电路装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电路装置及其制造方法，能够确保电流容量并能够形成微细的图案。该混合集成电路装置（１０）具有形成在电路基板（１６）的表面上的导电图案（１８）和与导电图案（１８）电气连接的电路元件（１４），导电图案（１８）由第一导电图案（１８Ａ）和比第一导电图案厚的第二导电图案（１８Ｂ）构成。并且，第二导电图案（１８Ｂ）设有相对于图案的厚度方向突出的凸部（２２）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是具有厚度不同的导电图案的。
技术介绍
参照图10说明现有的混合集成电路装置的结构(例如参照特开平6-177295号公报(第4页、图1))。图10(A)是混合集成电路装置100的立体图，图10(B)是图10(A)的X-X′线剖面图。现有的混合集成电路装置100具有下面的结构，即，由下述的结构构成混合集成电路装置100矩形的基板106、设于基板106的表面的绝缘层107、形成在该绝缘层107上的导电图案108、固着在导电图案108上的电路元件104，电气连接电路元件104和导电图案108的金属细线105、与导电图案108电气连接的引线101。混合集成电路装置100整体由密封树脂102密封。密封树脂102密封的方法有利用热塑性树脂的注入模塑和利用热固性树脂的传递模塑。但是，在上述这样的混合集成电路装置中，在安装大电流用功率类元件的混合集成电路基板(以下称为基板)和安装小信号类的元件的基板中，改变导电图案的膜厚。例如安装了功率类的元件的基板中，导电图案的厚度例如是100μm。而安装了小信号类的元件的基板中，导电图案的厚度是35μm。因此，根据被安装的元件而准备图案的厚度不同的基板会使成本上升。另外，具有厚度是100μm左右的导电图案的基板中，厚的导电图案中不形成微细图案，所以存在不能将端子数多的LSI(Large Scale Integration大规模集成电路)安装在安装基板上的问题。另外，具有厚度是35μm左右的薄的导电图案的基板上若安装功率类的元件，则薄的导电图案由于截面积小，所以存在不能确保充分的电流容量的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而研发的，其目的在于提供一种能够确保电路容量并可形成微细图案的。本专利技术的电路装置具有形成在电路基板的表面的导电图案和与该导电图案电气连接的电路元件，所述导电图案由第一导电图案和比该第一导电图案厚的第二导电图案构成，所述第一导电图案和所述第二导电图案的表面实质上配置在同一水平面上，在所述第二导电图案的背面设置比所述第一导电图案的背面还要向厚度方向突出的凸部。本专利技术的电路装置具有形成在电路基板的表面的导电图案和与该导电图案电气连接的电路元件，所述导电图案由第一导电图案和比该第一导电图案厚的第二导电图案构成，所述第一导电图案和所述第二导电图案的背面实质上配置在同一水平面上，在所述第二导电图案的表面设置比所述第一导电图案的表面还要向厚度方向突出的凸部。本专利技术的电路装置具有形成在电路基板的表面的导电图案和与该导电图案电气连接的电路元件，所述导电图案由第一导电图案和比该第一导电图案厚的第二导电图案构成，在所述第二导电图案的表面和背面设置向厚度方向突出的凸部。优选地，上述电路装置中，在所述凸部的周围形成与第一导电图案实质上膜厚相等的缘部。优选地，上述电路装置中，所述缘部的宽度比所述第一导电图案的厚度宽。优选地，上述电路装置中，所述凸部埋入形成在所述电路基板的表面的绝缘层中。优选地，上述电路装置中，所述电路基板是金属基板、陶瓷基板、印刷基板或软片。优选地，上述电路装置中，所述第一导电图案上连接第一电路元件，所述第二导电图案上连接电流容量比所述第一电路元件大的第二电路元件。本专利技术的电路装置的制造方法中，准备表面设有向厚度方向突出的凸部的导电箔，以使所述凸部埋入设于电路基板的表面上的绝缘层的方式将所述导电箔粘接在所述电路基板上，通过局部除去未设置所述凸部的区域的所述导电箔，形成第一导电图案和包含所述凸部并比所述第一导电图案厚的第二导电图案。本专利技术的电路装置的制造方法中，准备表面设有向厚度方向突出的凸部的导电箔，将所述导电箔的背面粘接在设于所述电路基板上的绝缘层上，通过局部除去未设置所述凸部的区域的所述导电箔，形成第一导电图案和包含所述凸部并比所述第一导电图案厚的第二导电图案。本专利技术的电路装置的制造方法中，准备表面和背面设有向厚度方向突出的凸部的导电箔，以使所述凸部埋入设于电路基板的表面上的绝缘层的方式将所述导电箔粘接在所述电路基板上，通过局部除去未设置所述凸部的区域的所述导电箔，形成第一导电图案和包含所述凸部并比所述第一导电图案厚的第二导电图案。优选地，上述电路装置的制造方法中，所述凸部的侧面是曲面。优选地，上述电路装置的制造方法中，在所述凸部的周围以残存与所述第一导电图案相同厚度的缘部的方式构图所述导电箔。优选地，上述电路装置的制造方法中，所述缘部的宽度比所述第一导电图案的厚度宽。优选地，上述电路装置的制造方法中，通过蚀刻处理形成所述第一导电图案和所述第二导电图案。附图说明图1(A)是本专利技术的混合集成电路装置的立体图，图1(B)是本专利技术的混合集成电路装置的剖面图；图2是本专利技术混合集成电路装置的立体图；图3(A)是本专利技术的混合集成电路装置的剖面图，图3(B)是本专利技术的混合集成电路装置的剖面图，图3(C)是本专利技术的混合集成电路装置的剖面图；图4(A)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，图4(B)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，4(C)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，4(D)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，4(E)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，4(F)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图5(A)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，图5(B)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，5(C)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，5(D)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，5(E)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图6(A)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，图6(B)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，6(C)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，6(D)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，6(E)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，6(F)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图7(A)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，图7(B)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，7(C)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，7(D)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，7(E)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图8(A)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，图8(B)是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图9是说明本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图10(A)是说明现有的混合集成电路装置的制造方法的立体图，10(B)是说明现有的混合集成电路装置的制造方法的剖面图。具体实施例方式参照图1说明本专利技术的混合集成电路装置10的结构。图1(A)是混合集成电路装置10的立体图，图1(B)是图1(A)的X-X′线的剖面图。本专利技术的混合集成电路装置10具有形成在电路基板16的表面上的导电图案18和与导电图案18电连接的电路元件14。另外，导电图案18由第一导电图案18A和比第一导电图案18A厚的第二导电图案18B构成。第二导电图案18本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路装置，其特征在于，具有形成在电路基板的表面的导电图案和与该导电图案电气连接的电路元件，所述导电图案由第一导电图案和比该第一导电图案厚的第二导电图案构成，所述第一导电图案和所述第二导电图案的表面实质上配置在同一水平面上，在所述第二导电图案的背面设置比所述第一导电图案的背面还要向厚度方向突出的凸部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚优助，高草木贞道，根津元一，草部隆也，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]