一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，具体步骤包括：S1.首先将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片；S2.将活性钎料丝印至陶瓷片的表面，使得活性焊料均匀涂布至陶瓷片的表面，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性焊料层；S3.将预先准备好的无氧铜箔贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片的表面，将无氧铜箔定位；S4.在无氧铜箔的框边使用软垫进行覆盖，在钎焊前以承烧板作为盖板，并摆放进入钎焊炉进行钎焊；S5.形成高压强区域包围低压强的压强结构，使得高温液态焊料无法溢出，本发明专利技术杜绝焊料溢出，大大增加了内部焊料厚度。厚度。厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法


[0001]本专利技术涉及AMB陶瓷基板
，特别涉及一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法。

技术介绍

[0002]AMB陶瓷基板中的结合是通过陶瓷和活性金属钎料在温度下的化学反应实现的，与传统的陶瓷基板相比，AMB中使用的陶瓷具有更高的热导率，更接近硅的热膨胀系数，因此AMB基板具有较高的粘合强度和可靠性，结合银烧结工艺和大功率碳化硅芯片，带有活性金属涂层的AMB铜层可以实现高功率、高效散热和高可靠性的封装模块，可承受8000次热冲击，已广泛应用于电动汽车、电力机车和高速列车。
[0003]在高温状态下焊料处于熔融状态，由于基板钎焊过程中是存在受压的关系，所以会有一定程度的焊料备受挤压，导致熔融的焊料被挤出铜箔与陶瓷的界面层，结合效果较差。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：本专利技术的目的是为了解决现有技术中的不足，提供一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法。
[0005]技术方案：一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，具体步骤包括：S1.首先将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片，陶瓷片作为活性钎料涂层的界面；S2.将活性钎料丝印至陶瓷片的表面，使得活性焊料均匀涂布至陶瓷片的表面，通过预烘工艺处理，排胶将活性钎料中的有机物进行排出，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性焊料层；S3.将预先准备好的无氧铜箔贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片的表面，将无氧铜箔定位；S4.在无氧铜箔预组合后，在无氧铜箔的框边使用软垫进行覆盖，在钎焊前以石墨作为盖板，并摆放进入钎焊炉进行钎焊，钎焊过程中实现无氧铜箔、活性焊料层和AMB陶瓷覆铜板基板充分钎焊融合。
[0006]S5.在受到同等压力下，无氧铜箔边缘四周的压强会由增加的软垫厚度而增强，无氧铜箔的中心区压强会相对低一些，从而使得液化的焊料不易流出至无氧铜箔与陶瓷片的界面层，形成一个高压强区域包围低压强的压强结构，使得高温液态焊料无法溢出，从而杜绝焊料溢出。
[0007]本专利技术的进一步改进在于，步骤S2中，活性钎料通过丝印网框进行丝印。
[0008]本专利技术的进一步改进在于，步骤S2中，预烘工艺处理的温度为50
‑
150℃。
[0009]本专利技术的进一步改进在于，步骤S3中，无氧铜箔的含铜量不限定指标。
[0010]本专利技术的进一步改进在于，步骤S4中，软垫为耐高温软质材料。
[0011]本专利技术的进一步改进在于，耐高温软质材料的厚度不限定具体厚度值。
[0012]本专利技术的进一步改进在于，耐高温软质材料的宽度不限。
[0013]本专利技术的进一步改进在于，丝印网框的丝网目数为100
‑
600目，根据焊料型号而定。
[0014]本专利技术的进一步改进在于，AMB陶瓷覆铜板基板进行烘干处理的温度为150
‑
600℃，根据焊料型号而定，进行烘干处理的持续时间不限。
[0015]与现有技术相比，本专利技术提供的一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，至少实现了如下的有益效果：本专利技术边缘四周的压强会由增加的软垫厚度而增强，中心区压强会相较低一些，从而使得液化的焊料不易流出至铜箔与陶瓷的界面层，形成一个高压强区域包围低压强的一个压强结构，促使高温液态焊料无法溢出，达到杜绝焊料溢出的技术效果，大大增加了内部焊料厚度，从而使得活性焊料层与陶瓷片、无氧铜箔之间能够有效充分反应，达到优秀的结合效果。
附图说明
