形成第一路输出电源；与第二变压器相连的至少两个整流电路分别得到第二正电压和第二负电压，形成第二路输出电源。该电路器采用一路PWM控制芯片得到两个半桥电源，器件少，利于布局且可靠性较高。利于布局且可靠性较高。利于布局且可靠性较高。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动电源电路及IGBT驱动电源


[0001]本技术涉及新能源电动汽车
，具体而言，涉及一种IGBT驱动电源电路及IGBT驱动电源。

技术介绍

[0002]随着电动汽车技术的发展，车载电机控制器功率密度及成本要求越来越高，功率需求却越来越大，作为能量变换的关键器件IGBT(Insulated Gate Transistor，绝缘栅双极型晶体管)电流等级也就越来越高。IGBT是全控型开关器件，正常工作需要一定的工作电源，为了保证IGBT正常可靠工作，IGBT驱动电源的可靠性十分重要。
[0003]目前，IGBT驱动电源通常有两种方式，一种方式是一个IGBT配备一个驱动电源，同时，需要一个PWM控制芯片和一个隔离变压器，此种方式器件较多，成本较高，不利于驱动电源在PCB板上的布局；另一种方式是2个IGBT共用一个驱动电源，同时需要配备一个PWM控制器和一个隔离变压器，令变压器多绕组输出，得到各个IGBT所需要的驱动电压，此种方式下，各个绕组之间无法独立工作，容易互相影响，可靠性较低。因此，有必要对IGBT驱动电源电路进行改进。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种IGBT驱动电源电路及IGBT驱动电源，用以克服现有技术中存在的至少一个技术问题。
[0005]第一方面，本技术实施例提供了一种IGBT驱动电源电路，包括：PWM控制芯片、第一半桥驱动电路、第二半桥驱动电路、第一变压器和第二变压器；
[0006]所述PWM控制芯片的第一信号输出端连接至所述第一半桥驱动电路的输入端；所述PWM控制芯片的第二信号输出端连接至所述第二半桥驱动电路的输入端；
[0007]所述第一半桥驱动电路的输出端连接至所述第一变压器的原边，所述第二半桥驱动电路的输出端连接至所述第二变压器的原边；
[0008]所述第一变压器和所述第二变压器的副边均具有至少两个绕组，且每个副边绕组均连接一个整流电路；
[0009]通过与所述第一变压器相连的至少两个整流电路分别输出第一正电压和第一负电压，以形成用于驱动第一IGBT模块的第一路输出电源；
[0010]通过与所述第二变压器相连的至少两个整流电路分别得到第二正电压和第二负电压，以形成用于驱动第二IGBT模块的第二路输出电源。
[0011]可选的，所述第一半桥驱动电路包括MOS管Q1A、MOS管Q1B、电容C2和电容C4；
[0012]MOS管Q1B的栅极连接至所述PWM控制芯片的HO功能引脚，MOS管Q1B的漏极连接至电容C2的第一端，电容C2的第二端连接至电容C4的第一端，电容C4的第二端连接至MOS管Q1A的源极，MOS管Q1A的栅极连接至所述PWM控制芯片的LO功能引脚，MOS管Q1A的漏极连接至MOS管Q1B的源极。
[0013]可选的，MOS管Q1A的漏极和MOS管Q1B的源极间的节点连接至所述第一变压器的原边的第一端，电容C2的第二端和电容C4的第一端间的节点连接至所述第一变压器的原边的第二端。
[0014]可选的，所述第二半桥驱动电路包括MOS管Q1A、MOS管Q1B、电容C3和电容C5；
[0015]MOS管Q1B的漏极还连接至电容C3的第一端，电容C3的第二端连接至电容C5的第一端，电容C5的第二端连接至MOS管Q1A的源极。
[0016]可选的，MOS管Q1A的漏极和MOS管Q1B的源极间的节点还连接至所述第二变压器的原边的第一端，电容C3的第二端和电容C5的第一端间的节点连接至所述第二变压器的原边的第二端。
[0017]可选的，每一个所述整流电路均包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管；
[0018]所述第一二极管和所述第三二极管串联构成第一支路；
[0019]所述第二二极管和所述第四二极管串联构成第二支路；
[0020]所述第一支路和所述第二支路并联；
[0021]所述第一二极管的阳极和所述第三二极管的阴极之间的节点连接至对应的副边绕组的第一端，所述第二二极管的阳极和所述第四二极管的阴极之间的节点连接至所述对应的副边绕组的第二端。
[0022]可选的，所述IGBT驱动电源电路还包括：电阻R1和电阻R7；
[0023]所述PWM控制芯片的HO功能引脚连接至电阻R1的第一端，电阻R1的第二端连接至MOS管Q1B的栅极；
