使用平均化参考电压的存储器单元感测制造技术

本申请案是针对使用平均化参考电压的存储器单元感测。存储器装置可产生特定于操作条件或特性的所述平均化参考电压。所述平均化参考电压因此可跟踪单元使用和单元特性的变化。所述存储器装置可通过将参考节点短接在一起以确定与所述参考节点相关联的平均值，以此产生所述平均化参考电压。所述参考节点可与码字相关联，所述码字可存储对应于所述参考节点的值。所述码字可为平衡或近似平衡的以包含相等或近似相等数量的不同逻辑值。或近似相等数量的不同逻辑值。或近似相等数量的不同逻辑值。

【技术实现步骤摘要】
使用平均化参考电压的存储器单元感测
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请案主张贝德斯基(BEDESCHI)在2021年10月12日申请的标题为“使用平均化参考电压的存储器单元感测(MEMORY CELL SENSING USING AN AVERAGED REFERENCE VOLTAGE)”的第17/499,492号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给本受让人并以引用的方式明确并入本文中。


[0003]
涉及使用平均化参考电压的存储器单元感测。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储的状态。FeRAM可能够实现类似于易失性存储器的密度，但可具有非易失性特性，这是因为使用铁电电容器作为存储装置。

技术实现思路

[0006]描述了一种方法。所述方法可以包含：将相应逻辑状态存储于多个存储器单元中的每一个处，其中所述多个存储器单元的所述逻辑状态满足所述多个存储器单元中存储第一逻辑状态的存储器单元的第一数量与所述多个存储器单元中存储第二逻辑状态的存储器单元的第二数量的阈值比率；针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元，在各自与所述存储器单元相关联的相应第一节点处和相应第二节点处产生相应感测电压，其中每个感测电压表示所述相关联存储器单元的所述相应逻辑状态；至少部分地基于将所述多个存储器单元的所述第二节点中的每一个耦合到所述第二节点中的每另一个，产生所述多个存储器单元的参考电压；和至少部分地基于所述参考电压和与所述第一存储器单元相关联的第一感测电压，确定所述多个存储器单元中的第一存储器单元的逻辑状态。
[0007]描述了一种设备。所述设备可包含：多个存储器单元，其各自可操作以存储相应逻辑状态；平衡组件，其可操作以将所述多个存储器单元的所述逻辑状态配置为满足所述多
个存储器单元中存储第一逻辑状态的存储器单元的第一数量与所述多个存储器单元中存储第二逻辑状态的存储器单元的第二数量的阈值比率；多个第一节点和多个第二节点，其各自可与所述多个存储器单元中的相应存储器单元耦合且各自可操作以被设置为表示所述相应存储器单元的所述相应逻辑状态的相应感测电压，其中所述多个第二节点各自可与所述多个第一节点中的相应第一节点耦合；多个开关组件，其可操作以至少部分地基于将所述第二节点中的每一个耦合到所述第二节点中的每另一个而产生所述多个存储器单元的参考电压；和感测组件，其可操作以至少部分地基于所述参考电压和与所述多个存储器单元中的第一存储器单元相关联的第一感测电压来确定所述第一存储器单元的逻辑状态。
[0008]描述了一种设备。所述设备可包含：多个存储器单元；多个第一节点，其各自可与所述多个存储器单元中的相应存储器单元耦合；多个第二节点，其各自可与所述多个存储器单元中的相应存储器单元和所述多个第一节点中的相应第一节点耦合；多个开关组件，其各自可与所述多个第二节点中的一或多个相应第二节点耦合；和控制器，其可操作以致使所述设备：将相应逻辑状态存储于所述多个存储器单元中的每一个处，其中所述多个存储器单元的所述逻辑状态被配置成满足所述多个存储器单元中存储第一逻辑状态的存储器单元的第一数量与所述多个存储器单元中存储第二逻辑状态的存储器单元的第二数量的阈值比率；针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元，在各自与所述存储器单元相关联的相应第一节点处和相应第二节点处产生相应感测电压，其中每个感测电压表示所述相关联存储器单元的所述相应逻辑状态；至少部分地基于经由所述多个开关组件将所述多个存储器单元的所述第二节点中的每一个耦合到所述第二节点中的每另一个，产生所述多个存储器单元的参考电压；和至少部分地基于所述参考电压和与所述第一存储器单元相关联的第一感测电压来确定所述多个存储器单元中的第一存储器单元的逻辑状态。
附图说明
[0009]图1说明根据本文所公开的实例的支持使用平均化参考电压的存储器单元感测的系统的实例。
[0010]图2说明根据本文所公开的实例的支持使用平均化参考电压的存储器单元感测的存储器裸片的实例。
[0011]图3说明根据本文所公开的实例的支持使用平均化参考电压的存储器单元感测的分布曲线图的实例。
[0012]图4说明根据本文所公开的实例的支持使用平均化参考电压的存储器单元感测的位平衡方案的实例。
[0013]图5说明根据本文所公开的实例的支持使用平均化参考电压的存储器单元感测的电路的实例。
[0014]图6示出根据本文所公开的实例的支持使用平均化参考电压的存储器单元感测的存储器装置的框图。
[0015]图7示出说明根据本文所公开的实例的支持使用平均化参考电压的存储器单元感测的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
[0016]存储器单元可包含用以存储逻辑值的存储组件。举例来说，单元可存储逻辑0或逻辑1，其可各自对应于存储于存储器单元处的相应电荷(例如，电荷的量或极性)，并且各自对应于与所存储的电荷相关联的相应电压。存储器装置可执行读取操作以确定存储器单元的所存储逻辑状态。在读取操作期间，存储器装置的感测组件可将与从存储器单元提取(或供应给存储器单元)的电荷相关联的电压与参考电压进行比较。理想参考电压可为具有逻辑0和逻辑1的相应电压之间的中间值的电压。在一些情况下，可预先确定(例如，在存储器装置的制造或测试阶段设置)存储器装置的参考电压。举例来说，固定值可编程或设置为存储器装置的参考电压。然而，逻辑状态(例如，存储的逻辑1或逻辑0)的电压可随时间，例如基于单元使用、随时间降级或操作进程或其它单元特性而发生波动。