[0016]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。
[0017]图1是本专利技术的结构主视图；图2是本专利技术的结构俯视图。
[0018]附图标记：1
‑
陶瓷片；2
‑
活性焊料层；3
‑
无氧铜箔；4
‑
软垫。
具体实施方式
[0019]现详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。
[0020]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0021]如图1
‑
2所示，一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，具体步骤包括：S1.首先将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片1，陶瓷片1作为活性钎料涂层的界面；S2.将活性钎料丝印至陶瓷片1的表面，使得活性焊料均匀涂布至陶瓷片1的表面，通过预烘工艺处理，排胶将活性钎料中的有机物进行排出，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性焊料层2；S3.将预先准备好的无氧铜箔3贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片1的表面，将无氧铜箔3定位；
S4.在无氧铜箔3预组合后，在无氧铜箔3的框边使用软垫4进行覆盖，在钎焊前以石墨作为盖板，并摆放进入钎焊炉进行钎焊，钎焊过程中实现无氧铜箔3、活性焊料层2和AMB陶瓷覆铜板基板充分钎焊融合。
[0022]S5.在受到同等压力下，无氧铜箔3边缘四周的压强会由增加的软垫4厚度而增强，无氧铜箔3的中心区压强会相对低一些，从而使得液化的焊料不易流出至无氧铜箔3与陶瓷片1的界面层，形成一个高压强区域包围低压强的压强结构，使得高温液态焊料无法溢出，从而杜绝焊料溢出。
[0023]本专利技术的进一步改进在于，活性钎料通过丝印网框进行丝印。
[0024]本专利技术的进一步改进在于，预烘工艺处理的温度为50
‑
150℃。
[0025]本专利技术的进一步改进在于，无氧铜箔3的含铜量不限定指标。
[0026]本专利技术的进一步改进在于，软垫4为耐高温软质材料，不仅重量轻，强度和硬度高，而且具有一定的柔韧性，绿色环保。
[0027]本专利技术的进一步改进在于，耐高温软质材料的厚度不限定具体厚度值。
[0028]本专利技术的进一步改进在于，耐高温软质材料的宽度不限。
[0029]本专利技术的进一步改进在于，丝印网框的丝网目数为100
‑
600目，根据焊料型号而定。
[0030]本专利技术的进一步改进在于，AMB陶瓷覆铜板基板进行烘干处理的温度为150
‑
600℃，根据焊料型号而定，进行烘干处理的持续时间不限。
[0031]综上，本专利技术提供的一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，本专利技术边缘四周的压强会由增加的软垫厚度而增强，中心区压强会相较低一些，从而使得液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，其特征在于，具体步骤包括：S1.首先将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片（1），所述陶瓷片（1）作为活性钎料涂层的界面；S2.将活性钎料丝印至陶瓷片（1）的表面，使得活性焊料均匀涂布至所述陶瓷片（1）的表面，通过预烘工艺处理，排胶将活性钎料中的有机物进行排出，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性焊料层（2）；S3.将预先准备好的无氧铜箔（3）贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片（1）的表面，将无氧铜箔（3）定位；S4.在无氧铜箔（3）预组合后，在无氧铜箔（3）的框边使用软垫（4）进行覆盖，在钎焊前以承烧板作为盖板，并摆放进入钎焊炉进行钎焊，钎焊过程中实现无氧铜箔（3）、活性焊料层（2）和AMB陶瓷覆铜板基板充分钎焊融合；S5.在受到同等压力下，无氧铜箔（3）边缘四周的压强会由增加的软垫（4）厚度而增强，所述无氧铜箔（3）的中心区压强会相对低一些，从而使得液化的焊料不易流出至无氧铜箔（3）与陶瓷片（1）的界面层，形成一个高压强区域包围低压强的压强结构，使得高温液态焊料无法溢出，从而杜绝焊料溢出。2.根据权利要求1所述的一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述活性钎料通过丝印网框进行丝印。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓辉，谢继华，
申请(专利权)人：南通威斯派尔半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：