本实用新型专利技术公开了一种LPCVD设备用进气装置，一种LPCVD设备用进气装置，包括封闭的进气总管，所述进气总管内设有反应气体输送管，所述反应气体输送管用于向反应室内输送反应气体，所述进气总管上设有冷却介质入口及冷却介质出口。本实用新型专利技术具有结构简单、减少堵塞管道的优点。道的优点。道的优点。
【技术实现步骤摘要】
一种LPCVD设备用进气装置
[0001]本技术涉及LPCVD工艺
，尤其涉及一种LPCVD设备用进气装置。
技术介绍
[0002]目前市面上使用的LPCVD设备进气方式主要为法兰进气和管道进气两种。其中，法兰进气方式为环形进气或Y型气嘴进气；管道进气方式主要采用喷淋管进气或直流管进气。
[0003]为了避免硅烷在炉口区域反应过快，一般都会增加辅助进气装置，使得硅烷通过辅助进气装置能够直接输送至炉中到炉尾区域。
[0004]由于硅烷分解温度在400℃，LP工艺温度在600℃左右，高于硅烷的分解温度，因此硅烷在输送至炉中到炉尾的过程中，硅烷会部分分解，输送硅烷的管道长时间使用后，会有一层硅粉附着在管道内壁，经过一段时间工艺后，管道内壁附着的硅粉层变厚，通过氮气吹扫已无法改善。管道出现堵塞或者硅粉沉积严重时，会出现以下问题1、整舟电池片片间均匀性差异较大，无法达标；2、单片电池片边缘沉积时间不够，生长速率过慢；3、管道堵塞导致的流量计、气动阀等硬件损坏；4、设备维护周期短，影响设备使用率。并且随着硅粉沉积在管道内壁，会导致管道内径减小，而硅烷流量不变，则硅烷进气速度会加快，导致硅粉沉积不够，工艺膜厚也会降低，影响产品质量。
技术实现思路
[0005]本技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、减少堵塞管道的LPCVD设备用进气装置。
[0006]为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：
[0007]一种LPCVD设备用进气装置，包括封闭的进气总管，所述进气总管内设有反应气体输送管，所述反应气体输送管用于向反应室内输送反应气体，所述进气总管上设有冷却介质入口及冷却介质出口。
[0008]作为上述技术方案的进一步改进：
[0009]所述反应气体输送管穿过进气总管与反应室连通。
[0010]所述反应气体输送管一端封闭，所述反应气体输送管上设有出气管，所述出气管穿过进气总管与反应室连通。
[0011]所述出气管设有多根，多根所述出气管沿反应气体输送管长度方向间隔布置。
[0012]所述出气管与进气总管焊接。
[0013]所述进气总管上设有冷却介质输入管，所述冷却介质入口为冷却介质输入管的入口。
[0014]所述进气总管上设有冷却介质输出管，所述冷却介质出口为冷却介质输出管的出口，所述冷却介质输出管的长度小于冷却介质输入管的长度。
[0015]所述冷却介质输入管及冷却介质输出管设于进气总管的同一端。
[0016]所述反应气体输送管内壁为光滑内壁。
[0017]与现有技术相比，本技术的有益效果在于：
[0018]本技术公开的LPCVD设备用进气装置，进气总管内设有反应气体输送管，通过反应气体输送管向反应室内输送反应气体硅烷，通过冷却介质入口向进气总管输入冷却介质，冷却介质带走进气总管内的热量，从冷却介质出口输出，达到对反应气体输送管进行冷却的目的，结构简单，能避免硅烷在进入反应室前提前分解成硅粉，附着在反应气体输送管内壁，造成管道堵塞，避免硅烷进气速度加快，影响产品质量。
[0019]进一步地，本技术公开的LPCVD设备用进气装置，进气总管上设有冷却介质输入管，冷却介质入口为冷却介质输入管的入口。通过冷却介质输入管将冷却介质输送至进气总管内，一定程度上延长了冷却介质的冷却路径，能够更好的对反应气体输送管进行冷却，提高冷却效果。
[0020]进一步地，本技术公开的LPCVD设备用进气装置，反应气体输送管内壁为光滑内壁，能减少硅粉附着在反应气体输送管的内壁上，减少管道堵塞。
附图说明