[0017]根据本文中所描述的技术，存储器装置可产生平均化参考电压，所述平均化参考电压基于存储器装置的多个存储器单元(例如，码字)的操作条件或特性(例如，所述参考电压可为跟踪单元使用或单元特性的变化的自参考电压，但例如相较于基于单个存储器单元产生的自参考电压，跨多个存储器单元产生)。虽然参考铁电存储器装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：将相应逻辑状态存储于多个存储器单元中的每一个处，其中所述多个存储器单元的所述逻辑状态满足所述多个存储器单元中存储第一逻辑状态的存储器单元的第一数量与所述多个存储器单元中存储第二逻辑状态的存储器单元的第二数量的阈值比率；针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元，在各自与所述存储器单元相关联的相应第一节点处和相应第二节点处产生相应感测电压，其中每个感测电压表示所述相关联存储器单元的所述相应逻辑状态；至少部分地基于将所述多个存储器单元的所述第二节点中的每一个耦合到所述第二节点中的每另一个，产生所述多个存储器单元的参考电压；和至少部分地基于所述参考电压和与所述第一存储器单元相关联的第一感测电压，确定所述多个存储器单元中的第一存储器单元的逻辑状态。2.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元，将所述相应第一节点与所述相应第二节点耦合，其中产生所述多个存储器单元中的每一存储器单元的所述相应感测电压至少部分地基于将所述相应第一节点与所述相应第二节点耦合。3.根据权利要求2所述的方法，其另外包括：针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元，在产生所述多个存储器单元中的每一存储器单元的所述相应感测电压之后，将所述相应第一节点与所述相应第二节点隔离，其中产生所述参考电压至少部分地基于将所述相应第一节点与所述相应第二节点隔离。4.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一存储器单元的所述逻辑状态包括：将所述第一感测电压与所述参考电压进行比较，其中在与所述第一存储器单元相关联的所述相应第一节点处产生所述第一感测电压。5.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：在确定所述第一存储器单元的所述逻辑状态时，维持所述多个存储器单元的所述第二节点中的每一个耦合到所述第二节点中的每另一个。6.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：在确定所述第一存储器单元的所述逻辑状态之前，将所述多个存储器单元的所述第二节点中的每一个与所述第二节点中的每另一个隔离。7.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述参考电压包括：在将所述多个存储器单元的所述第二节点中的每一个耦合到所述第二节点中的每另一个之后，使所述参考电压从第一电压移位到第二电压，其中确定所述第一存储器单元的所述逻辑状态至少部分地基于所述第二电压。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器单元的所述逻辑状态至少部分地基于所述第一数量处于第一值范围内且所述第二数量处于第二值范围内而满足所述阈值比率。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值比率包括所述第一数量等于所述第二数量。10.一种设备，其包括：多个存储器单元，其各自能够操作以存储相应逻辑状态；
平衡组件，其能够操作以将所述多个存储器单元的所述逻辑状态配置为满足所述多个存储器单元中存储第一逻辑状态的存储器单元的第一数量与所述多个存储器单元中存储第二逻辑状态的存储器单元的第二数量的阈值比率；多个第一节点和多个第二节点，其各自能够与所述多个存储器单元中的相应存储器单元耦合且各自能够操作以被设置为表示所述相应存储器单元的所述相应逻辑状态的相应感测电压，其中所述多个第二节点各自能够与所述多个第一节点中的相应第一节点耦合；多个开关组件，其能够操作以至少部分地基于将所述第二节点中的每一个耦合到所述第二节点中的每另一个而产生所述多个存储器单元的参考电压；和感测组件，其能够操作以至少部分地基于所述参考电压和与所述多个存储器单元中的第一存储器单元相关联的第一感测电压来确定所述第一存储器单元的逻辑状态。11.根据权利要求10所述的设备，其另外包括：第二多个开关组件，其各自能够操作以针对所述多个存储器单元中的相应存储器单元，将相应第一节点与相应第二节点耦合，其中在所述多个第二节点中的每一个处设置所述相应感测电压至少部分地基于将所述相应第一节点与所述相应第二节点耦合。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第二多个开关组件中的每一开关组件另外能够操作以：针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元，在将所述相应第二节点设置为所述相应感测电压之后，将所述相应第一节点与所述相应第二节点隔离，其中产生所述参考电压至少部分地基于将所述相应第一节点与所述相应第二节点隔离。13.根据权利要求10所述的设备，其中所述感测组件另外能够操作以：从与所述第一存储器单元相关联的相应第一节点接收所述第一感测电压；从与所述第一存储器单元相关联的相应第二节点接收所述参考电压；和将所述第一感测电压与所述参考电压进行比较，其中确定所述第一存储器单元的所述逻辑状态至少部...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：