[0024]所述PWM控制芯片的LO功能引脚连接至电阻R7的第一端，电阻R7的第二端连接至MOS管Q1A的栅极。
[0025]可选的，所述IGBT驱动电源电路还包括：自举电路；
[0026]所述自举电路包括二极管D1和电容C1；
[0027]电容C1的第一端连接至所述PWM控制芯片的第一引脚，电容C1的第二端连接至二极管D1的阴极，二极管D1的阳极连接至MOS管Q1B的漏极；
[0028]二极管D1的阴极和电容C1的第二端间的节点连接至所述PWM控制芯片的第二引脚。
[0029]可选的，MOS管Q1A和MOS管Q1B均为N沟道MOS管。
[0030]第二方面，本技术实施例提供了一种IGBT驱动电源，包括如第一方面任一技术方案中所述的IGBT驱动电源电路。
[0031]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0032]本技术采用一路PWM控制芯片得到两个半桥电源，减少了IGBT驱动电源电路的器件，降低了成本；采用两个变压器形式，相比与一般的一个变压器形式，更有利于变压器在及周围器件在PCB上的布局，用于驱动两个变压器的两个半桥驱动电路共用两个MOS管，而两个半桥驱动电路中的电容是相互独立的，两个变压器工作互不影响，具有良好的可靠性。
[0033]本技术实施例的创新点包括：
[0034]1、通过一个PWM控制芯片分别驱动第一半桥驱动电路和第二半桥驱动电路，第一
半桥驱动电路对第一变压器进行驱动，第二半桥驱动电路对第二变压器进行驱动，每一个变压器的原边绕组在被驱动后，对应的副边两个绕组产生相应脉冲，再通过整流电路整流即可得到一个正电压为IGBT提供驱动正电源，同时得到一个负电压为IGBT提供负驱动负电源，以利用一个PWM控制器、两个隔离变压器，每一个变压器的两绕组输出，实现两个IGBT共用一个驱动电源，是本技术实施例的创新点之一。
[0035]2、第一半桥驱动电路和第二半桥驱动电路采用共同的MOS管，两电路中的电容互相独立，减少元器件的同时，还可以顺利实现两路输出电源的互不影响，提高可靠性，是本技术实施例的创新点之一。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1为本技术一个实施例的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动电源电路，其特征在于，包括：PWM控制芯片、第一半桥驱动电路、第二半桥驱动电路、第一变压器和第二变压器；所述PWM控制芯片的第一信号输出端连接至所述第一半桥驱动电路的输入端；所述PWM控制芯片的第二信号输出端连接至所述第二半桥驱动电路的输入端；所述第一半桥驱动电路的输出端连接至所述第一变压器的原边，所述第二半桥驱动电路的输出端连接至所述第二变压器的原边；所述第一变压器和所述第二变压器的副边均具有至少两个绕组，且每个副边绕组均连接一个整流电路；通过与所述第一变压器相连的至少两个整流电路分别输出第一正电压和第一负电压，以形成用于驱动第一IGBT模块的第一路输出电源；通过与所述第二变压器相连的至少两个整流电路分别得到第二正电压和第二负电压，以形成用于驱动第二IGBT模块的第二路输出电源。2.根据权利要求1所述的IGBT驱动电源电路，其特征在于，所述第一半桥驱动电路包括MOS管Q1A、MOS管Q1B、电容C2和电容C4；MOS管Q1B的栅极连接至所述PWM控制芯片的HO功能引脚，MOS管Q1B的漏极连接至电容C2的第一端，电容C2的第二端连接至电容C4的第一端，电容C4的第二端连接至MOS管Q1A的源极，MOS管Q1A的栅极连接至所述PWM控制芯片的LO功能引脚，MOS管Q1A的漏极连接至MOS管Q1B的源极。3.根据权利要求2所述的IGBT驱动电源电路，其特征在于，MOS管Q1A的漏极和MOS管Q1B的源极间的节点连接至所述第一变压器的原边的第一端，电容C2的第二端和电容C4的第一端间的节点连接至所述第一变压器的原边的第二端。4.根据权利要求3所述的IGBT驱动电源电路，其特征在于，所述第二半桥驱动电路包括MOS管Q1A、MOS管Q1B、电容C3和电容C5；MOS管Q1B的漏极还连接至电容C3的第一端，电容C3的第二端连接至电...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾雷，桂星星，田鹏，杨建伟，姜泽军，李中，方成，郝守刚，李进，
申请(专利权)人：常州易控汽车电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：