[0021]图1是本技术LPCVD设备用进气装置的实施例一的主视结构示意图。
[0022]图2是本技术LPCVD设备用进气装置的实施例一的俯视结构示意图。
[0023]图3是本技术LPCVD设备用进气装置的实施例一的剖视结构示意图。
[0024]图4是本技术LPCVD设备用进气装置的实施例二的主视结构示意图。
[0025]图5是本技术LPCVD设备用进气装置的实施例二的俯视结构示意图。
[0026]图6是本技术LPCVD设备用进气装置的实施例二的剖视结构示意图。
[0027]图中各标号表示：1、进气总管；2、反应气体输送管；21、出气管；3、冷却介质入口；4、冷却介质出口；5、反应室；6、冷却介质输入管；7、冷却介质输出管。
具体实施方式
[0028]以下将结合说明书附图和具体实施例对本技术的技术方案做进一步详细说明。
[0029]如本公开和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
[0030]实施例一
[0031]图1至图3示出了本技术LPCVD设备用进气装置的一种实施例，本实施例的LPCVD设备用进气装置，包括封闭的进气总管1，进气总管1内设有反应气体输送管2，反应气体输送管2用于向反应室5内输送反应气体，进气总管1上设有冷却介质入口3及冷却介质出口4。
[0032]该LPCVD设备用进气装置，进气总管1内设有反应气体输送管2，通过反应气体输送管2向反应室5内输送反应气体硅烷，通过冷却介质入口3向进气总管1输入冷却介质，冷却
介质带走进气总管1内的热量，从冷却介质出口4输出，达到对反应气体输送管2进行冷却的目的，结构简单，能避免硅烷在进入反应室5前提前分解成硅粉，附着在反应气体输送管2内壁，造成管道堵塞，避免硅烷进气速度加快，影响产品质量。
[0033]本实施例中，反应气体输送管2穿过进气总管1与反应室5连通，结构简单，硅烷通过反应气体输送管2直接输送至反应室5。
[0034]本实施例中，进气总管1上设有冷却介质输入管6，冷却介质入口3为冷却介质输入管6的入口。通过冷却介质输入管6将冷却介质输送至进气总管1内，一定程度上延长了冷却介质的冷却路径，能够更好的对反应气体输送管2进行冷却，提高冷却效果。优选地，冷却介质可以是氮气等。
[0035]进一步地，本实施例中，进气总管1上设有冷却介质输出管7，冷却介质出口4为冷却介质输出管7的出口，冷却介质输出管7的长度小于冷却介质输入管6的长度。优选地，冷却介质通过冷却介质输入管6输入至进气总管1另一端，再扩散至进气总管1内各处，对反应气体输送管2进行冷却后从较短的冷却介质输出管7输出，延长冷却介质的冷却路径，提高对反应气体输送管2的冷本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LPCVD设备用进气装置，其特征在于：包括封闭的进气总管(1)，所述进气总管(1)内设有反应气体输送管(2)，所述反应气体输送管(2)用于向反应室(5)内输送反应气体，所述进气总管(1)上设有冷却介质入口(3)及冷却介质出口(4)。2.根据权利要求1所述的LPCVD设备用进气装置，其特征在于：所述反应气体输送管(2)穿过进气总管(1)与反应室(5)连通。3.根据权利要求1所述的LPCVD设备用进气装置，其特征在于：所述反应气体输送管(2)一端封闭，所述反应气体输送管(2)上设有出气管(21)，所述出气管(21)穿过进气总管(1)与反应室(5)连通。4.根据权利要求3所述的LPCVD设备用进气装置，其特征在于：所述出气管(21)设有多根，多根所述出气管(21)沿反应气体输送管(2)长度方向间隔布置。5.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：左佳旺，吴志明，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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